联电严肃对待美方指控 全力应对这场诉讼

两周前美国商务部、司法部接连出手，先是制裁中国福建晋华集团，接着是起诉晋华及合作伙伴联华电子（简称联电），指控二者涉嫌盗窃美光的DRAM内存专利，给美光公司造成了高达90亿美元的损失。此后联电及晋华集团分别发表声明，否认盗窃美光商业机密。联电公司日前又发布了新的声明，详细解释了联电在DRAM技术上的积累，强调联电已经有超过15年的DRAM技术开发经验，联电开发的DRAM技术与美光公司的DRAM设计完全不同。此外，联电还指出美光的25nm DRAM技术并不是自己开发的，而是购买了***瑞晶及日本尔必达公司的25nm DRAM技术。

联电本月初发布的声明强调会严肃对待美方指控，全力应对这场诉讼。日前发布的第二份官方声明则更像是一个科普，因为联电要让不了解情况的外界明白一件事——外界存在错误的印象，认为联电没有DRAM技术，而美光是全球知名的DRAM技术公司，所以爆出专利侵权诉讼时很多人一边倒地相信没有DRAM技术的联电盗窃美光技术是成立的，而联电这个声明的目的就是向外界说明自己是有DRAM技术开发经验的。

联电公司详细声明如下：

联华电子是国际公认、***起家的半导体公司。38年来，在全球的供应链上，已经成为不可或缺的一员，先进量产技术达14奈米。对比之下，美光公司争执所涉及的DRAM技术，是32奈米，在联华电子的计画启动当时，已经是落后几个世代的技术。

社会上有一个错误的印象，认为联华电子没有任何DRAM的知识或经验，这不是事实，而且是极端的不实。从1996年到2010年，联华电子积累了近15年制造DRAM产品的经验。甚至在某个时间点上，联华电子内部DRAM团队人数，超过150人。

联华电子是一个有组织的企业机构，藉由坚实而稳定的团队，掌握并保存了丰富的DRAM知识和经验。举个例子来说，现任联华电子共同总经理之一的简山杰，是1996年时开发DRAM产品的RAM制程开发经理。

另一个实例则是: Alliance公司是1996年第一个获得联华电子公司授权合作DRAM伙伴之一，该公司是一家总部位于美国的DRAM晶片设计公司，藉由联华电子的技术进行DRAM制造。除了传统的DRAM技术外，2009年联华电子更成功开发了属于自己的嵌入式DRAM制程技术，这比制造标准型DRAM的过程要复杂得多。

联华电子同意与晋华公司联合开发DRAM制程，这是一个与联华电子晶圆专工服务完全分开的单独项目，在做成决策当时，只是一个符合所有合理商业考量的单纯商业交易，已经向***政府正式提出申请，主管机关亦已于2016年4月核准整个项目。值得一提的是，那时还未听说有中美贸易战。

自从联华电子开始为晋华公司开发DRAM制程技术，履行合约义务，联华电子已经花费了数亿新台币。尽管这个专案的研发团队成员接近300人，但只有不到10％的人曾在美光公司工作过。

相反于美光所提出民事和刑事诉讼制造的假象，联华电子的DRAM技术基础里的元件设计，是完全不同于美光公司的设计。简而言之，联华电子开发的记忆胞架构是3x2布局的储存单元，这与美光公司的2x3布局的储存单元是完全不同的。

另一个错误的印象是美光公司在美国开发了25奈米的DRAM技术。事实是，美光公司在2010年初，购买了***的瑞晶公司和日本的尔必达公司的25奈米DRAM技术。

联华电子不要「在报刊上」进行这场诉讼，但联华电子要向我们的客户和投资人保证，联华电子对于任何子虚乌有的控诉和误认事实的指责，将全力并积极地自我防卫。