芯矽科技

动态

• 发布了文章 2025-07-23 14:41

  晶圆清洗用什么气体最好

  

  在晶圆清洗工艺中，选择气体需根据污染物类型、工艺需求和设备条件综合判断。以下是对不同气体的分析及推荐：1.氧气（O₂）作用：去除有机物：氧气等离子体通过活性氧自由基（如O*、O₃）与有机污染物（如光刻胶残留）发生氧化反应，生成CO₂和H₂O等挥发性物质1。表面活化：增强晶圆表面亲水性，为后续工艺（如CVD）提供更好的附着力3。优势：高效去除有机污染，适用于光

  晶圆

  871浏览量

• 发布了文章 2025-07-23 14:32

  晶圆清洗工艺有哪些类型

  

  晶圆清洗工艺是半导体制造中的关键步骤，用于去除晶圆表面的污染物（如颗粒、有机物、金属离子和氧化物），确保后续工艺（如光刻、沉积、刻蚀）的良率和器件性能。根据清洗介质、工艺原理和设备类型的不同，晶圆清洗工艺可分为以下几类：1.湿法清洗（WetCleaning）（1）槽式清洗（BatchCleaning）原理：将多片晶圆（通常25-50片）放入化学槽中，依次浸泡

  半导体

  2.9k浏览量

• 发布了文章 2025-07-22 16:54

  晶圆清洗后表面外延颗粒要求

  

  晶圆清洗后表面外延颗粒的要求是半导体制造中的关键质量控制指标，直接影响后续工艺（如外延生长、光刻、金属化等）的良率和器件性能。以下是不同维度的具体要求和技术要点：一、颗粒污染的核心要求颗粒尺寸与数量小尺寸晶圆（2-6英寸）：允许颗粒尺寸通常≥1μm，数量控制在＜1000颗/cm²（具体取决于工艺节点）。部分应用（如功率器件）可接受更低标准，但需避免肉眼可见污

  半导体制造

  3k浏览量

• 发布了文章 2025-07-22 16:51

  不同晶圆尺寸清洗的区别

  

  不同晶圆尺寸的清洗工艺存在显著差异，主要源于其表面积、厚度、机械强度、污染特性及应用场景的不同。以下是针对不同晶圆尺寸（如2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸等）的清洗区别及关键要点：一、晶圆尺寸与清洗挑战小尺寸晶圆（2-6英寸）特点：面积小、厚度较薄（如2英寸晶圆厚度约500μm），机械强度低，易受流体冲击损伤。挑战：清洗槽体积较小，易因流体不均匀导致

  晶圆 超声波清洗机

  2.2k浏览量

• 发布了文章 2025-07-21 14:42

  硅清洗液不能涂的部位有哪些

  

  在硅片清洗过程中，某些部位需避免接触清洗液，以防止腐蚀、污染或功能失效。以下是需要特别注意的部位及原因：一、禁止接触清洗液的部位1.金属互连线与焊垫（MetalInterconnects&Pads）风险：强酸/碱清洗液（如DHF、BOE）会腐蚀铝（Al）、铜（Cu）等金属层；焊垫氧化或污染可能导致后续焊接失效。保护措施：使用光刻胶或硬质掩膜（如SiO₂）覆盖

  大硅片 硅片

  1k浏览量

• 发布了文章 2025-07-21 14:38

  硅清洗机配件有哪些

  

  硅清洗机的配件种类繁多，具体取决于清洗工艺类型（如湿法化学清洗、超声清洗、等离子清洗等）和设备结构。以下是常见的配件分类及典型部件：一、核心功能配件清洗槽（Tank）材质：耐腐蚀材料（如PFA、PTFE、聚丙烯PP或不锈钢316L）。类型：单槽、多槽串联（如RCA清洗用SC-1/SC-2槽）、喷淋槽等。功能：容纳清洗液（如DHF、BOE、SC溶液等），直接接

  清洗机 硅片

  952浏览量

• 发布了产品 2025-07-15 15:25

  QDR清洗设备 芯矽科技

  

  产品型号：qdrqxsb 非标定制：根据客户需求定制

  237浏览量

• 发布了产品 2025-07-15 15:14

  卧式石英管舟清洗机 芯矽科技

  

  产品型号：wssygzqxj 非标定制：根据需求定制

  172浏览量

• 发布了文章 2025-07-15 15:00

  晶圆蚀刻扩散工艺流程

  

  晶圆蚀刻与扩散是半导体制造中两个关键工艺步骤，分别用于图形化蚀刻和杂质掺杂。以下是两者的工艺流程、原理及技术要点的详细介绍：一、晶圆蚀刻工艺流程1.蚀刻的目的图形化转移：将光刻胶图案转移到晶圆表面，形成所需的电路或结构（如金属线、介质层、硅槽等）。材料去除：通过化学或物理方法选择性去除暴露的薄膜或衬底。2.蚀刻分类干法蚀刻：依赖等离子体或离子束（如ICP、R

  半导体制造 晶圆 晶圆蚀刻

  3k浏览量

• 发布了文章 2025-07-15 14:59

  晶圆蚀刻后的清洗方法有哪些

  

  晶圆蚀刻后的清洗是半导体制造中的关键步骤，旨在去除蚀刻残留物（如光刻胶、蚀刻产物、污染物等），同时避免对晶圆表面或结构造成损伤。以下是常见的清洗方法及其原理：一、湿法清洗1.溶剂清洗目的：去除光刻胶、有机残留物和部分蚀刻产物。常用溶剂：丙酮（Acetone）：溶解正性光刻胶。醋酸乙酯（EthylAcetate）：替代丙酮的环保溶剂。N-甲基吡咯烷酮（NMP）

  半导体制造 晶圆蚀刻

  3.8k浏览量