英飞凌工业半导体文章

• ChatGPT真的懂IGBT吗2023-09-04 16:26

  

  ChatGPT是部万宝全书，请鉴定一下她是否缺个角，看看她是在一本正经地胡说八道，还是一位真知灼见的专家。本期是和ChatGPT辩论的第

  ChatGPT IGBT 电阻 1190浏览量

• 具备出色稳定性的CoolSiC™ MOSFET M1H2023-08-25 08:16

  

  2023PCIMAsia英飞凌将重磅亮相2023PCIMAsia设立“绿色能源与工业”“电动交通和电动出行”“智能家居”三大核心展示区域8月29日-31日，我们现场不见不散！点击上方图片，了解更多本次展会上，英飞凌将展出丰富的SiC系列产品，包括CoolSiCMOSFET以及相应的驱动评估板CoolSiCMOSFETCoolSiCMOSFETEasy2B三电

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• 谈谈SiC MOSFET的短路能力2023-08-25 08:16

  

  谈谈SiC MOSFET的短路能力

  IGBT MOSFET SiC 电压 短路 3639浏览量

• 如何更好的使用EiceDRIVER™ IC驱动SiC MOSFET2023-08-17 09:27

  

  2023PCIMAsia英飞凌将重磅亮相2023PCIMAsia设立“绿色能源与工业”“电动交通和电动出行”“智能家居”三大核心展示区域碳化硅（SiCMOSFET）和氮化镓(GaN)因其高频率、低损耗的特性得到广泛的应用，但对驱动系统的性能提出了更高的要求。英飞凌最新一代增强型EiceDRIVER1

  IC MOSFET SiC 驱动 2616浏览量

• 来自英飞凌开发者社区的10问10答——IGBT篇2023-08-02 08:17

  

  Q在IGBT器件的开通过程中，栅极电荷Qg的充电过程是怎样的？A:IGBT器件例如IKZA50N65EH7的数据手册中如图1所示，给出了栅极电荷Qg和栅极电压Vge的关系。图2为IGBT器件简化示意图。栅极电荷的充电过程可以分为以下三个区域。

  IGBT 电压 英飞凌 3103浏览量

• 基于IM828-XCC的高速电机驱动器设计2023-07-31 22:55

  

  随着现代机床向高速、高精度方向发展，对机床主轴的技术要求越来越高。电主轴作为高速机床的重要组成部件之一，因其转速高、体积小和优异的动态性能等特性，可有效提高机床的动态平衡，避免了振动和噪声。主轴电机放置在机床的主轴单元内，直接驱动负载。因此，简化了传统的机械驱动结构，实现了“零驱动”。由于电主轴的广泛应用，推动着电机主轴系统向高精度、高速、低能耗、高效率、高

  机床 电机 驱动器 高速 3514浏览量

• 使用新型160V MOTIX™三相栅极驱动器IC实现更好的电池供电设计（第一部分）2023-07-31 22:55

  

  作者简介作者:SrivatsaRaghunath翻译：赵佳MOTIX三相栅极驱动器集成电路6ED2742S01Q是英飞凌MOTIX品牌的新成员，该品牌通过可扩展的产品组合提供低压电机控制解决方案。它是一款160V绝缘体上硅(SOI)栅极驱动器IC，采用5x5mm²QFN-32封装，带有热效率高的裸露功率焊盘，并集成了电源管理单元(PMU)。这种易于使用的器件

  IC 供电 电池 驱动器 1585浏览量

• 使用新型160V MOTIX™三相栅极驱动器IC实现更好的电池供电设计（第二部分）2023-07-31 22:54

  

  作者简介作者:SrivatsaRaghunath翻译：赵佳6ED2742S01Q是一款用于电池供电应用的高性价比、易于使用的栅极驱动器IC。6ED2742S01Q具有10V至120V的宽工作电压范围，是12V、24V、48V、72V和96V等多种电池类型的理想"一站式"栅极驱动器解决方案。这两种强大的保护和电流检测方案使系统设计人员能够为MOSFET逆变级和

  IC 电池 驱动器 1304浏览量

• 200kW储能用EasyPACK™ 3B三电平模块2023-07-31 17:56

  

  新品200kW储能用EasyPACK3B三电平模块F3L225R12W3H3_B11NPC1三电平EasyPACK3B模块采用1200VHIGHSPEED3IGBT芯片和EmCon7二极管。它为ESS双向功率变换进行了优化，两个并联模块，可以实现200千瓦1500VDC功率变换。相关器件：F3L225R12W3H3_B11产品特点采用PressFIT技术的E

  三电平 储能 模块 3996浏览量

• 6.5A，2300V单通道隔离式栅极驱动器评估板（配SiC MOSFET）2023-07-31 17:55

  

  新品6.5A，2300V单通道隔离式栅极驱动器评估板（配SiCMOSFET）EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半桥电路，用两个栅极驱动IC1ED3142MU12F来驱动IGBT、MOSFET和SiCMOSFET等功率开关。该板预装了两个CoolSiCSiCMOSFETIMZA120R020M1H，一个额外的栅极驱动IC用于隔离从上桥臂到逻辑控制侧

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