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这款-20V，5.5mΩNexFET功率金属氧化物半导体场效应应晶体管（MOSFET）旨在最大限度地降低功率转换和负载管理应用中的损耗。该器件采用3.3mm×3.3mm小外形尺寸无引线（SON）封装，可提供出色的封装散热性能。
所有商标均为其各自的商标。拥有者。
| VDS (V) |
| VGS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms) |
| Id Peak (Max) (A) |
| Id Max Cont (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| QGS Typ (nC) |
| VGSTH Typ (V) |
| Package (mm) |
| CSD25404Q3 | CSD25310Q2 | CSD25402Q3A |
|---|---|---|
| -20 | -20 | -20 |
| -12 | -8 | -12 |
| Single | Single | Single |
| 6.5 | 23.9 | 8.9 |
| 12.1 | 32.5 | 15.9 |
| 150 | 89 | 300 |
| -240 | -48 | -82 |
| -18 | -9.6 | -15 |
| 10.8 | 3.6 | 7.5 |
| 2.2 | 0.5 | 1.1 |
| 2.8 | 1.1 | 2.4 |
| -0.9 | -0.85 | -0.9 |
| SON 3x3 | SON 2x2 | SON 3x3 |
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