英飞凌工业半导体文章

• SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？2023-01-11 15:09

  

  众所周知，“挖坑”是英飞凌的祖传手艺。在硅基产品时代，英飞凌的沟槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和沟槽型的MOSFET就独步天下。在碳化硅的时代，市面上大部分的SiCMOSFET都是平面型元胞，而英飞凌依然延续了沟槽路线。难道英飞凌除了“挖坑”，就不会干别的了吗？非也。因为SiC材料独有的特性，Si

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• 探究快速开关应用中SiC MOSFET体二极管的关断特性2023-01-11 15:09

  

  探究快速开关应用中SiC MOSFET体二极管的关断特性

  二极管 MOSFET 3636浏览量

• 新品 | 采用IPM IM323 1500W电机驱动的评估板2023-01-11 15:09

  

  新品采用IPMIM3231500W电机驱动的评估板评估板EVAL-M1-IM323是用于IM323系列CIPOSIPM的评估，它的目标应用为三相电机驱动，大家电，如空调、泵、风扇和其他变频驱动器。产品型号：EVAL-M1-IM323产品特点输入电压165Vac至265Vac165Vac时最大12A的输入电流220V

  驱动 电机 评估板 1877浏览量

• 通过栅极驱动器提高开关电源功率密度2023-01-11 15:08

  

  作者：HubertBaierl，英飞凌科技市场总监校对：柯春山英飞凌科技高级主任工程师像许多电子领域一样，进步持续发生。目前，在3.3kW开关电源(SMPS)中，产品效率高达98%，1U结构尺寸，其功率密度可达100W/in³。这之所以可以实现是因为我们在图腾柱PFC级中明智地选择了超结(SJ)功率MOSFET（例如CoolMOS），碳化硅(SiC)MOSF

  电源 驱动器 1827浏览量

• 探究快速开关应用中SiC MOSFET体二极管的关断特性2023-01-04 09:45

  

  SiC MOSFET体二极管的关断特性与IGBT电路中硅基PN二极管不同，这是因为SiC MOSFET体二极管具有独特的特性。对于1200V SiC MOSFET来说，输出电容的影响较大，而PN二极管的双极电荷影响较小。本文探讨了SiC MOSFET的独有特性以及影响体二极管关断特性的多个影响因素，并且阐明了快速开关应用中SiC MOSFET的反向恢复损耗概

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• 鱼与熊掌皆可得？当SiC MOSFET遇上2L-SRC2022-05-27 01:47

  

  引言事物皆有两面：SiCMOSFET以更快的开关速度，相比IGBT可明显降低器件开关损耗，提升系统效率和功率密度；但是高速的开关切换，也产生了更大的dv/dt和di/dt，对一些电机控制领域的电机绝缘和EMI设计都带来了额外的挑战。应用痛点氢燃料系统中的高速空压机控制器功率35kW上下，转速高达10万转以上，输出频率可达2000Hz，调制频率50kHz以上是

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• IGBT窄脉冲现象解读2022-05-26 02:14

  

  什么是窄脉冲现象IGBT作为一种功率开关，从门级信号到器件开关过程需要一定反应时间，就像生活中开关门太快容易挤压手一样，过短的开通脉冲可能会引起过高的电压尖峰或者高频震荡问题。这种现象随着IGBT被高频PWM调制信号驱动时，时常会无奈发生，占空比越小越容易输出窄脉冲，且IGBT反并联续流二极管FWD在硬开关续流时反向恢复特性也会变快。以1700V/1000A

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• Tvj - IGBT元宇宙中的结温2022-05-24 05:30

  

  ///在IGBT应用中，结温是经常使用的一个参数，大部分读者应该都很熟悉这个概念，但是这和元宇宙有什么关系呢？我想先请大家考虑一个问题：IGBT结温到底是指具体哪儿的温度？。。。你们是不是已经开始上百度搜索答案了？我在百度百科以及维基百科搜索出结温的解释大概是这样的：晶体管结温，简称结温，是指半导体芯片内的最高工作温度，通常芯片的结温会比芯片的外壳高。。。原

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• 新品 | 沟槽栅 2000/3000A 4500V 125mm平板型压接式IGBT2022-05-24 05:26

  

  新品沟槽栅2000/3000A4500V125mm平板型压接式IGBT沟槽栅2000/3000A4500V125mm平板型压接式IGBT相关器件：P2000DL45X1682000A4500V带续流二极管125mm平板型P3000ZL45X1683000A4500V不带续流二极管125mm平板型InfineonTechnologiesBipolar扩展了其高

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• 如何计算驱动芯片的desat保护时间2022-05-24 05:24

  

  SiCMOSFET短路时间相比IGBT短很多，英飞凌CoolSiCMOSFET单管保证3us的短路时间，Easy模块保证2us的短路时间，因此要求驱动电路和的短路响应迅速而精确。今天，我们来具体看一下这个短而精的程度。图1是传统典型的驱动芯片退饱和检测原理，芯片内置一个恒流源。功率开关器件在门极电压一定时，发生短路后，电流不断增加，导致器件VCE电压迅速提升

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