英飞凌工业半导体文章

• 高集成度功率电路的热设计挑战2022-04-15 01:29

  

  前言目前随着科学技术和制造工艺的不断发展进步，半导体技术的发展日新月异。对于功率半导体器件而言，其制造工艺也同样是从平面工艺演变到沟槽工艺，功率密度越来越高。目前功率半导体器件不仅是单一的开关型器件如IGBT或MOSFET器件类型，也增加了如智能功率模块IPM等混合型功率器件类型。在IPM模块中既集成有功率器件，还集成了驱动器和控制电路IC，这样的功率半导体

  MOSFET 半导体技术 功率电路 3087浏览量

• 隔离型驱动的新势力：英飞凌无磁芯变压器(CT:Coreless Transformer)隔离型驱动2022-04-12 01:27

  

  一提到隔离型驱动，不少硬件研发工程师就会先入为主想到光耦。可光耦真的是唯一选择吗？伴随着全球电气化和数字化的趋势，电力电子技术的发展也日新月异：功率器件开关频率进一步提高，宽禁带器件使用方兴未艾，终端应用环境更加复杂恶劣，这些都对隔离型驱动的性能和可靠性提出了全新的挑战。而英飞凌隔离型驱动的超强性能正好满足了这些挑战：＋无磁芯变压器隔离技术基于磁耦合的电气隔

  英飞凌 驱动器 2416浏览量

• 如何正确理解功率循环曲线2022-04-08 01:25

  

  近年来IGBT的可靠性问题一直受到行业的广泛关注，特别是风力发电、轨道交通等应用领域。IGBT的可靠性通常用以芯片结温变化为衡量目标的功率循环曲线和基板温度变化为衡量目标的温度循环曲线来评估。引起IGBT可靠性问题的原因主要是IGBT是由多种膨胀系数不同的材料焊接在一起，工作过程中温度的变化会引起结合点的老化，以及绑定线在工作过程中热胀冷缩；另外绑定线的成分

  IGBT 2916浏览量

• SiC，30年意味着什么？2022-04-07 01:25

  

  沈璐英飞凌工业功率控制事业部大中华区高级市场总监一直以来英飞凌都在积极推进创新，在功率器件领域的创新使得我们已经连续18年位列市场份额第一。无论是从创新还是从企业社会责任角度出发，英飞凌都会不遗余力地在碳化硅领域做出自己的贡献。据Yole预测，碳化硅市场规模有望在2025年超过25亿美金，年复合增长率超过30%，其中可再生能源和新能源汽车等都是碳化硅极有前景

  英飞凌 SiC 1649浏览量

• 绝缘体上硅（SOI）驱动芯片技术优势及产品系列2022-04-02 01:41

  

  在之前的技术文章中，介绍了驱动芯片的概览和PN结隔离(JI)技术，本文会继续介绍英飞凌的绝缘体上硅（SOI）驱动芯片技术。高压栅极驱动IC的技术经过长期的发展，走向了绝缘体上硅（silicon-on-insulator，简称SOI），SOI指在硅的绝缘衬底上再形成一层薄的单晶硅，相对于传统的导电型的硅衬底，它有三层结构，第一层是厚的硅衬底层，用于提供机械支撑

  芯片 SOI 2731浏览量

• 新品 | 通用分立功率半导体测试评估平台2022-04-01 01:23

  

  活动预告今天下午晚4点（北京时间），英飞凌将于线上举办“工业宽禁带半导体开发者论坛”。活动将持续6个小时，更有英飞凌总部资深专家从技术和应用角度深度解析宽禁带半导体，与大家共同迎接新器件的设计挑战！（详情请戳：报名|工业宽禁带半导体开发者论坛）快扫描下方二维码报名活动，并获取详细论坛议程吧！（论坛为英文演讲）新品通用分立功率半导体测试评估平台型号为EVAL_

  测试 半导体 1615浏览量

• 追风逐日，一文读懂英飞凌绿色能源战略2022-03-29 01:26

  

  不断提高可再生能源在我国能源结构中的比重，不断推进各行各业节能减排的进程，是实现中国政府提出的30/60目标的两大必要条件。作为全球功率半导体领军企业，英飞凌非常看好新能源行业未来的发展前景，并正积极参与其中。千万里“风”“光”，点亮千万家灯火刚刚结束的北京2022年冬奥会和冬残奥会，让北京作为全球首个“双奥之城”享誉世界。在此光环背后，更值得我们关注和自豪

  能源 1266浏览量

• 新品 | iMOTION™ 电机驱动控制和功率板应用设计套件（MADK）2022-03-26 01:34

  

  新品EVAL-M7-D111TiMOTION模块化应用设计套件（MADK）系列中，新推出的iMOTION驱动器（带电机控制器和功率器件驱动器），其带先进的运动控制引擎（MCE），能够实现最先进的无传感器（FOC），而不再需要编程。EVAL-M7-D111T是用于iMOTION模块化应用设计套件（MADK）平台的控制板。它采用IMD111T-6F040iMOT

  英飞凌 电机驱动 2634浏览量

• IPOSIM的今昔——从器件级的计算到基于系统的仿真2022-03-25 01:18

  

  选择合适的功率半导体器件是功率电路设计的核心，需要通过计算获得器件的损耗、系统温度，有时还需要估算器件的寿命。这是个系统工程，一般需要专业团队和多种仿真软件实现。这对于大多数的设计团队的项目很难实现，为此英飞凌25年前就提供的基于器件的损耗和温度计算工具IPOSIM，这一平台发展到今天已经实现基于英飞凌器件模型库和PLECS的云仿真。IPOSIM的诞生IPO

  仿真 1760浏览量

• 基于PN结隔离(JI)技术的驱动芯片简介及设计指导2022-03-24 19:10

  

  引言自从1989年国际整流器公司(IR)率先推出首款单片式高压驱动产品以来，高压集成电路(HVIC)技术就开始利用获得专利的单片式结构，集成双极器件、CMOS及横向DMOS器件，设计出了击穿电压分别高于700V和1400V的产品；这些高压驱动芯片可以工作在600V和1200V偏置电压下。2016年英飞凌完全收购IR后，英飞凌拥有了这项经过多年市场验证的PN结

  英飞凌 芯片 1818浏览量