最近几个月出现出现两例故障，充电器产品用了芯片STM32F051K8U6，都能正常工作一段时间，但用了几个月后突然无法充电；
充电器的充电芯片STM32F051K8U6的第4引脚（NRST）一直处于
2024-03-21 07:04:09
请问STM32L051C8TX系列芯片RTC的外部供电引脚是哪个？我需要在断电的情况下RTC能够使用纽扣电池进行供电
2024-03-20 06:30:54
。首先，让我们了解一下NY8A051G单片机。这款单片机是九齐科技基于8051核心架构开发的一款高性能、低功耗的微控制器。它拥有丰富的外设接口和强大的功能，适用于多种
2024-03-11 22:03:16
NY8A051H是IO型消费类低单价8bit九齐单片机，有6个IO口，1K ROM，带一路PWM，内建LVR。最简单的IO型低单价单片机。可以兼容远翔飞凌单片机，应广单片机，晟矽微单片机，芯圣单片机
2023-12-21 18:53:26
最高48MHz。芯片有TSSOP20, QFN20两种封装类型。PY32L020 单片机集成I2C、SPI、USART 等通讯外设，1 路 12bit ADC，2 个 16bit 定时器，一个低功耗
2023-12-20 16:02:38
STM32单片机是由意法半导体公司（STMicroelectronics）推出的一种高性能、低功耗的微控制器。它具有丰富的外设功能和强大的处理能力，广泛应用于各种嵌入式系统的开发中。 在STM32
2023-12-07 16:22:07
5125 九齐单片机 MCU芯片 NY8A051G SOP8 九齐芯片 内置晶振一、九齐单片机MCU芯片概述九齐单片机MCU芯片是一款适用于多种应用领域的芯片，其型号为NY8A051G SOP8，内置晶振
2023-11-27 21:49:31
九齐8位单片机NY8A054E型号MCU芯片一、概述九齐8位单片机NY8A054E是一款高性能、低成本的MCU芯片，采用CMOS工艺制造，具有丰富的外设和存储器资源，适用于多种低功耗应用场景。该芯片
2023-11-27 21:41:28
NY8B062D九齐单片机是一款8位MCU微控制器芯片，具有高性能、低功耗、高集成度等特点，适用于各种嵌入式控制系统和智能设备。一、NY8B062D九齐单片机特点1.高性能：NY8B062D采用8位
2023-11-27 21:38:47
一、NY8B062M型号单片机NY8B062M是一款由台湾九齐（Joystick）公司生产的8位AD单片机，具有高性能、低功耗、高集成度等特点。该单片机采用CMOS技术，内核采用8051微处理器
2023-11-27 21:34:18
九齐单片机NY8B072A SOP20 NY九齐单片机NY8B072A SOP20 NY是一款基于ARM Cortex-M0内核的微控制器，具有高性能、低功耗、高集成度等特点，适用于各种嵌入式应用场
2023-11-27 21:31:12
FT60F112A-RB是一款高性能、低功耗的8051单片机MCU，采用FMD辉芒微的SOP14封装形式，内置256Byte Flash存储器。该芯片具有丰富的外设和高速数
2023-11-27 21:15:51
FLASH单片机ES7P1793F8SF是一款非常实用的芯片，它具有8位处理器和闪存存储器，可以快速、高效地处理数据和控制设备。它是一种低成本的解决方案，适用于许多嵌入式系统应用，如智能家居、工业
2023-11-27 20:58:46
在当今的电子世界中，单片机作为控制核心发挥着越来越重要的作用。其中，8位FLASH单片机HR7P169BFGSF凭借其高性能、大容量、高可靠性和易于编程等优点，广泛用于智能家居、工业控制、消费电子等
2023-11-27 20:47:47
——HR7P169BFGSD。二、HR7P169BFGSD简介HR7P169BFGSD是一款基于8051内核的8位FLASH单片机，具有高性能、高速度、低功耗等特点。它内置了
2023-11-27 20:45:04
8位FLASH单片机HR7P169BFGNF是一款高性能、低成本的嵌入式系统芯片，采用CMOS工艺，具有丰富的外设和存储器资源，适用于多种应用场景。下面将从以下几个方面介绍该芯片的特点和优势。一
2023-11-27 20:36:19
一、概述九齐单片机NY8B062F是一种多功能8位单片机，采用先进的CMOS工艺，具有低功耗、高速度、高可靠性等特点。芯片内置丰富的外设和存储器资源，包括8位CPU、时钟发生器、PWM模块、I/O
2023-11-27 18:34:21
51单片机寄存器定义的头文件 sbit sound=P3^7; //将sound位定义为P3.7引脚
/ 函数功能：主函数
/ void main(void)
{
// EA=1; //开总中断
2023-11-21 12:00:50
请问一下大家，STM8L051在wait mode低功耗的模式下，RTC是否可以正常工作，我现在用中断唤醒休眠，但是RTC无法正常工作？（RTC时钟用的HSI时钟。）
2023-11-08 06:21:17
低功耗单片机，怎么仿真
2023-10-20 06:32:01
MCU，价格堪比八位单片机，性价比极高。
PY32F002B有还有着 Sleep/Stop 两种低功耗模，支持上电/掉电复位 (POR/PDR)，掉电检测复位 (BOR)。多个定时器：1 个 16 位
2023-10-19 14:55:34
本文档描述了的功能、引脚、机械数据和订购信息中密度STM8L15x器件（STM8L151Cx/Kx/Gx、STM8L152Cx/Kx具有16K字节或32K字节闪存密度的微控制器）。这些设备在
2023-10-10 08:25:55
STM8L051F3用什么软件做开发？KEIL可以吗？
2023-09-27 06:04:23
为什么STM32F446的引脚外设功能机制不能remap没有引脚默认的第二功能这个说法呢？
2023-09-26 07:53:04
STC8 系列单片机是不需要外部晶振和外部复位的单片机，是以超强抗干扰/超低价/高速/低功耗为目标的 8051 单片机，在相同的工作频率下，STC8 系列单片机比传统的 8051 约快 12 倍
2023-09-26 07:36:13
PIC16(L)F18324/18344单片机具有模拟外设、独立于内核的外设和通信外设，结合超低功耗（eXtreme Low Power，
XLP）技术，适合各种通用和低功耗应用。外设引脚选择
2023-09-25 11:06:30
0 STC8H 系列单片机是不需要外部晶振和外部复位的单片机，是以超强抗干扰/超低价/高速/低功耗为目标的 8051 单片机，在相同的工作频率下，STC8H 系列单片机比传统的 8051 约快 12 倍
2023-09-19 06:54:35
描述HC18P23xL是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机，内部8K×16位一次性编程ROM(OTP-ROM)，512×8位的数据寄存器（RAM），6组双向I/O口
2023-08-24 15:05:51
描述HC18P23xL是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机，内部8K×16位一次性编程ROM(OTP-ROM)，512×8位的数据寄存器（RAM），6组双向I/O口
2023-08-24 14:51:24
描述HC16P122A1/B1是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机，内部有2K×16位一次性编程ROM(OTP-ROM)，256×8位的数据寄存器（RAM），2组双向I
2023-08-23 17:48:43
描述HC16P122A1/B1是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机，内部有2K×16位一次性编程ROM(OTP-ROM)，256×8位的数据寄存器（RAM），2组双向I
2023-08-23 17:28:33
HC88L051F4系列是芯圣低功耗FLASHMCU产品，集成1T8051内核，掉电模式功耗小于1μA。拥有16K的Flash内存以及1K+256Bytes的RAM。HC88L051F4系列拥有
2023-08-02 15:25:10705 
HC18P110A0/B0是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片 机，内部有1K*14位一次性编程ROM(OTP-ROM)，128*8位的数据寄存器（RAM），两个双 向I
2023-07-28 16:38:32
HC18P110A0/B0是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片 机，内部有1K*14位一次性编程ROM(OTP-ROM)，128*8位的数据寄存器（RAM），两个双 向I
2023-07-28 16:32:49
HC18P110A0/B0是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片 机，内部有1K*14位一次性编程ROM(OTP-ROM)，128*8位的数据寄存器（RAM），两个双 向I
2023-07-28 16:24:56
HC18P23xL是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机，内部8K×16 位一次性编程ROM(OTP-ROM)，512×8位的数据寄存器（RAM），6组双向I/O口，三个
2023-07-28 16:20:18
HC18P018A0是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机，内置大功率1A NMOS管3个，大电流可配置。同时集成充电管理功能，过温保护。内部有1K×14位一次性编程
2023-07-28 16:16:36
HC89S003A 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部有 16KBytes FLASH 程序存储器，256Bytes IRAM+768Bytes XRAM，最多
2023-07-28 15:59:16
HC89S003A 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部有 16KBytes FLASH 程序存储器，256Bytes IRAM+768Bytes XRAM，最多
2023-07-28 15:51:11
HC89F0431A/0421A/0411A 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内 部有 16K Bytes FLASH 程序存储器，256Bytes
2023-07-28 15:47:19
HC89F0431A/0421A/0411A 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内 部有 16K Bytes FLASH 程序存储器，256Bytes
2023-07-28 15:43:46
HC89F0431A/0421A/0411A 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内 部有 16K Bytes FLASH 程序存储器，256Bytes
2023-07-28 15:41:24
HC89F0431A/0421A/0411A 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内 部有 16K Bytes FLASH 程序存储器，256Bytes
2023-07-28 15:36:55
HC89S103K6 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部有 32K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 1K Bytes
2023-07-28 15:15:39
HC89S105A 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部最多 64K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 4K Bytes
2023-07-28 15:11:21
HC89S105A 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部最多 64K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 4K Bytes
2023-07-28 14:56:20
HC89S105A 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部最多 64K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 4K Bytes
2023-07-28 14:53:17
HC89F3541/3531/3421 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位触摸单片机，内部 有 32K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM
2023-07-28 14:46:29
HC89F3541/3531/3421 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位触摸单片机，内部 有 32K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM
2023-07-28 14:43:13
HC89F3541/3531/3421 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位触摸单片机，内部 有 32K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM
2023-07-28 14:24:20
HC89F3541/3531/3421 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位触摸单片机，内部 有 32K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM
2023-07-28 14:19:57
HC89F3541/3531/3421 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位触摸单片机，内部 有 32K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM
2023-07-28 14:17:03
HC89F3650 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部最多 64K BytesFLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 2K Bytes
2023-07-28 14:02:00
HC88L051F4 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部有 16K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 1024 Bytes
2023-07-28 10:25:54
HC88L051F4 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部有 16K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 1024 Bytes
2023-07-28 10:15:10
HC89S003A/001A 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部有 16KBytes FLASH 程序存储器，256Bytes IRAM+768Bytes
2023-07-28 10:04:05
HC89F0332/0322/0312 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部有 8K Bytes FLASH 程序存储器，256Bytes
2023-07-28 09:52:06
HC89F0332/0322/0312 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部有 8K Bytes FLASH 程序存储器，256Bytes
2023-07-28 09:45:19
HC89F0332/0322/0312 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部有 8K Bytes FLASH 程序存储器，256Bytes
2023-07-28 09:37:29
HC89F0541/0531 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部有 32K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 1K
2023-07-28 09:05:42
HC89F0541/0531 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部有 32K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 1K
2023-07-27 16:28:42
HC89F0541/0531 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部有 32K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 1K
2023-07-27 16:20:21
HC89F0541/0531 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部有 32K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 1K
2023-07-27 16:17:11
HC89F0541/0531 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部有 32K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 1K
2023-07-27 16:01:33
HC89F30xC 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位触摸单片机，内部有 16K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 512 Bytes
2023-07-27 15:30:26
HC89F30xC 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位触摸单片机，内部有 16K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 512 Bytes
2023-07-27 15:18:00
HC89F30xC 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位触摸单片机，内部有 16K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 512 Bytes
2023-07-27 14:49:39
HC89F30xC 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位触摸单片机，内部有 16K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 512 Bytes
2023-07-27 14:42:27
HC89F3541B/3531B/3421B 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位触摸单片机， 内部有 32K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes
2023-07-27 14:25:00
HC89F3541B/3531B/3421B 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位触摸单片机， 内部有 32K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes
2023-07-27 14:21:51
HC89F3541B/3531B/3421B 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位触摸单片机， 内部有 32K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes
2023-07-27 14:18:22
HC89F3541B/3531B/3421B 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位触摸单片机， 内部有 32K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes
2023-07-27 14:13:43
HC89F3541B/3531B/3421B 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位触摸单片机， 内部有 32K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes
2023-07-27 14:00:25
HC89F3541B/3531B/3421B 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位触摸单片机， 内部有 32K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes
2023-07-27 13:41:49
HC89F3541B/3531B/3421B 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位触摸单片机， 内部有 32K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes
2023-07-27 13:36:51
HC89F3541B/3531B/3421B 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位触摸单片机， 内部有 32K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes
2023-07-27 13:31:22
HC88T36x1是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位触摸单片机，内部有64K Bytes FLASH程序存储器，256 Bytes IRAM和2K Bytes XRAM，最多59个
2023-07-27 13:22:23
HC88T36x1是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位触摸单片机，内部有64K Bytes FLASH程序存储器，256 Bytes IRAM和2K Bytes XRAM，最多59个
2023-07-27 13:14:25
HC88T36x1是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位触摸单片机，内部有64K Bytes FLASH程序存储器，256 Bytes IRAM和2K Bytes XRAM，最多59个
2023-07-27 13:10:53
HC16P122A1/B1是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机，内部有 2K×16位一次性编程ROM(OTP-ROM)，256×8位的数据寄存器（RAM），2组双向I
2023-07-26 15:54:01
HC18P015B0是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机，内有1K*14 位一次性可编程ROM（OTP-ROM），64×8位的数据存储器（RAM），两组双向I/O口，2个8位定时器/ 计数器，5路PWM，多级LVD检测。这款单片机可以广泛应用于简单控制和小家电等产品。
2023-07-26 15:36:14
HC18P015B0是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机，内有1K*14 位一次性可编程ROM（OTP-ROM），64×8位的数据存储器（RAM），两组双向I/O口，2个8位定时器/ 计数器，5路PWM，多级LVD检测。这款单片机可以广泛应用于简单控制和小家电等产品。
2023-07-26 15:18:51
HC18P13xL是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机，内部有4K×16 位一次性编程ROM(OTP-ROM)，256×8位的数据寄存器（RAM），4组双向I/O口
2023-07-26 10:49:11
HC18P13xL是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机，内部有4K×16 位一次性编程ROM(OTP-ROM)，256×8位的数据寄存器（RAM），4组双向I/O口
2023-07-26 10:37:39
HC89F3650是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位单片机，内部最多64KBytesFLASH程序存储器，256BytesIRAM和2KBytesXRAM，46/42个双向
2023-07-26 09:34:330 HC88L051F4是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位单片机，内部有16KBytesFLASH程序存储器，256BytesIRAM和1024BytesXRAM，最多18个双向
2023-07-26 09:25:410 APT32F1023H8S6（SSOP-24封装）MCU是由爱普特微电子推出的基于平头哥半导体RISC-V内核开发的32位高性能、低成本单片机，最近有个项目需要用到其超低功耗待机和RTC中断唤醒功能
2023-06-26 05:09:10
描述HC16P122A1/B1是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机，内部有2K×16位一次性编程ROM(OTP-ROM)，256×8位的数据寄存器（RAM），2组双向I
2023-06-02 09:52:41
描述HC18P23xL是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机，内部8K×16位一次性编程ROM(OTP-ROM)，512×8位的数据寄存器（RAM），6组双向I/O口
2023-06-02 09:41:07
描述HC18P13xL是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机，内部有4K×16位一次性编程ROM(OTP-ROM)，256×8位的数据寄存器（RAM），4组双向I/O口
2023-06-01 17:48:13
应用领域：
64KB Flash，主频64MHz，单周期乘法器，高速通信接口，RTC等丰富的外设资源，主要用于消费电子、医疗健康、家用电器、测量仪器、工业控制等领域。CMS32L051系列MCU是中
2023-05-25 09:23:54
HC89F3541/3531/3421 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位触摸单片机，内部
有 32K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM
2023-05-23 11:02:57581 
HC89S003A/001A 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部有 16K
Bytes FLASH 程序存储器，256Bytes IRAM+768Bytes
2023-05-22 10:34:14774 
HC89S001P 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部有 12K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 256 Bytes
2023-05-19 15:59:37516 
HC88L051F4 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部有 16K Bytes
FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 1024
2023-05-19 11:04:57381 
/stop 低功耗工作模式，可以满足不同的低功耗应用。*附件：PY32F002B datasheet V0.4.pdf
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PY32F002B单片机特性：
**内核 **32 位ARM Cortex
2023-05-18 16:25:23
CMS79F623单片机为中微半导体自主8位RISC内核单片机，工作电压1.8V~5.5V,提供4Kx16ROM、344x8 RAM、128x8 Pro EE、ADC、PWM、2路运算放大器, 1路
2023-03-28 09:23:02
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