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• 发布了文章 2025-07-30 13:33

  光阻去除属于什么制程

  

  光阻去除（即去胶工艺）属于半导体制造中的光刻制程环节，是光刻技术流程中不可或缺的关键步骤。以下是其在整个制程中的定位和作用：1.在光刻工艺链中的位置典型光刻流程为：涂胶→软烘→曝光→硬烘→显影→后烘→光阻去除核心目的：清除完成图案转移后剩余的光刻胶层，暴露出需要进一步加工（如蚀刻、离子注入或金属沉积）的芯片区域。承上启下作用：连接前期的光刻图案化与后续的材料

  光刻 半导体制造

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• 发布了文章 2025-07-30 13:25

  光阻去除工艺有哪些

  

  光阻去除工艺（即去胶工艺）是半导体制造中的关键步骤，旨在清除曝光后的光刻胶而不损伤底层材料。以下是主流的技术方案及其特点：一、湿法去胶技术1.有机溶剂溶解法原理：利用丙酮、NMP（N-甲基吡咯烷酮）、乳酸乙酯等强极性溶剂溶胀并溶解光刻胶分子链。适用于传统g线/i线正胶体系。优势：成本低、设备简单；可配合喷淋或浸泡模式批量处理。局限：对新型化学放大型抗蚀剂（C

  LED光阻剂 半导体

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• 发布了文章 2025-07-29 11:10

  半导体清洗机循环泵怎么用

  

  半导体清洗机的循环泵是确保清洗液高效流动、均匀分布和稳定过滤的核心部件。以下是其正确使用方法及关键注意事项：一、启动前准备系统检漏与排气确认所有连接管路无松动或泄漏（可用肥皂水涂抹接口检测气泡）；打开泵体顶部的手动排气阀，向入口侧注入高纯DI水直至出水口连续流出无气泡为止，排除空气避免气蚀现象。参数预设匹配工艺需求根据清洗配方设定流量范围（通常5–20L/m

  半导体 清洗机

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• 发布了文章 2025-07-29 11:05

  半导体清洗机氮气怎么排

  

  半导体清洗机中氮气排放的系统化解决方案，涵盖安全、效率与工艺兼容性三大核心要素：一、闭环回收再利用系统通过高精度压力传感器实时监测腔室内氮气浓度，当达到设定阈值时自动启动循环模式。采用活性炭吸附柱对排出气体进行纯化处理，去除微量水分及挥发性有机物后，经冷干机进一步脱水，最终通过变频压缩机重新压回储气罐。此设计可实现95%以上的氮气回收率，显著降低运行成本。关

  半导体 氮气 清洗机

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• 发布了产品 2025-07-23 15:06

  半导体超声波清洗机 芯矽科技

  

  产品型号：bdtcsbqxj 非标定制：根据客户需求定制

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• 发布了产品 2025-07-23 15:01

  多槽式清洗机 芯矽科技

  

  产品型号：dcsqxj 非标定制：根据客户需求定制

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• 发布了文章 2025-07-23 14:41

  晶圆清洗用什么气体最好

  

  在晶圆清洗工艺中，选择气体需根据污染物类型、工艺需求和设备条件综合判断。以下是对不同气体的分析及推荐：1.氧气（O₂）作用：去除有机物：氧气等离子体通过活性氧自由基（如O*、O₃）与有机污染物（如光刻胶残留）发生氧化反应，生成CO₂和H₂O等挥发性物质1。表面活化：增强晶圆表面亲水性，为后续工艺（如CVD）提供更好的附着力3。优势：高效去除有机污染，适用于光

  晶圆

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• 发布了文章 2025-07-23 14:32

  晶圆清洗工艺有哪些类型

  

  晶圆清洗工艺是半导体制造中的关键步骤，用于去除晶圆表面的污染物（如颗粒、有机物、金属离子和氧化物），确保后续工艺（如光刻、沉积、刻蚀）的良率和器件性能。根据清洗介质、工艺原理和设备类型的不同，晶圆清洗工艺可分为以下几类：1.湿法清洗（WetCleaning）（1）槽式清洗（BatchCleaning）原理：将多片晶圆（通常25-50片）放入化学槽中，依次浸泡

  半导体

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• 发布了文章 2025-07-22 16:54

  晶圆清洗后表面外延颗粒要求

  

  晶圆清洗后表面外延颗粒的要求是半导体制造中的关键质量控制指标，直接影响后续工艺（如外延生长、光刻、金属化等）的良率和器件性能。以下是不同维度的具体要求和技术要点：一、颗粒污染的核心要求颗粒尺寸与数量小尺寸晶圆（2-6英寸）：允许颗粒尺寸通常≥1μm，数量控制在＜1000颗/cm²（具体取决于工艺节点）。部分应用（如功率器件）可接受更低标准，但需避免肉眼可见污

  半导体制造

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• 发布了文章 2025-07-22 16:51

  不同晶圆尺寸清洗的区别

  

  不同晶圆尺寸的清洗工艺存在显著差异，主要源于其表面积、厚度、机械强度、污染特性及应用场景的不同。以下是针对不同晶圆尺寸（如2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸等）的清洗区别及关键要点：一、晶圆尺寸与清洗挑战小尺寸晶圆（2-6英寸）特点：面积小、厚度较薄（如2英寸晶圆厚度约500μm），机械强度低，易受流体冲击损伤。挑战：清洗槽体积较小，易因流体不均匀导致

  晶圆 超声波清洗机

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