深入了解MPS751硅PNP晶体管:特性、参数与应用考量
一、公司背景与声明
ON Semiconductor现更名为onsemi。该公司拥有众多专利、商标、版权等知识产权,产品信息可在其官网www.onsemi.com查询,产品专利覆盖情况可访问www.onsemi.com/site/pdf/Patent - Marking.pdf获取。需要注意的是,onsemi有权随时更改产品或信息,且不承担产品应用中的相关责任。其产品不适合用于生命支持系统、FDA Class 3医疗设备等特定场景,如果买家将产品用于非授权应用,需承担相应责任。
文件下载:MPS751-D.PDF
二、MPS751硅PNP晶体管概述
MPS751是一款硅PNP晶体管,具有低饱和电压的特性。其引脚分别为1. 发射极(Emitter)、2. 基极(Base)、3. 集电极(Collector)。
三、绝对最大额定值
| 在环境温度 (T_{C}=25^{circ} C)(除非另有说明)的条件下,MPS751的绝对最大额定值如下: | Symbol | Parameter | Value | Units |
|---|---|---|---|---|
| V CEO | 集电极 - 发射极电压 | -60 | V | |
| I C | 集电极电流(直流) | 2 | A | |
| P C | 集电极耗散功率((T_{a}=25 ° C)) | 625 | mW | |
| T J | 结温 | 150 | ° C | |
| T STG | 存储温度 | - 55 ~ 150 | ° C |
这里需要思考的是,在实际设计中,我们必须严格遵守这些额定值,否则可能会导致晶体管性能下降甚至损坏。大家在设计时是否有遇到过因超出额定值而出现问题的情况呢?
四、电气特性
同样在 (T_{C} =25°C)(除非另有说明)的条件下,MPS751的电气特性参数如下:
1. 击穿电压
| Symbol | Parameter | Test Condition | Min. | Typ. | Max. | Units |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BV CBO | 集电极 - 基极电压 | (I_{C} = 100 µ A) | -80 | V | ||
| BV CEO | 集电极 - 发射极电压 | (I_{C} = 10mA) | -60 | V | ||
| BV EBO | 发射极 - 基极电压 | (I_{E} = 10 µ A) | -5 | V |
2. 截止电流
| Symbol | Parameter | Test Condition | Min. | Typ. | Max. | Units |
|---|---|---|---|---|---|---|
| I CBO | 集电极截止电流 | (V_{CB} = 30V) | 100 | nA | ||
| I EBO | 发射极截止电流 | (V_{EB} = 3V) | 100 | nA |
3. 直流电流增益
| Symbol | Parameter | Test Condition | Min. | Typ. | Max. | Units |
|---|---|---|---|---|---|---|
| h FE | 直流电流增益 | (V{CE} = 2V, I{C} = 50mA) (V{CE} = 2V, I{C} = 500mA) (V{CE} = 2V, I{C} = 1A) (V{CE} = 2V, I{C} = 2A) |
75 75 75 40 |
4. 饱和电压
| Symbol | Parameter | Test Condition | Min. | Typ. | Max. | Units |
|---|---|---|---|---|---|---|
| V CE (sat) | 集电极 - 发射极饱和电压 | (I{C} = 2A, I{B} = 200mA) (I{C} = 1A, I{B} = 100mA) |
0.5 0.3 |
V | ||
| V BE (sat) | 基极 - 发射极饱和电压 | (I{C} = 1A, I{B} = 100mA) | 1.2 | V |
5. 导通电压
| Symbol | Parameter | Test Condition | Min. | Typ. | Max. | Units |
|---|---|---|---|---|---|---|
| V BE (on) | 基极 - 发射极导通电压 | (V{CE} = 5V, I{C} = 2mA) | 1 | V |
6. 电流增益带宽积
| Symbol | Parameter | Test Condition | Min. | Typ. | Max. | Units |
|---|---|---|---|---|---|---|
| f T | 电流增益带宽积 | (V{CE} = 5V, I{C} = 50mA) (f = 100MHz) |
75 | MHz |
这些电气特性参数对于我们设计电路至关重要,不同的参数会影响晶体管在电路中的性能表现。在实际应用中,我们需要根据具体的电路需求来选择合适的参数。大家在设计时是如何权衡这些参数的呢?
五、注意事项
- 这些额定值是限制值,超过这些值可能会损害半导体器件的使用寿命。
- 上述额定值是稳态限制,对于涉及脉冲或低占空比操作的应用,应咨询厂家。
- 这些额定值基于最大结温150°C。
六、产品订购与技术支持
如果需要订购相关文献,可以通过以下方式:
- 文献配送中心:Literature Distribution Center for ON Semiconductor 19521 E. 32nd Pkwy, Aurora, Colorado 80011 USA
- 电话:303 - 675 - 2175 或 800 - 344 - 3860(美国/加拿大免费)
- 传真:303 - 675 - 2176 或 800 - 344 - 3867(美国/加拿大免费)
- 邮箱:orderlit@onsemi.com
技术支持方面:
- 北美技术支持:800 - 282 - 9855(美国/加拿大免费)
- 欧洲、中东和非洲技术支持:电话421 33 790 2910
- 日本客户服务中心:电话81 - 3 - 5817 - 1050
更多信息可访问官网www.onsemi.com,也可联系当地销售代表。
总之,MPS751硅PNP晶体管在电子设计中有着广泛的应用前景,但在使用过程中,我们必须充分了解其各项参数和注意事项,以确保电路的稳定性和可靠性。大家在使用MPS751或者其他类似晶体管时,有什么独特的经验或技巧吗?欢迎分享交流。
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