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      电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

      FGA20N120FTD 1200V 20A 场截止沟道IGBT

      数据：

      飞兆半导体的1200V沟道IGBT系列采用先进的场截止沟道技术，为软开关应用提供卓越的导通和开关性能​​。该器件可并行配置极好的雪崩耐用性。该器件为感应加热和微波炉而设计。
      特性
      • 场截止沟道技术
      • 高速开关
      • 低饱和电压：V CE（sat） = 1.6V @ I C = 20A
      • 高输入阻抗
      • 符合RoHS标准
      应用
      • 消费型设备

      电路图、引脚图和封装图




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