FLC157XP GaAs FET和HEMT芯片

FET GaAs HEMT 芯片

型号： FLC157XP

--- 产品参数 ---

厂家 Sumitomo Electric Device Innov
型号 FLC157XP
名称 High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管
产地日本
封装 XP

--- 产品详情 ---

型号简介
Sumitomo的FLC157XP芯片是一种功率GaAs FET，专为C波段频率范围内的通用应用提供卓越的功率、增益和效率。住友电气严格的质量保证计划确保最高的可靠性和一致的性能。

型号规格
厂家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型号 FLC157XP
名称 High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管
产地日本
封装 XP

型号参数
高输出功率：P1dB=31.5dBm（典型值）
高增益：G1dB=6.0dB（典型值）
高功率附加效率：PAE=29.5%（典型值）
经验证的可靠性

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