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• 发布了文章 2025-07-21 14:42

  硅清洗液不能涂的部位有哪些

  

  在硅片清洗过程中，某些部位需避免接触清洗液，以防止腐蚀、污染或功能失效。以下是需要特别注意的部位及原因：一、禁止接触清洗液的部位1.金属互连线与焊垫（MetalInterconnects&Pads）风险：强酸/碱清洗液（如DHF、BOE）会腐蚀铝（Al）、铜（Cu）等金属层；焊垫氧化或污染可能导致后续焊接失效。保护措施：使用光刻胶或硬质掩膜（如SiO₂）覆盖

  大硅片 硅片

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• 发布了文章 2025-07-21 14:38

  硅清洗机配件有哪些

  

  硅清洗机的配件种类繁多，具体取决于清洗工艺类型（如湿法化学清洗、超声清洗、等离子清洗等）和设备结构。以下是常见的配件分类及典型部件：一、核心功能配件清洗槽（Tank）材质：耐腐蚀材料（如PFA、PTFE、聚丙烯PP或不锈钢316L）。类型：单槽、多槽串联（如RCA清洗用SC-1/SC-2槽）、喷淋槽等。功能：容纳清洗液（如DHF、BOE、SC溶液等），直接接

  清洗机 硅片

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• 发布了产品 2025-07-15 15:25

  QDR清洗设备 芯矽科技

  

  产品型号：qdrqxsb 非标定制：根据客户需求定制

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• 发布了产品 2025-07-15 15:14

  卧式石英管舟清洗机 芯矽科技

  

  产品型号：wssygzqxj 非标定制：根据需求定制

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• 发布了文章 2025-07-15 15:00

  晶圆蚀刻扩散工艺流程

  

  晶圆蚀刻与扩散是半导体制造中两个关键工艺步骤，分别用于图形化蚀刻和杂质掺杂。以下是两者的工艺流程、原理及技术要点的详细介绍：一、晶圆蚀刻工艺流程1.蚀刻的目的图形化转移：将光刻胶图案转移到晶圆表面，形成所需的电路或结构（如金属线、介质层、硅槽等）。材料去除：通过化学或物理方法选择性去除暴露的薄膜或衬底。2.蚀刻分类干法蚀刻：依赖等离子体或离子束（如ICP、R

  半导体制造 晶圆 晶圆蚀刻

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• 发布了文章 2025-07-15 14:59

  晶圆蚀刻后的清洗方法有哪些

  

  晶圆蚀刻后的清洗是半导体制造中的关键步骤，旨在去除蚀刻残留物（如光刻胶、蚀刻产物、污染物等），同时避免对晶圆表面或结构造成损伤。以下是常见的清洗方法及其原理：一、湿法清洗1.溶剂清洗目的：去除光刻胶、有机残留物和部分蚀刻产物。常用溶剂：丙酮（Acetone）：溶解正性光刻胶。醋酸乙酯（EthylAcetate）：替代丙酮的环保溶剂。N-甲基吡咯烷酮（NMP）

  半导体制造 晶圆蚀刻

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• 发布了文章 2025-07-14 13:15

  酸性溶液清洗剂的浓度是多少合适

  

  酸性溶液清洗剂的浓度选择需综合考虑清洗目标、材料特性及安全要求。下文将结合具体案例，分析浓度优化与工艺设计的关键要点。酸性溶液清洗剂的合适浓度需根据具体应用场景、清洗对象及污染程度综合确定，以下是典型范围和参考：1.一般工业清洗（金属除锈、氧化层）硫酸（H₂SO₄）：5%~15%适用于去除铁锈、氧化铝等，浓度过高易导致金属过腐蚀或氢脆。盐酸（HCl）：5%~

  半导体晶圆 清洗剂

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• 发布了文章 2025-07-14 13:11

  去离子水清洗的目的是什么

  

  去离子水清洗的核心目的在于有效去除物体表面的杂质、离子及污染物，同时避免普通水中的电解质对被清洗物的腐蚀与氧化，确保高精度工艺环境的纯净。这一过程不仅提升了产品质量，还为后续加工步骤奠定了良好基础，是精密制造、半导体生产、医药研发等领域不可或缺的关键环节，其重要性贯穿整个高质量生产流程。去离子水清洗主要有以下目的：1.去除杂质和污染物溶解并清除可溶性物质：去

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• 发布了文章 2025-06-30 16:47

  槽式清洗和单片清洗最大的区别是什么

  

  槽式清洗与单片清洗是半导体、光伏、精密制造等领域中两种主流的清洗工艺，其核心区别在于清洗对象、工艺模式和技术特点。以下是两者的最大区别总结：1.清洗对象与规模槽式清洗：批量处理：一次性清洗多个工件（如半导体晶圆、光伏硅片、金属零件等），通常以“槽”为单位装载。适用场景：适合大批量生产，尤其是对清洁度要求一致且工艺相同的产品（如集成电路封装前的引脚清洗、汽车零

  半导体 清洗工艺

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• 发布了产品 2025-06-30 14:11

  硅片清洗机设备 彻底完成清洗任务

  

  产品型号：gpqxjsb 非标定制：根据客户需求定制

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