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• 发布了文章 2026-06-17 06:29

  MPO：无源光互联，核心布局企业梳理

  

  点击蓝字关注我们～AI算力跑得再快，也得靠光来“说话”。而负责翻译这些光语言的，是一个不起眼的小零件——MPO连接器。AI算力大战的上半场看芯片，下半场看连接。为什么这么说？当GPU从几千颗堆到几十万颗，让它们高效“对话”反而成了最难的事。传统铜缆在长距离、高功耗下越来越吃力，于是“光进铜退”从口号变成了行动。英伟达和康宁的一纸合作公告，直接把这把火烧到了最

  MPO 无源

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• 发布了文章 2026-06-16 08:31

  车载充电机OBC 高绝缘高导热超薄柔性氮化硼垫片

  

  SiC碳化硅是第三代宽禁带半导体材料的核心代表，相比传统硅（Si）材料，其禁带宽度大、热导率高、击穿场强高、电子饱和漂移速度快四大核心特性，使其在高频、高温、高功率、高压场景中具备不可替代的优势。SiC碳化硅的核心特性（与硅材料对比）SiC的特性源于其晶体结构（六方或立方结构）和电子能带结构，关键指标全面优于硅，尤其适配严苛工况。SiC碳化硅的典型应用场景（

  OBC 充电机 车载

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• 发布了文章 2026-06-15 16:19

  PCB嵌入式SiC模块真正的挑战：不是把功率芯片埋进去，而是材料、热路和可靠性一起过关

  

  PCB嵌入式SiC模块的真挑战：不是把功率芯片埋进去，而是材料、热路和可靠性一起过关SysPro电力电子技术|参考来源：AKMMeadvile▲800V车辆、OBC、DC/DC和高功率密度逆变器推动SiC模块从传统线焊封装走向PCB嵌入式集成。●本文核心价值：把PCB嵌入式SiC模块从概念模型推进到材料要求、生产线、ESD和可靠性验证。本篇我们聚焦于：PCB

  pcb PCB SiC 功率芯片 嵌入式

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• 发布了文章 2026-06-15 06:50

  特斯拉电驱平台跃迁真正的秘密：SiC逆变器、母排寄生和失效安全一起重构？

  

  SysPro系统工程智库技术前瞻特斯拉电驱平台跃迁的秘密：SiC逆变器、母排寄生和失效安全一起重构？SysPro系统工程智库-前瞻洞察|数据来源：IVCT瞻芯电子▲特斯拉电驱从Model3到ModelYGen-4的变化，重点不在电压平台跃迁，而在SiC逆变器内部的可靠性、传感和失效安全。●这里的关键是提出了四项改进：局部隔离驱动供电、集成电流检测、取消放电电

  SiC 特斯拉 逆变器

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• 发布了文章 2026-06-14 16:51

  固态变压器SST的核心问题：不是用SiC替代工频变压器，而是效率、隔离和系统价值要同时成立？

  

  SysPro电力电子技术-技术前瞻固态变压器SST的核心问题：不是用SiC替代工频变压器，而是效率、隔离和系统价值要同时成立？SysPro电力电子技术|参考来源：ETHZurich/Navitas

  SST 变压器 固态变压器

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• 发布了文章 2026-06-14 08:31

  英伟达、字节、阿里×台达、维谛、施耐德、华为，全球头部AI电源架构HVDC/SST技术路线解析

  

  以下完整内容发表在「SysPro电力电子技术」知识星球-关于全球7大AI数据中心电力架构全景解析-「SysPro电力电子技术」知识星球节选，非授权不得转载-文字原创，素材来源：NVIDIA、字节、阿里×台达、维谛、施耐德、华为-本篇为节选，完整内容会在知识星球发布，欢迎学习、交流导语：应星友要求，本篇文章我们对国内外主流厂商的AI数据中心电源架构进行调研和解

  AI HVDC SST 电源

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• 发布了文章 2026-06-11 06:51

  EUV光刻胶：为什么它是半导体材料的终极天花板？

  

  如果说光刻胶已经是半导体材料的“地狱难度”，那么：EUV光刻胶，就是地狱中的天花板。它不是“更难一点”的材料，而是从物理极限重新定义材料、从化学体系重新设计反应路径、从产业链重新构建供应体系。很多人不知道的是：当制程进入7nm→5nm→3nm→2nm，真正决定能否继续缩小的，不只是光刻机，而是EUV光刻胶。一、EUV到底是什么？为什么它改变了整个半导体行业？

  EUV 光刻胶 半导体材料

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• 发布了文章 2026-06-09 08:58

  导热泥和导热凝胶相同点及不同点

  

  一、导热泥（ThermalPutty）定义：以有机硅（硅胶）为基体，混入氧化铝/氮化硼等导热填料制成的泥状、永不固化的热界面材料，手感像橡皮泥，可随意捏塑定型。核心特点形态：橡皮泥状、无流动性、可塑形，捏成任意形状，受力不流淌。导热系数：1～8W/m·K，高端可达10W+。间隙适配：主打1～5mm大间隙，适配高低差大、凹凸不平的接触面。施工：手工填充/裁切，

  导热 导热凝胶

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• 发布了文章 2026-06-08 16:51

  下一代功率模块先进封装真正的难题？从SiC嵌埋封装到界面应力，从烧结清洁到AQG324测试闭环

  

  SysPro电力电子技术-技术前瞻功率模块先进封装真正的难题？从SiC嵌埋封装到界面应力，从烧结清洁到AQG324测试闭环SysPro电力电子技术|参考来源：Fraunhofer/Danfoss/Zestron/Emerson▲背景趋势：EV功率模块正在从单一器件封装，走向低寄生互连、热管理、表面可靠性和测试标准的系统闭环。●核心价值：先进封装的目标不是“结

  SiC 功率模块 封装

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• 发布了文章 2026-06-08 08:57

  从800V到1000V的背后：SiC逆变器、DC-Link、母排、绝缘、OBC/DCDC、EMC与DVP的重构逻辑全景解析

  

  -关于驱动系统迈向1000V的设计逻辑-原创文章，素材来源:IDT,网络-本篇为节选，完整内容会在知识星球发布，欢迎学习、交流导语800V平台刚开始量产时，它更多被看作高端车型的技术标签。到了900V+阶段，问题就变了：它不再只是一个“电压更高”的卖点，而是快充基础设施、电池平台、SiC逆变器、电驱效率、热管理、绝缘安全和整车成本共同作用后的系统选择。行业正

  dvp emc SiC 逆变器

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