金士顿A1000 480G怎么样 总体表现基本在意料之中

2018年，SSD固态硬盘的价格在Intel CPU大面积缺货开始就一路下滑，SATA SSD已经跌破 1GB 1元，很多产品甚至只要五六毛钱。在容量基本满足的前提下，将性能更好的NVMe SSD作为系统盘就成为了有合理性选项。

相比PCI-E x4 SSD相对比较贵的价格，PCI-E x2 NVMe SSD看起来在价格和性能上会有更好的平衡，所以今天就测试一下PCI-E x2的NVMe SSD是否有购买价值。

产品开箱图赏：

这次测试的是金士顿的A1000 480G采用彩印纸盒包装。

配件只有一张说明书，就不放了，SSD是标准的2280规格。

采用的是M.2的插槽，需要走PCI-E通道。

SSD的主控是群联的PS5008-E8，是一款较为入门的四通道的主控，主要用于NVMe SSD上。

这颗SSD采用有缓存的设计，缓存是金士顿自封的512MB DDR3L。

颗粒同样是金士顿自己封装，但内部应为东芝的3D TLC颗粒。

产品测试平台：

简单介绍一下测试平台。

用到的主板是技嘉的Z270-PHOENIX GAMING。

内存是金士顿的DDR4 8G*4。实际运行频率是2666C15。

显卡采用的是迪兰恒进的VEGA 64水冷版。

SSD是三块INTEL，系统盘用的是比较主流的535，会拿来作为SATA SSD的参考成绩。

散热器是酷冷至尊冰神G360RGB 。

电源是安钛克的HCG-X1000。

测试平台是Streacom的BC1。

产品性能测试：

这边启用了一套新的测试标准用于横向对比。

测试环境为SSD经过全盘擦写和重新分区，消除新盘的鸡血状态。

连续读写性能选取HD TUNE的大文件读写测试，文件大小为50GB。

4K随机性能采用IOMETER混合读写，分别进行QD1的浅队列和QD32的深队列测试。因为日常使用中不会存在纯粹的读写行为，会在读写测试中反向混入25%的负载（例如读取测试中75%读取，25%写入）。

现在部分SSD会通过玩命调教固件来提升4K的随机数值，所以这边引入4K离散值统计来让那些表面SSD露出原型。公式中会包含对不同SSD IOPS平均值的补偿，不会出现性能低的SSD，离散会较低的BUG。

IO延迟的部分则会采用AS SSD 10G文件测试，连续三次读写延迟的数据取平均值。

以下为横向统计的图表，A1000会弱于PCI-E X4的SSD，但是明显优于SATA SSD。

下图是离散部分的测试，A1000在这个环节总体表现还算不错，QD1的表现相对弱于QD32。不过QD32深队列写入有一定的不稳定现象，所以建议重负载使用应该加强散热。

常规产品性能测试大致会分为三段。

开箱性能测试，这个环节可以测试出SSD在最好状态下大致可以达到什么性能。

压力测试，这个环节通过长时间满载写入，用于测试SSD在极端压力下性能会到什么程度。

日常状态测试，在压力测试之后，会通过一小时待机和重新分区让SSD重新恢复，来体现日常使用中的性能表现。

在文件基准中可以看到，M9PeY有一个大约25G大小的SLC缓存，缓存写入速度在900MB左右，颗粒的写入速度为500MB左右。

然后是最有看头的SSD压力测试。在新盘状态下HD TUNE的读写曲线大致在426MB/500.7MB的程度。

SSD在70度的时候会遇到温度墙，如果连续进行高负载的写入，SSD会撞上温度墙并出现降频保护的现象。

对SSD的擦除采用HD TUNE对SSD进行持续擦写，这个环节的负载是所有测试中最高的。可以看到写入速度会在150MB~400MB之间循环。

在完成压力测试后读写性能大致在426MB/246MB，读取基本不变，写入的衰减比较明显。主要是因为SSD此时已经过热。

在待机一小时之后，读写性能为408/198，并没有太明显的改善。

在重新分区刷新后，读写性能为450493。读写性能基本都恢复原样。

常规跑分测试：

HD TUNE的测试在擦写前后写入性能大致持平，读取性能略微高了一点。

然后看一下不同测试软件的跑分情况，AS SSD是2400/2461，基本是一致的。由于AS SSD比较偏向于轻负载，对延迟的评分权重比较高。这项对SATA SSD的优势是最明显的。

CrystalDiskMark、TxBENCH、ATTO这三款软件现在已经变成治愈系的测试软件，所以大家参考一下即可。

简单总结：

金士顿A1000 480G总体表现基本在意料之中，明显介于PCI-E x4 SSD和SATA SSD之间。得益于NVMe规范的帮助，A1000可以拥有比较理想的低延迟特性，对于IO负载较大的系统盘来说，会有他自身的优势。

不过A1000也有自己的问题。相比于SATA SSD，A1000的散热需求会显得更大，建议应保证其会有额外的散热片覆盖。

相比于PCI-E x4的NVMe产品，在一些数据流量特别大的场景下会有较明显的劣势。