ADG1236 低电容、低电荷注入、±15 V/12 V iCMOS、双通道单刀双掷开关

优势和特点

1.3 pF关断电容
3.5 pF导通电容
1 pC电荷注入
电源电压范围：33 V
导通电阻：120 Ω
额定电源电压：+12 V、±15 V
无需V_L电源
3 V逻辑兼容输入
轨到轨工作
16引脚TSSOP和12引脚LFCSP封装
典型功耗：<0.03 µW

产品详情

ADG1236是一款单芯片CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷（SPDT）开关。它采用iCMOS®工艺设计。iCMOS（工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS（互补金属氧化物半导体）与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS器件不但可以承受高电源电压，同时还能提升性能、大幅降低功耗并减小封装尺寸。

这款器件具有超低电容和电荷注入特性，因而是要求低毛刺和快速建立时间的数据采集与采样保持应用的理想解决方案。较快的开关速度及高信号带宽，使该器件适合视频信号切换应用。iCMOS结构可确保功耗极低，因而该器件非常适合便携式电池供电仪表。

当接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，达到电源电压的信号电平被阻止。两个开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。