安森美（onsemi）齐纳ESD保护二极管：小身材大作用

在电子设备的设计中，瞬态过电压保护是一个关键环节，它能有效保障设备在复杂电磁环境下的稳定运行。安森美（onsemi）推出的MA3075WALT1G和SZMA3075WALT1G齐纳ESD保护二极管，为我们提供了出色的解决方案。

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产品概述

MA3075WALT1G和SZMA3075WALT1G是双单片硅齐纳二极管，专为需要瞬态过电压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电（ESD）敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等。其独特的双结共阳极设计，仅用一个封装就能保护两条独立线路，非常适合对电路板空间要求较高的场景。

产品特性

封装与配置

采用SOT - 23封装，这种封装允许实现两种独立的单向配置。对于电子工程师来说，这意味着在设计电路板时，能够更灵活地布局电路，提高空间利用率。你是否在设计中遇到过因封装限制而无法实现理想布局的情况呢？

低泄漏电流

在5.0V电压下，泄漏电流小于1μA。低泄漏电流有助于降低功耗，提高设备的能效，对于电池供电的设备尤为重要。想象一下，如果设备的泄漏电流过大，电池的续航时间将会大大缩短。

击穿电压

在5mA电流下，击穿电压范围为7.2 - 7.9V。这个稳定的击穿电压能够确保在过电压发生时，二极管及时起到保护作用，将电压限制在安全范围内。

低电容

在0V、1MHz条件下，典型电容为80pF。低电容特性使得该二极管在高频电路中也能保持良好的性能，减少信号失真。在高频信号处理中，电容的大小对信号质量有着重要影响，你是否关注过电容对信号的影响呢？

ESD保护能力

能够满足16kV人体模型、30kV空气和接触放电的ESD保护要求。这意味着该二极管能够有效抵御静电放电带来的损害，保护设备的安全运行。在实际生产和使用过程中，静电放电是一个常见的问题，你是否有过因ESD导致设备故障的经历呢？

汽车级应用

SZ前缀的产品适用于汽车和其他有独特场地和控制变更要求的应用，并且通过了AEC - Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。这为汽车电子等对可靠性要求极高的领域提供了可靠的保护方案。

环保特性

这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准。在环保意识日益增强的今天，选择环保型的电子元件也是一种社会责任。

机械特性

封装结构

采用无空洞、传递模塑、热固性塑料外壳，具有耐腐蚀的表面处理，易于焊接。这种结构设计不仅保证了二极管的机械稳定性，还方便了生产过程中的焊接操作。

自动化装配

封装设计适合优化自动化电路板组装，提高生产效率。对于大规模生产来说，自动化装配能够降低成本，提高产品的一致性。

小尺寸

小封装尺寸适用于高密度应用，能够满足现代电子设备小型化的需求。在追求轻薄便携的今天，小尺寸的元件显得尤为重要。

最大额定值

额定值	符号	值	单位
100μs脉冲下的峰值功率耗散	Ppk	15	W
25°C以上的稳态功率耗散降额	PD	225 - 1.8mW/°C	mW
结到环境的热阻	RθJA	556	°C/W
最大结温	Tjmax	150	°C
工作结温和储存温度范围	TJ, Tstg	-55 to +150	°C
ESD放电（MIL STD 883C - Method 3015 - 6、IEC61000 - 4 - 2空气放电、IEC61000 - 4 - 2接触放电）	VPP	16、30、30	kV

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。在设计电路时，一定要确保器件的工作条件在额定值范围内。

电气特性

正向电压

在IF = 10mA时，正向电压VF为0.8 - 0.9V。正向电压的大小会影响二极管的导通性能，在实际应用中需要根据具体需求进行选择。

齐纳电压

在IZ = 5mA时，齐纳电压VZ为7.2 - 7.9V。齐纳电压是该二极管的重要参数之一，它决定了二极管在过电压保护中的作用。

反向电流

在VR = 5V时，反向电流IR1为1μA；在VR = 6.5V时，反向电流IR2为60μA。反向电流的大小反映了二极管的反向泄漏情况，较小的反向电流有助于提高二极管的性能。

温度系数

SZ型号在IZ = 5mA时，齐纳电压的温度系数为2.5 - 5.3mV/°C。温度系数会影响二极管在不同温度环境下的性能，在设计时需要考虑温度对其的影响。

终端电容

在VR = 0V时，终端电容Ct为80pF。电容的大小会影响二极管在高频电路中的性能，在高频应用中需要选择合适的电容值。

封装尺寸与引脚定义

封装尺寸

SOT - 23（TO - 236）封装，尺寸为2.90x1.30x1.00mm，引脚间距为1.90mm。详细的尺寸参数如下：	尺寸	最小值	标称值	最大值
A	0.89	1.00	1.11
A1	0.01	0.06	0.10
b	0.37	0.44	0.50
C	0.08	0.14	0.20
D	2.80	2.90	3.04
E	1.20	1.30	1.40
e	1.78	1.90	2.04
L	0.30	0.43	0.55
L1	0.35	0.54	0.69
HE	2.10	2.40	2.64
T	0°		10°

引脚定义

引脚1和2为阴极，引脚3为阳极。在进行电路连接时，一定要注意引脚的正确连接，否则可能会导致二极管无法正常工作。

订购信息

器件	封装	包装方式
MA3075WALT1G	SOT - 23（无铅）	3000 / 卷带包装
SZMA3075WALT1G	SOT - 23（无铅）	3000 / 卷带包装

需要注意的是，MA3075WALT1G已停产，不建议用于新设计。在选择器件时，一定要根据实际需求和产品的可用性进行选择。

总结

安森美（onsemi）的MA3075WALT1G和SZMA3075WALT1G齐纳ESD保护二极管以其出色的性能和特性，为电子设备的瞬态过电压保护提供了可靠的解决方案。在设计电子电路时，我们可以根据具体的应用场景和需求，合理选择这些二极管，确保设备的稳定运行。你在实际应用中是否使用过类似的保护二极管呢？它们的表现如何？欢迎在评论区分享你的经验和见解。