解析onsemi PZT651 NPN硅平面外延晶体管

在电子工程师的日常设计工作中，晶体管是非常基础且关键的元件。今天我们一起深入了解 onsemi 推出的 PZT651 NPN 硅平面外延晶体管，看看它在设计应用中能带来哪些便利和优势。

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产品概述

PZT651 是一款专为工业和消费应用设计的 NPN 硅外延晶体管。它采用 SOT−223 封装，这种封装专为中等功率表面贴装应用打造，具有显著优点。一方面，它能确保水平安装，从而改善热传导性能；另一方面，方便对焊点进行目视检查。此外，成型引脚可在焊接过程中吸收热应力，避免芯片受损。

产品特性

高电流特性

PZT651 具备高电流能力，其 SOT−223 封装支持波峰焊或回流焊工艺，方便工程师在不同的焊接场景中使用。同时，它有 PNP 互补型号 PZT751T1G，为电路设计提供了更多的选择。

应用前缀与认证

产品带有 S 前缀，适用于汽车及其他有独特场地和控制变更要求的应用。并且它通过了 AEC−Q101 认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力，这意味着它在质量和可靠性上达到了较高的标准，能满足汽车等对安全性和稳定性要求极高的应用场景。

环保特性

该晶体管是无铅、无卤素/无溴化阻燃剂的，并且符合 RoHS 标准，响应了环保的趋势，也满足了相关法规的要求。

关键参数

最大额定值

额定参数	符号	值	单位
集电极 - 发射极电压	VCEO	60	Vdc
集电极 - 基极电压	VCBO	80	Vdc
发射极 - 基极电压	VEBO	5.0	Vdc
集电极电流	IC	2.0	Adc
总功率耗散（TA = 25 °C）及 25 °C 以上降额	PD	0.8 / 6.4 mW/°C W
存储温度范围	Tstg	-65 至 150	°C
结温	TJ	150	°C

需要注意的是，超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制，不能保证器件的功能正常，可能会造成损坏并影响可靠性。并且这里的功率耗散是在器件安装在使用最小推荐焊盘的 FR - 4 玻璃环氧印刷电路板上的情况。

热特性

特性	符号	最大值	单位
自由空气中结到环境的热阻	RUA	156	°C/W
焊接的最高温度	TL	260
焊锡浴中的时间		10	Sec

电气特性

截止特性

• 集电极 - 发射极击穿电压（$I{C}= 10 mAdc$，$I{B}=0$）：$V_{(BR)CEO}$ 最小为 60 Vdc。
• 集电极 - 基极击穿电压（$I{C}= 100mu Adc$，$I{E}=0$）：$V_{(BR)CBO}$ 最小为 80 Vdc。
• 发射极 - 基极击穿电压（$I{E}= 10 mu Adc$，$I{C} =0$）：$V_{(BR)EBO}$ 最小为 5.0 Vdc。
• 基极 - 发射极截止电流（$V{EB} = 4.0 Vdc$）：$I{EBO}$ 最大为 0.1 uAdc。
• 集电极 - 基极截止电流（$V{CB}=80Vdc$，$I{E}=0$）：$I_{CBO}$ 最大为 100 nAdc。

导通特性

• 直流电流增益（$I{C}=50 mAdc$，$V{CE}=2.0Vdc$ 等不同条件）：$h_{FE}$ 在不同电流下有不同的取值范围。
• 集电极 - 发射极饱和电压（$I{C}=2.0 Adc$，$I{B}=200 mAdc$ 等）：$V_{CE(sat)}$ 有不同的最大值。
• 基极 - 发射极电压（$I{C}=1.0 Adc$，$V{CE}=2.0 Vdc$）：$V_{BE(on)}$ 最大为 1.0 Vdc。
• 基极 - 发射极饱和电压（$I{C}=1.0 Adc$，$I{B}=100 mAdc$）：$V_{BE(sat)}$ 最大为 1.2 Vdc。
• 电流增益 - 带宽（$I{C}=50 mAdc$，$V{CE}=5.0 Vdc$，$f=100 MHz$）：$f_{T}$ 最小为 75 MHz。

这里需要注意的是，产品的参数性能是在列出的测试条件下给出的，如果在不同条件下运行，产品性能可能无法通过电气特性体现。并且对于导通特性的测试是脉冲测试，脉冲宽度 ≤300 μs，占空比 =2.0 %。

订购信息

器件型号	封装	包装
PZT651T1G	SOT−223（无铅）	1,000 / 带盘
SPZT651T1G	SOT−223（无铅）	1,000 / 带盘

如果需要了解带盘规格的详细信息，包括元件方向和带盘尺寸等，可以参考其带盘包装规格手册 BRD8011/D。

在实际的电路设计中，电子工程师们需要根据具体的应用场景和要求，综合考虑 PZT651 的各项特性和参数，以确保设计出的电路能够稳定、可靠地运行。大家在使用这款晶体管的过程中，有没有遇到过什么特别的问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享交流。