面对美国起诉 联电全力并积极地自我防卫

***联电日前遭美国司法部起诉，被指控与福建晋华共谋窃取美光商业机密，引发各界关注。联电昨晚正式发布声明表示，对于任何子虚乌有的控诉和误认事实的指责，将全力并积极地自我防卫！

以下为声明全文：

联华电子是国际公认、***起家的半导体公司。38年来，在全球的供应链上，已经成为不可或缺的一员，先进量产技术达14奈米。对比之下，美光公司争执所涉及的DRAM技术，是32奈米，在联华电子的计划启动当时，已经是落后几个世代的技术。

社会上有一个错误的印象，认为联华电子没有任何DRAM的知识或经验，这不是事实，而且是极端的不实。从1996年到2010年，联华电子积累了近15年制造DRAM产品的经验。甚至在某个时间点上，联华电子内部DRAM团队人数，超过150人。联华电子是一个有组织的企业机构，藉由坚实而稳定的团队，掌握并保存了丰富的DRAM知识和经验。举个例子来说，现任联华电子共同总经理之一的简山杰，是1996年时开发DRAM产品的RAM制程开发经理。

另一个实例则是：Alliance公司是1996年第一个获得联华电子公司授权合作DRAM伙伴之一，该公司是一家总部位于美国的DRAM芯片设计公司，藉由联华电子的技术进行DRAM制造。除了传统的DRAM技术外，2009年联华电子更成功开发了属于自己的嵌入式DRAM制程技术，这比制造标准型DRAM的过程要复杂得多。

联华电子同意与晋华公司联合开发DRAM制程，这是一个与联华电子晶圆专工服务完全分开的单独项目，在做成决策当时，只是一个符合所有合理商业考虑的单纯商业交易，已经向政府正式提出申请，主管机关亦已于2016年4月核准整个项目。值得一提的是，那时还未听说有美中贸易战。

自从联华电子开始为晋华公司开发DRAM制程技术，履行合约义务，联华电子已经花费了新台币数亿元。尽管这个项目的研发团队成员接近300人，但只有不到10%的人曾在美光公司工作过。

相反于美光所提出民事和刑事诉讼制造的假象，联华电子的DRAM技术基础里的组件设计，是完全不同于美光公司的设计。简而言之，联华电子开发的记忆胞架构是3x2布局的储存单元，这与美光公司的2x3布局的储存单元是完全不同的。

另一个错误的印象是美光公司在美国开发了25奈米的DRAM技术。事实是，美光公司在2010年初，购买了***的瑞晶公司和日本的尔必达公司的25奈米DRAM技术。

联华电子不要「在报刊上」进行这场诉讼，但联华电子要向我们的客户和投资人保证，联华电子对于任何子虚乌有的控诉和误认事实的指责，将全力并积极地自我防卫。

为什么美国经济间谍法可以管到中国***和大陆的企业和个人？

***交通大学教授林志洁表示，在美国经济间谍法中，采取的就是扩大领域管辖的原则，在这些情形下，发生于美国境外的经济间谍或营业秘密侵害行为，美国也有管辖权。 此外，美国承认组织体犯罪，联电公司本身，可以作为刑事行为人和被告。

林志洁说，美国联邦经济间谍法处罚未遂犯，只要「着手」即可，不需要拿到东西才算，所以开始窃取就已经具备可罚性。 另外，联邦经济间谍法也处罚共谋。 如果A和B共谋窃取C的营业秘密，且知道这个营业秘密将会裨益外国政府，A和B也确实去窃取了，A和Ｂ都会成立经济间谍犯罪及共谋经济间谍犯罪。