国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收

11月29日，由中国科学院光电技术研究所承担的国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收，该装备用365nm波长的紫外光单次成像实现了22nm的分辨率，为光学超材料/超表面、第三代光学器件、传感芯片等纳米光学加工提供了全新的解决途径。

本项目利用表面等离子体（surface plasma，SP）超分辨成像原理，突破了衍射极限，开辟了“新”光刻技术和装备，并拥有完全自主产权，解决了产业应用难题。项目完成验收的消息一出，立即刷爆了所内职工、同学的朋友圈，却也引发了行业内和公众的争论和质疑。

“中国芯片白菜价在即”、“弯道超车”这些词汇，让不明真相的群众振奋不已，也让光学、精密机械、微电子等领域的人士生疑和担忧。这些其实都是部分媒体对国产光刻机的过度宣传所致。光刻机因能生产芯片而被人们熟知，是除了印钞机以外，大概最能赚钱的机器。然而光电所研制的超分辨光刻机与ASML、尼康等公司的光刻机定位不同，并不用于IC（Integrated Circuit，集成电路）芯片的生产，媒体的误导性宣传让超分辨光刻机项目成果和相关科研人员受到了不应有的质疑。

光电所自2003年起在超分辨成像光刻技术方面进行了深入系统地探索，取得了多项技术突破。2012年承担了国家重大科研装备——超分辨光刻装备项目，在近7年间，先后实现了50nm、45nm、32nm超分辨成像光刻，到目前单次曝光最高线宽分辨力达到22nm的结果，是经过了长期的技术攻关、积累和沉淀的。

超分辨光刻装备研制项目目前已获得了授权国内发明专利47项，国外发明专利4项，拥有完全自主知识产权。

光刻机不止于制造芯片，本项目所研制的光刻设备用于多种纳米功能器件的制造，并已为多所高校及研究所制备大口径薄膜镜、超导纳米线单光子探测器、切伦科夫辐射器件、生化传感芯片、超表面成像器件等，达到实用化水平。

验收会上，光电所称超分辨光刻设备用于芯片生产还需要攻克一系列技术难关，与国际领先技术的距离还很遥远。然而，光电所经过多年的技术积累和沉淀，开辟“新”光刻技术和装备，技术完全自主可控，达到实用化水平，在超分辨成像光刻领域仍是国际领先水平。

科学工作者们深知饭要一口一口吃的道理，项目通过验收后，光电所专家们将继续扩展超分辨光刻装备的功能。而媒体也应在宣传我国科研力量崛起的同时，尊重事实，让大众了解真相，也避免科研人员背锅。