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英飞凌工业半导体

同名公众号致力于打造电力电子工程师园地,英飞凌功率半导体产品、技术和应用的交流平台,包括工程师应用知识和经验分享,在线课程、研讨会视频集锦。

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英飞凌工业半导体文章

  • 扩展 IGBT7 产品组合,实现bast-in-Class功率密度2023-12-11 17:31

    我们已经介绍过关于采用标准TO-247封装的1200VTRENCHSTOPIGBT7S7加EC7二极管续流产品的优点。秉承"越多越好"的宗旨,英飞凌最近拓展了IGBT7和EC7技术的产品系列,其新封装形式一定程度上丰富了其市场价值主张。图1显示了目前可用的分立产品组合,重点如下:1.采用TO-247PLUS封装可实现高功率密度,可用于商用车和农用车(CAV)
    IGBT 二极管 英飞凌 1393浏览量
  • 感应加热原理与IGBT应用拓扑分析(上)2023-12-09 08:14

    经常遇到很多同事和朋友问:为什么电磁炉和电饭煲要用到IGBT,这种应用的IGBT需要有什么特点?今天我们就给大家详细解释感应加热的原理和感应加热的拓扑分析。在理解电磁感应加热的原理之前,先问自己一个问题,假如这个世界上没有电磁炉,你要烧开一锅水,会怎么做?最常见的方式,就是点燃炉灶,把锅架在火上。图1.传统燃气加热然而这种方法是间接的加热方式,先由热源加热锅
    IGBT 感应加热 电磁 2486浏览量
  • 英飞凌推出全新62mm封装CoolSiC产品组合,助力实现更高效率和功率密度2023-12-02 08:14

    英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用新推出的增强型M1H碳化硅(SiC)MOSFET芯片,采用成熟的62mm封装的半桥模块。该封装使SiCMOSFET能够应用于250kW以上的中等功率等级应用,而传统IGBT硅技术在这一功率等级应
    SiC 封装 英飞凌 1832浏览量
  • 英飞凌EiceDRIVER™技术以及应对SiC MOSFET驱动的挑战2023-12-01 08:14

    碳化硅MOSFET导通损耗低,开关速度快,dv/dt高,短路时间小,对驱动电压的选择、驱动参数配置及短路响应时间都提出了更高的要求。英飞凌零碳工业功率事业部产品工程师郑姿清女士,在2023IPAC英飞凌工业功率技术大会上,发表了《英飞凌EiceDRIVER技术以及应对SiCMOSFET驱动的挑战》的演讲,详细剖析了SiCMOSFET对驱动芯片的需求,以及我们
    MOSFET SiC 英飞凌 驱动 2587浏览量
  • 增强型M1H CoolSiC MOSFET的技术解析及可靠性考量2023-11-28 08:13

    碳化硅MOSFET在材料与器件特性上不同于传统硅,如何保证性能和可靠性的平衡是所有厂家需要面对的首要问题,英飞凌作为业界为数不多的采用沟槽栅做SiCMOSFET的企业,如何使用创新的非对称沟槽栅既解决栅极氧化层的可靠性问题、又提高了SiCMOSFET的性能?增强型M1HCoolSiC芯片又“强“在哪里?英飞凌零碳工业功率事业部高级工程师赵佳女士,在2023英
    MOSFET SiC 碳化硅 1936浏览量
  • 英飞凌推出面向高能效电源应用的分立式650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7新品2023-11-21 08:14

    英飞凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品,进一步扩展其TRENCHSTOPIGBT7产品阵容。全新器件配新一代发射极控制的EC7续流二极管,以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求。TRENCHSTOPIGBT7H7采用最新型微沟槽栅技术,具有出色的控制和性能,能够大幅降低损耗,提高效率和功率密度。因此,该半导体器件适合用于各种应用,如组串式逆变器
    IGBT 电源 英飞凌 1243浏览量
  • 英领绿色能源|产学联动,探讨实现“双碳”更优解2023-11-19 08:13

    作为全球功率半导体的市场领导者英飞凌推出“英飞凌绿色能源”系列线上圆桌11月21日第一期上线现在开约!双碳,一个持续热门的话题,可谓宏大而复杂。为了理清该领域的最新发展逻辑,从产业宏观和底层科技综合视角来探讨实现“双碳”目标的更快路径,2023年尾声,英飞凌推出“英飞凌绿色能源”系列线上圆桌直播活动,结合产业热点,打造业界独家栏目!在这档栏目中,通过研究“双
  • 产学联动,探讨实现“双碳”更优解2023-11-17 08:14

    作为全球功率半导体的市场领导者英飞凌推出“英飞凌绿色能源”系列线上圆桌11月21日(下周二)第一期上线现在开约!双碳,一个持续热门的话题,可谓宏大而复杂。为了理清该领域的最新发展逻辑,从产业宏观和底层科技综合视角来探讨实现“双碳”目标的更快路径,2023年尾声,英飞凌推出“英飞凌绿色能源”系列线上圆桌直播活动,结合产业热点,打造业界独家栏目!在这档栏目中,通
    功率半导体 英飞凌 696浏览量
  • 碳化硅 MOSFET 给电力电子系统带来哪些创新设计2023-11-17 08:14

    我们常说,一代电力电子器件决定一代系统设计。那么,基于宽禁带半导体材料的SiCMOSFET的出现,将给电力电子系统设计带来哪些颠覆性的改变?英飞凌零碳工业功率事业部技术总监沈嵩先生,在2023英飞凌工业功率技术大会(IPAC)上,发表了《CoolSiCMOSFET赋能电力电子系统的创新设计》的演讲,点击视频可观看回放。点击上方视频即可进行观看对于不方便看视频
    MOSFET SiC 碳化硅 1625浏览量
  • 一步步纠正关于SiC MOSFET短路认知误区2023-11-06 08:14

    本期是和ChatGPT辩论的第五回合,英飞凌赵工出场了(第四回合回顾)。赵工内心OS:往期虽然ChatGPT有时表现得可圈可点,但有时也不知所云。都说人工智能模型需要训练,它会自我学习迭代。不如今天来刻意训练一下ChatGPT,或许就能获得一只精通功率器件的AI,将来就能替我回复客户问题?Q为什么SiCMOSFET的短路时间通常比IGBT短?SiCMOSFE
    MOSFET SiC 功率半导体 1246浏览量