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N沟道场效应管HC3400M产品资料

100V耐压MOS管 来源:惠海半导体 作者:惠海半导体 2021-09-27 14:20 次阅读

型号:HC3400M

参数:30V 5.8A

类型:N沟道场效应管

内阻27mR(Vgs=10V)

低结电容635pF

封装:SOT23-3

低开启电压0.7V

100V大电流系列:2N10、3N10、4N10、5N10、10N10、15N10、17N10、25N0、30N10、35N10、40N10、50N10

SOT23-3封装、SOT223封装、SOP8封装、TO-252封装、DFN封装

60V大电流系列:5N06、10N06、20N06、25N06、30N06、35N06、40N06、50N06、60N06、70N06

30V大电流系列:3400、3404、2301、2300、9926、30N03、20N03、50N03、70N03、100N03、110N03

编辑:jq

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