英飞凌工业半导体文章

• 新品 | 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 H72023-03-28 16:41

  

  新品1200VTRENCHSTOPIGBT7H740-140A1200V的TRENCHSTOPIGBT7H7，TO-247封装分立器件，旨在满足光伏、不间断电源和电池充电的应用。产品特点得益于著名的英飞凌出色VCEsat特性TRENCHSTOP技术高速开关，低EMI辐射针对目标应用的优化二极管，实现了低Qrr可选择较低的栅极电阻（低至5Ω），同时保持出色的开

  1200V IGBT 1668浏览量

• 是时候从Si切换到SiC了吗？2023-03-28 16:41

  

  作者简介作者：UweJansen翻译：陈子颖在过去的几年里，碳化硅(SiC)开关器件，特别是SiCMOSFET，已经从一个研究课题演变成一个重要的商业化产品。最初是在光伏（PV）逆变器和电池电动车（BEV）驱动系统中采用，但现在，越来越多的应用正在被解锁。在使用电力电子器件的设备和系统设计中都必须评估SiC在系统中可能的潜力，以及利用这一潜力的最佳策略是什么

  SiC 碳化硅 1006浏览量

• 新品 | 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 S72023-03-28 16:41

  

  新品1200VTRENCHSTOPIGBT7S78-120A1200V的TRENCHSTOPIGBT7S7，TO-247封装分立器件，可快速、方便地替换上一代T2芯片产品系列产品型号：IGQ120N120S7IGQ100N120S7IGQ75N120S7IKQ120N120CS7IKQ75N120CS7IKZA40N120CS78-120A1200V的TRE

  IGBT 分立器件 2427浏览量

• 新品 | X3 Compact POLARIS 1ED314x - 6.5A, 3kVrms单通道隔离栅极驱动器2023-03-28 16:41

  

  新品X3CompactPOLARIS(1ED314x)-6.5A,3kV(rms)单通道隔离栅极驱动器X3Compact(1ED31xx)隔离栅极驱动器系列，容易使用，最近发布的栅极驱动器系列又增加了一个新的产品系列，DSO-8150mil窄体封装（1ED314x），带一个米勒钳位选项。相关器件：1ED3140MU12F1ED3141MU12F1ED3142

  栅极 驱动器 2747浏览量

• SiC MOSFET的短沟道效应2023-03-28 16:40

  

  原文标题：PracticalAspectsandBodyDiodeRobustnessofa1200VSiCTrenchMOSFET原文作者：ThomasBasler原文发表在PCIMEurope2018,5–7June2018,NurembergSiIGBT和SiC沟槽MOSFET之间有许多电气及物理方面的差异，PracticalAspectsandBod

  MOSFET SiC 2313浏览量

• 新品 | 光伏用1200V CoolSiC™ Boost EasyPACK™模块2023-03-28 16:40

  

  新品光伏用1200VCoolSiCBoostEasyPACK模块光伏用1200VCoolSiCBoostEasyPACK模块，采用M1H芯片，导通电阻8-17毫欧五个规格，PressFIT压接针和NTC。产品型号：DF17MR12W1M1HDF16MR12W1M1HDF14MR12W1M1HDF11MR12W1M1HDF8MR12W1M1H产品特点Best-

  光伏 模块 1227浏览量

• HV SJ MOSFET工作在第三象限时电流路径探究2023-03-15 22:10

  

  熊康明英飞凌电源与传感系统事业部主任工程师1引言相信各位工程师在日常的电源设计中，当面对ZVS的场景时，经常会有如下的困惑：比如大名鼎鼎的LLC，工作在死区时，MOSFET寄生二极管续流，当完成了对结电容的充放电之后，再打开MOSFET以降低器件的损耗。细心的工程师可能就会发现一个有趣的问题，我们这里拿IPW60R024CFD7举例说明，假设死区时刻，流过二

  MOSFET 二极管 电流 3283浏览量

• 新品 | EVAL-IMI111T-026 iMOTION™带有微控制器、栅极驱动器的2A 600V IPM评估板2023-03-15 22:10

  

  新品EVAL-IMI111T-026iMOTIONiMOTION集成了电机控制器、三相栅驱动器2A600VIPM评估板，目标应用为家用空调室内风机，吊扇和小电机驱动。产品型号：EVAL-IMI111T-026，2A600VIPM的评估板EVAL-IMI111T-026是一个用于iMOTIONIMI111T-026HIPM的启动套件。IMI111T-026H器

  控制器 评估板 驱动器 1985浏览量

• 如何通过改进IGBT模块布局来克服芯片缩小带来的热性能挑战2023-03-15 22:09

  

  作者简介作者：JanBaurichter翻译：赵佳尺寸和功率往往看起来像是硬币的两面。当你缩小尺寸时--这是我们行业中不断强调的目标之一--你不可避免地会降低功率。但情况一定是这样吗？如果将我们的思维从芯片转移到模块设计上，就不需要抛硬币了。在IGBT模块中，芯片面积减小导致了热阻抗的增加，进而影响性能。但是，由于较小的芯片在基板上释放了更多的空间，因此有可

  IGBT 芯片 1790浏览量

• 如何通过优化模块布局解决芯片缩小带来的电气性能挑战2023-03-15 22:09

  

  在本文的第一部分——《如何通过改进IGBT模块布局来克服芯片缩小带来的热性能挑战》，我们提到尺寸和功率往往看起来像硬币的两面。当你缩小尺寸时，你不可避免地会降低功率。在那篇文章中，我们介绍了芯片缩小对热性能的影响，以及如何通过优化芯片位置和模块布局来减轻这种影响。现在，让我们来看看我们如何能够改善电气性能。同样，我们将以采用TRENCHSTOPIGBT7技术

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