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IGBT门极驱动到底要不要负压2022-05-13 01:25
先说结论,如果条件允许还是很建议使用负压作为IGBT关断的。但是从成本和设计的复杂度来说,很多工程师客户希望不要使用负压。下面我们从门极寄生导通现象来看这个问题。IGBT是一个受门极电压控制开关的器件,只有门极电压超过阈值才能开通。工作时常被看成一个高速开关,在实际使用中会产生很高的电压变化dv/dt和电流变化di/dt。电压变化Dv/dt通过米勒电容CCGIGBT 2536浏览量 -
英飞凌精彩亮相欧洲PCIM 2022:尽享非凡功率2022-05-10 01:25
PCIM欧洲始于1979年的德国纽伦堡,是全球电力电子行业的顶级展会及研讨会,已有40年多年历史。在这一行业盛会上,全球从业者齐聚一堂,展示与交流电力电子技术和应用。来自学术界和工业界的专家在这里发布最新的研究成果和新产品,内容从器件、驱动控制、封装技术到最终系统,涵盖整个生态链。英飞凌将亮相PCIM2022(5月10日至12日,德国纽伦堡),展示功率半导体英飞凌 1114浏览量 -
如何拓展IGBT驱动器电流2022-05-08 01:46
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当.XT技术遇上SiC单管2022-04-30 01:57
英飞凌于2020年发布了基于.XT技术的D2PAK-7L封装1200VSiCMOSFETSMD系列产品,导通电阻从350mohm到30mohm,覆盖功率范围最高可到20kW,产品目录下图1。图1.英飞凌D2PAK-7L1200VSiCMOSFET产品也许您已选用测试,或许还在选型观望,又或者正懵懂于“.XT”是个啥?不妨读完此文,拨云见日,三站地铁,十分钟足SiC 2068浏览量 -
怎么理解驱动芯片的驱动电流能力2022-04-28 01:33
使用功率开关器件的工程师们肯定都有选择驱动芯片的经历。面对标称各种电流能力的驱动产品时,往往感觉选择非常困惑。特别是在成本压力之下,总希望选择一个刚好够用的产品。以下内容或许能给到些启发。首先来看一下这个驱动峰值电流的定义方式。这个很重要,不同公司的产品往往宣传说法不一样,所以要参考规格书。以下图1是英飞凌的1EDI系列产品的电流表。比如1EDI60I12A驱动器 4437浏览量 -
新品 | 采用950V IGBT7 S7芯片和SiC二极管的Dual-Boost Easy3B模块2022-04-26 01:23
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新品 | CIPOS™ Tiny 600V 15A三相IPM2022-04-23 01:42
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新品 | 1200V低阻值CoolSiC™ MOSFET产品2022-04-20 01:27
新品CoolSiC1200VSiCMOSFET低欧姆产品CoolSiC1200VSiCMOSFET低欧姆产品,采用TO247封装,建立在最先进的沟槽栅半导体工艺上。经过优化,性能和可靠性均有进一步提高。封装采用.XT互连技术,最新的CoolSiCMOSFET具有一流的热耗散性能。产品规格:1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封装CoolSiC12MOSFET 1759浏览量 -
无磁芯变压器(CT)隔离驱动芯片技术优势及产品系列2022-04-19 01:24
在之前的技术文章中,介绍了驱动芯片的概览,PN结隔离(JI)技术,SOI驱动芯片技术等非隔离的驱动技术,本文会继续介绍英飞凌的无磁芯变压器(CT)隔离驱动芯片技术。在隔离器件的技术上,有三种主流的隔离技术,分别是光隔离,电容隔离和变压器隔离。顾名思义,其隔离的介质分别是光,电场信号和磁信号,隔离器件的使用及其广泛,从输入输出接口,通讯端口,到功率器件的栅极驱芯片 2560浏览量 -
IGBT驱动电流行为综述2022-04-16 01:38
IGBT驱动需要电流:IGBT是一种电压驱动的电子开关,正常情况下只要给15V电压就可以饱和导通,实际器件的驱动是给栅极端口电容充放电,还是需要电流的。IGBT驱动电流峰值电流取决于栅极总电阻,电流取决于栅极电荷,但我们一般讲的是峰值电流。驱动的峰值电流很好理解,按照欧姆定律,由驱动电压和驱动电阻决定:但在小阻值驱动回路中,实际测得驱动电流一般比上述公式计算IGBT 3264浏览量