深圳市首质诚科技有限公司

动态

• 发布了文章 2025-11-05 12:10

  选型手册：MOT15N50F 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT15N50F是一款面向500V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压，广泛适用于高效开关电源、半桥式电子镇流器、LED电源等领域。以下从器件特性、电气参数、封装应用等维度展开说明。一、产品基本信息MOT15N50F为N沟道功率MOSFET，核心参数表现为：漏源极耐压（\(V_{DSS

  MOS 仁懋电子 晶体管

  613浏览量

• 发布了文章 2025-11-05 12:01

  选型手册：MOT1793G P 沟道功率 MOSFET 晶体管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT1793G是一款面向-100V低压大电流场景的P沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通电阻、18A大电流承载能力及PDFN小型化封装，广泛适用于DC/DC转换器等高效电源转换场景。一、产品基本信息MOT1793G为P沟道增强型功率MOSFET，漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）达-100V；导通电阻（\(R_{DS(on)}

  MOS 仁懋电子 晶体管

  546浏览量

• 发布了文章 2025-11-04 16:33

  选型手册：MOT4025G 互补增强型 MOSFET

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT4025G是一款互补增强型MOSFET，集成N沟道与P沟道管，凭借40V耐压、超低导通电阻及优异开关特性，适用于电机驱动、DC-DC转换器等大功率场景。以下从器件特性、电气参数、应用场景等维度展开说明。一、产品基本信息器件类型：互补增强型MOSFET（N沟道+P沟道）耐压规格：漏源极耐压（\(V_{DS}\)）均为40V导通电阻

  MOS MOSFET 仁懋电子

  701浏览量

• 发布了文章 2025-11-04 15:59

  选型手册：MOT4N65F 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT4N65F是一款面向650V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借低导通电阻、高输入阻抗及RoHS合规性，广泛适用于电子镇流器、电子变压器、开关模式电源等领域。以下从器件特性、电气参数、封装应用等维度展开说明。一、产品基本信息MOT4N65F为N沟道功率MOSFET，核心参数表现为：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：6

  MOS 仁懋电子 晶体管

  1.2k浏览量

• 发布了文章 2025-11-04 15:28

  选型手册：MOT13005DA NPN 硅晶体管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT13005DA是一款NPN硅晶体管，凭借400V高耐压、8A大电流及1700V击穿能力，广泛适用于荧光灯、电子变压器、开关模式电源等领域。以下从器件特性、电气参数、封装应用等维度展开说明。一、产品基本信息核心参数：集电极-发射极耐压（\(V_{CEO}\)）：400V集电极连续电流（\(I_C\)）：8A封装形式：TO-220F

  MOS 仁懋电子 晶体管

  555浏览量

• 发布了文章 2025-11-04 15:22

  选型手册：MOT9N50D 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT9N50D是一款面向500V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等领域。以下从器件特性、电气参数、封装应用等维度展开说明。一、产品基本信息MOT9N50D为N沟道增强型功率MOSFET，核心参数表现为：漏源极耐压（\(V_{DSS

  MOS 仁懋电子 晶体管

  544浏览量

• 发布了文章 2025-11-03 17:01

  选型手册：MBR10200F 肖特基势垒整流二极管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MBR10200F是一款10A规格的肖特基势垒整流二极管，凭借200V耐压、低正向压降及高浪涌电流特性，适用于开关电源、逆变器、电池充电器等高频整流场景。以下从器件特性、电气参数、封装应用等维度展开说明。一、产品基本信息核心参数：峰值反向耐压（\(V_{RRM}\)）：200V平均整流输出电流（\(I_o\)）：10A（总电流）/5A

  MOS 二极管 仁懋电子

  972浏览量

• 发布了文章 2025-11-03 16:41

  选型手册：MOT10150D 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT10150D是一款面向中低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通损耗、超大电流承载能力及优异开关特性，适用于高功率DC-DC转换器、工业大电流负载开关、储能电源模块等领域。一、产品基本信息（推导）电压与电流：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）预计为100V级，适配中低压大电流供电场景；连续漏极电流（\(I_D

  MOS 仁懋电子 晶体管

  676浏览量

• 发布了文章 2025-11-03 16:33

  选型手册：MOT90N03D 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT90N03D是一款面向低压大电流DC-DC转换场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借30V耐压、超低导通损耗及优异开关特性，广泛适用于高要求DC-DC转换器、高效电源模块等领域。以下从器件特性、电气参数、应用场景等维度展开说明。一、产品基本信息MOT90N03D为N沟道增强型功率MOSFET，核心参数表现为：漏源极耐压（\(V

  MOS 仁懋电子 晶体管

  777浏览量

• 发布了文章 2025-11-03 15:26

  选型手册：MOT5N50MD 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT5N50MD是一款面向500V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等领域。以下从器件特性、电气参数、封装应用等维度展开说明。一、产品基本信息MOT5N50MD为N沟道增强型功率MOSFET，核心参数表现为：漏源极耐压（\(V_{D

  MOS 仁懋电子 晶体管

  624浏览量