设计推挽放大器的主要原因之一是防止过多噪声并创建更高效的电路。 推挽放大器使用两个极性相反的晶体管。当输入波形处于周期的正半部分时，NPN晶体管将导通，PNP晶体管将关闭。如果输入信号摆幅为负，PNP晶体管将导通，NPN晶体管将关闭。两个输出组合在一起以产生完整的放大信号。
2023-02-16 18:22:30
的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。3. 逆向晶体管有如下特点。hFE低（正向约10%以下）耐压低 (7 to 8Ｖ 与VEBO一样低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
，发射极E接红表笔；PNP管的集电极C接红表笔，发射极E接黑表笔。正常时，锗材料的小功率晶体管和中功率晶体管的电阻值一般大于10Kω（用R×100档测，电阻值大于2kΩ），锗大功率晶体管的电阻值为1.5k
2012-04-26 17:06:32
晶体管测量模块的基本特性有哪些？晶体管测量模块的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
的电流、电压和应用进行分类。 下面以“功率元器件”为主题，从众多晶体管中选取功率类元器件展开说明。其中，将以近年来控制大功率的应用中广为采用的MOSFET为主来展开。 先来看一下晶体管的分类与特征
2020-06-09 07:34:33
题，从众多晶体管中选取功率类元器件展开说明。其中，将以近年来控制大功率的应用中广为采用的MOSFET为主来展开。首先是基础性的内容，来看一下晶体管的分类与特征。Si晶体管的分类Si晶体管的分类根据
2018-11-28 14:29:28
是"增幅"和"开关"。比如收音机。放大空中传播的极微弱信号，使音箱共鸣。这一作用便是晶体管的增幅作用。不改变输入信号的波形，只放大电压或电流。这是模拟信号的情况，但是
2019-05-05 00:52:40
晶体管的基极电流发生变化时，其集电极电流将发生更大的变化或在晶体管具备了工作条件后，若从基极加入一个较小的信号，则其集电极将会输出一个较大的信号。 晶体管的基本工作条件是发射结（B、E极之间）要加上
2013-08-17 14:24:32
。 7．音频功率放大互补对管的选用音频功率放大器的低放电路和功率输出电路，一般均采用互补推挽对管（通常由1只NPN型晶体管和1只PNP型晶体管组成）。选用时要求两管配对，即性能参数要一致。 低放电路中
2012-01-28 11:27:38
的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。3. 逆向晶体管有如下特点。hFE低（正向约10%以下）耐压低 (7 to 8Ｖ 与VEBO一样低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
小型・共24种机型的产品阵容→使设计灵活性更高这些功能和特点是以1)高效率、2)低功耗、3)待机功耗小、4) 有助于小型化为目的的。关于第一点的高效率,内置的输出晶体管为ROHM独有的超级结
2019-07-11 04:20:12
射频功率放大器被广泛应用于各种无线通信设备中。在通讯基站中，线性功放占其成本比例约占1／3。高效率，低成本的解决功放的线性化问题显得非常重要。因此高效率高线性的功放一直是功放研究的热门课题。
2019-09-17 08:08:11
AP1684 Ac / Dc，高Pf，高效率LED驱动器控制器的典型应用。 AP1684是一款高性能AC / DC功率因数校正LED驱动器控制器，可驱动高压双极晶体管。该器件采用脉冲频率调制（PFM
2019-10-18 08:46:36
提供高效率，高增益和宽带功能使CGH40010非常适合线性和压缩放大器电路。 晶体管有旋入式，法兰式和焊锡药丸包装。高达6 GHz的运行2.0 GHz时16 dB小信号增益4.0 GHz时14 dB
2020-12-15 15:06:50
HEMT提供高效率，高增益和宽带功能使CGH40010非常适合线性和压缩放大器电路。 晶体管有旋入式，法兰式和焊锡药丸包装。 高达6 GHz的运行2.0 GHz时16 dB小信号增益4.0 GHz时14
2020-12-03 11:51:58
本文将对AB类与D类放大器进行比较，讨论D类放大器高效率实现原理，并解释了输出为脉宽调制（PWM）波形时还可通过扬声器听到正常声音的原因。
2021-06-04 06:37:20
`产品型号：IB3042-5产品名称：晶体管Integra于1997年由一些企业工程师发起，他们相信他们可以为新一代雷达系统设计人员提供创新的高性能RF功率晶体管解决方案。我们推向市场的款产品是采用
2019-04-15 15:12:37
：IB3042-5产品名称：晶体管Integra于1997年由一些企业工程师发起，他们相信他们可以为新一代雷达系统设计人员提供创新的高性能RF功率晶体管解决方案。我们推向市场的款产品是采用我们获得的新半导体
2019-05-14 11:00:13
电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【功率元器件的基本结构与特点
2019-05-06 05:00:17
PCB加工如何实现高精度和高效率的钻孔呢？有哪些方法和步骤呢？
2023-04-11 14:50:58
一、引言PNP 晶体管是双极结型晶体管（BJT）。PNP晶体管具有与NPN晶体管完全不同的结构。在PNP晶体管结构中，两个PN结二极管相对于NPN晶体管反转，使得两个P型掺杂半导体材料被一层薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
PT1301 小尺寸,高效率,低启动电压的升压 DC/DC 转换器 概述 PT1301 是一款最低启动电压可低于 1V 的小尺寸高效率升压 DC/DC 转换
2012-07-12 11:25:05
概述：RF2132是RF Micro Devices生产的一款高效率线性放大器。它采用先进的砷化镓异质结双极型晶体管(HBT)处理，设计用于双模式4节电池的CDMA／AMPS手持数字式蜂窝系统设备
2021-05-18 06:03:36
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-250H-R为S波段雷达应用提供2.7至2.9 GHz的高功率，高效率和更高的一致性，具有50V工作电压和高达120µsec脉冲宽度的脉冲条件
2021-03-30 11:14:59
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-600H-R为S波段雷达应用提供2.7至2.9 GHz的高功率，高效率和更高的一致性，具有50V工作电压和高达120µsec脉冲宽度的脉冲条件
2021-03-30 11:24:16
`SUMITOMO的SGNE045MKGaN-HEMT为具有50V工作电压的高功率L波段放大器提供了高效率，易于匹配，更高的一致性和更宽的带宽，并为您提供了更高的增益。该器件的目标应用是高电压的低
2021-03-30 11:32:19
%，这使得tgf2023-2-05适合高效率的应用。产品型号:TGF2023-2-05产品名称：碳化硅晶体管TGF2023-2-05产品特性频率范围：直流至18GHz43 dBm的名义PSAT在3
2018-11-15 11:52:42
69.5%，这使得tgf2023-2-10适合高效率的应用。产品型号:TGF2023-2-10产品名称：碳化硅晶体管TGF2023-2-10产品特性频率范围：直流至14千兆赫47.4 dBm的名义
2018-06-12 10:22:42
得tgf2023-2-10适合高效率的应用。产品型号:TGF2023-2-10产品名称：碳化硅晶体管TGF2023-2-10产品特性频率范围：直流至14千兆赫47.4 dBm的名义PSAT在3
2018-11-15 11:59:01
率附加效率为70.5%，这使得tgf2023-2-20适合高效率的应用.产品型号:TGF2023-2-20产品名称：碳化硅晶体管TGF2023-2-20产品特性频率范围：直流至14 GHz50.5
2018-06-22 11:09:47
功率增益13 dB的增益和55%的功率附加效率在1 dB压缩。这种性能使tgf2040适合高效率的应用。带有氮化硅的保护层提供了环境鲁棒性和划痕保护级别。产品型号：TGF2040产品名称：砷化镓晶体管
2018-07-18 12:00:19
TGF2954碳化硅晶体管产品介绍TGF2954报价TGF2954代理TGF2954TGF2954现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司TGF2954是离散的5.04毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:01:58
TGF2955碳化硅晶体管产品介绍TGF2955报价TGF2955代理TGF2955TGF2955现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司TGF2955是离散的7.56毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:06:57
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
本帖最后由 生还者 于 2020-8-20 03:57 编辑
《晶体管电路设计与制作》分为两部分。第一部分介绍单管和双管电路，主要目的是理解晶体管的基本工作机制。第二部分介绍各种晶体管应用电
2020-08-19 18:24:17
结合传统类型的射频功率放大器对开关E类射频功率放大器进行了探讨，并推导了具有并联电容结构的E类功放的各元器件的理论计算公式，选用了M／ACOM公司的MRFl66C型号的功率晶体管，并结合理论计算
2021-12-16 19:31:39
系统的老化问题。但是作为电子系统设计师或芯片设计工程师，我们知道这些电子系统芯片中的晶体管是会逐渐老化的。跟人和汽车一样，它们会慢慢变旧，反应变得迟缓，毛病越来越多，甚至突然崩溃死机。 晶体管BTI
2017-06-15 11:41:33
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
有两种主要类型：结型场效应管（JFET）和金属氧化物半导体场效应管（MOS-FET）。与BJT不同，FET仅由一个载流子组成，因此也称为单极晶体管。属于压控半导体器件，具有输入电阻高、噪声低、功耗低
2023-02-03 09:36:05
达林顿晶体管是一对双极晶体管，连接在一起，从低基极电流提供非常高的电流增益。输入晶体管的发射极始终连接到输出晶体管的基极;他们的收藏家被绑在一起。结果，输入晶体管放大的电流被输出晶体管进一步放大
2023-02-16 18:19:11
单相异步电机如何才能实现高效率的工作
2021-01-27 07:48:07
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。 按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用xxx表示，其中每一位都有特定含义：如 3 A X 31，第一位3代表三极管，2
2012-07-11 11:36:52
晶体管开关对电子产品至关重要。了解晶体管开关，从其工作区域到更高级的特性和配置。 晶体管开关对于低直流开/关开关的电子设备至关重要，其中晶体管在其截止或饱和状态下工作。一些电子设备（如 LED
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
开关二极管IN4148与电阻R1的作用是当晶体管VT1截止时，为反向基极电流提供一个低阻抗的通路。 加速电路三 在加速电路三中，并联在基极电阻RB两端的高速开关二极管IN4148的作用是当晶体管VT1截止时，为反向基极电流提供通路，迅速释放基极与发射极间电容储存的电量，加快晶体管的关闭。
2020-11-26 17:28:49
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
晶体管依照用途大致分为高频与低频，它们在型号上的大致区别是什么？例如《晶体管电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？
2017-10-11 23:53:40
% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V这一组最差数值代入式子②计算。根据下面的式子选择数字晶体管的电阻R1、R2，使数字晶体管的IC比使用设备上的最大输出电流Iomax大。∴ Iomax
2019-04-22 05:39:52
选定方法数字晶体管的型号说明IO和IC的区别GI和hFE的区别VI(on)和VI(off)的区别关于数字晶体管的温度特性关于输出电压 - 输出电流特性的低电流领域（数字晶体管的情况）关于数字晶体管
2019-04-09 21:49:36
了所谓的顶部朝下的方法，类似于把原件精确地蚀刻并固定在晶体管上的工业流程类似，由于兼容传统工艺，有望被业界采纳。新一代硅芯片将在明天问世，届时将采用垂直结构，而非平板设计，但由于硅的电子流动性有限，人们
2011-12-08 00:01:44
无线充电怎么提高效率呢，急需
2015-10-19 10:43:15
晶体管的半导体的电流由空穴（正极性）和电子（负极性）产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。FETField Effect Transistor的简称，是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
650V的MOSFET。根据应用程序的要求，开发人员可以针对最高效率，最大功率密度或两者之间的折衷。 由于其“0反向恢复”行为，GaN晶体管使得一些拓扑实际上可用，例如图腾柱PFC，其需要比传统
2023-02-27 15:53:50
效率和功率密度。GaN功率晶体管作为一种成熟的晶体管技术在市场上确立了自己的地位，但在软开关应用中通常不被考虑使用。虽然在硬开关应用中使用GaN可以显著提高效率，但软开关转换器（如LLC）对效率和频率
2023-02-27 09:37:29
10MHz频率，可承受100w,48V输入电压的高效率的高频驱动电路推荐。
2013-06-15 22:59:29
针对可靠的高功率和高频率电子设备，制造商正在研究氮化镓(GaN)来制造具有高开关频率的场效应晶体管(FET)由于硅正在接近其理论极限，制造商现在正在研究使用宽带隙(WBG)材料来制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
请问一下GaN器件和AMO技术能实现高效率和宽带宽吗？
2021-04-19 09:22:09
脉冲频率调制是什么？为什么要用脉冲频率调制（PFM）的功率特性来提高电源效率？与PWM模式比较，PFM模式有哪些优势？如何保持PFM模式低负载时的高效率？PFM模式采用了哪几种方法来提高低负载时的效率？
2021-04-15 06:37:51
怎样去设计一种高效率音频功率放大器？如何对高效率音频功率放大器进行测试验证？
2021-06-02 06:11:23
摘要新一代CoolMOS™ 650V CFD2技术为具备高性能体二极管的高压功率MOSFET树立了行业新杆标。该晶体管将650V的击穿电压、超低通态电阻、低容性损耗特性与改进反向恢复过程中的体二极管
2018-12-03 13:43:55
20 V、5.8 A NPN 低 VCEsat 晶体管-PBSS302NZ
2023-02-07 19:08:25
0 20 V、5.8 A NPN 低 VCEsat 晶体管-PBSS302NZ-Q
2023-02-07 19:08:440 150 V、1 A PNP 高压低 VCEsat 晶体管-PBHV9115T
2023-02-07 19:10:210 20 V、3 A PNP 低 VCEsat 晶体管-PBSS5320T
2023-02-07 19:16:410 40 V、2 A PNP 低 VCEsat 晶体管-PBSS5240T
2023-02-07 19:18:310 100 V、1 A NPN 低 VCEsat 晶体管-PBSS8110T
2023-02-07 19:24:200 50 V、3 A PNP 低 VCEsat 晶体管-PBSS5350T
2023-02-07 19:24:370 50 V、3 A PNP 低 VCEsat 晶体管-PBSS5350D
2023-02-07 19:25:420 150 V、1 A NPN 高压低 VCEsat 晶体管-PBHV8115T
2023-02-07 19:25:530 50 伏；3 A NPN 低 VCEsat 晶体管-PBSS4350T
2023-02-07 19:27:140 100 V、1 A PNP 低 VCEsat 晶体管-PBSS9110T
2023-02-07 19:28:030 40 V 低 VCEsat PNP 晶体管-PBSS5240V
2023-02-07 19:56:260 60 V、1 A NPN 低 VCEsat (BISS) 晶体管-PBSS4160V
2023-02-07 19:56:550 15 V低VCEsat PNP双晶体管-PBSS3515VS
2023-02-07 19:58:010 60 V、7 A NPN 低 VCEsat 晶体管-PBSS4041NZ-Q
2023-02-07 20:16:300 60 V、5.7 A PNP 低 VCEsat 晶体管-PBSS4041PZ-Q
2023-02-07 20:16:410 50 V、3 A PNP 低 VCEsat 晶体管-PBSS5350Z-Q
2023-02-08 19:22:030 20 V、2 A PNP 低 VCEsat 晶体管-PBSS5220T-Q
2023-02-09 19:21:240 20 V、3 A PNP 低 VCEsat 晶体管-PBSS5320T-Q
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2023-02-09 21:16:550 50 V、3 A NPN 低 VCEsat 晶体管-PBSS4350X
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2023-02-14 19:20:270 40 V 低 VCEsat PNP 晶体管-PBSS5540Z-Q
2023-02-15 18:44:480 40 V 低 VCEsat PNP 晶体管-PBSS5540Z
2023-02-20 19:37:000 30 伏；1 个 PNP 低 VCEsat (BISS) 晶体管-PBSS5130T
2023-03-03 20:09:080 中功率负载开关应用中的低 VCEsat 晶体管-AN10909
2023-03-03 20:10:270
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