FLU10ZMTE1 L波段中高功率GaAs FET

FET GaAs L波段

型号： FLU10ZMTE1

--- 产品参数 ---

厂家 Sumitomo Electric Device Innov
型号 FLU10ZMTE1
名称 High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管
产地日本
封装 ME

--- 产品详情 ---

型号简介
Sumitomo的FLU10ZME1是为基站和CPE设计的GaAs FET高达4.0GHz频率范围的应用。这是一个新产品使用经过优化的塑料表面安装封装的系列用于高容量成本驱动的应用程序。SUMITOMO严格的质量保证计划确保可靠性和一致的性能。

型号规格
厂家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型号 FLU10ZMTE1
名称 High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管
产地日本
封装 ME

型号参数
高输出功率：P1dB=29.5dBm（典型值）
高增益：G1dB=13.0dB（典型值）
低成本塑料（SMT）封装
提供磁带和卷轴

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