LMG1205 用于增强模式 GaN FET 的 100V、1.2A/5A 半桥栅极驱动器

LMG1205设计用于同步降压，升压或半同步驱动高侧和低侧增强型氮化镓（GaN）FET - 桥梁配置。该器件具有集成的100V自举二极管和独立输入，用于高端和低端输出，以实现最大的控制灵活性。使用自举技术产生高侧偏置电压，并在内部钳位至5 V，这可防止栅极电压超过增强型GaN FET的最大栅极 - 源极电压额定值。 LMG1205的输入兼容TTLlogic，无论VDD电压如何，均可承受高达14 V的输入电压。 LMG1205具有分栅输出，可独立调节开启和关断强度。

此外，LMG1205的强吸收能力可将栅极维持在低态，从而防止在开关过程中意外接通。 LMG1205可以工作在几MHz .LMG1205采用12引脚DSBGA封装，占板面积小，封装电感最小。