0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

达林顿放大晶体管MMBTA13L、SMMBTA13L、MMBTA14L、SMMBTA14L深度解析

lhl545545 2026-05-15 14:40 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

达林顿放大晶体管MMBTA13L、SMMBTA13L、MMBTA14L、SMMBTA14L深度解析

在电子电路设计中,晶体管是不可或缺的基础元件。今天我们来详细探讨一下安森美(onsemi)的达林顿放大晶体管MMBTA13L、SMMBTA13L、MMBTA14L、SMMBTA14L,看看它们有哪些特性和优势,以及在实际应用中需要注意的地方。

文件下载:MMBTA13LT1-D.PDF

产品特性

应用与认证

这些晶体管带有“S”前缀,适用于汽车及其他有独特场地和控制变更要求的应用。它们通过了AEC - Q101认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力,这意味着它们在汽车等对可靠性要求极高的领域也能稳定工作。

环保特性

产品符合无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR)标准,并且符合RoHS指令。这不仅响应了环保要求,也为产品在全球市场的推广提供了便利。

最大额定值

额定值 符号 单位
集电极 - 发射极电压 VCES 30 Vdc
集电极 - 基极电压 VCBO 30 Vdc
发射极 - 基极电压 VEBO 10 Vdc
集电极连续电流 IC 300 mAdc

这些额定值是设计电路时的重要参考,超过这些值可能会损坏器件,影响其功能和可靠性。大家在设计时一定要严格遵守这些参数,避免因过载而导致器件损坏。

热特性

特性 符号 单位
总器件耗散(FR - 5板) mW
结到环境的热阻 556
基板(注2),$T_{A}=25^{circ}C$,25°C以上降额 300 2.4
RBA
结和存储温度范围 -55 到 +150 °C

热特性对于晶体管的稳定工作至关重要。在实际应用中,我们需要根据热阻等参数来设计散热方案,确保晶体管在合适的温度范围内工作。大家有没有在设计散热方案时遇到过什么难题呢?

电气特性

截止特性

  • 集电极 - 发射极击穿电压:当集电极电流$I{C}=100mu Adc$,基极 - 发射极电压$V{BE}=0$时,$V_{(BR)CES}$为30Vdc。
  • 集电极截止电流:在集电极 - 基极电压$V{CB}=30Vdc$,发射极电流$I{E}=0$时,$I_{CBO}$为100nAdc。
  • 发射极截止电流:当发射极 - 基极电压$V{EB}=10Vdc$,集电极电流$I{C}=0$时,$I_{EBO}$为100nAdc。

导通特性

  • 直流电流增益$h_{FE}$:在不同的集电极电流和集电极 - 发射极电压条件下,MMBTA13、SMMBTA13和MMBTA14、SMMBTA14的直流电流增益有所不同。例如,当$I{C}=10mAdc$,$V{CE}=5.0Vdc$时,MMBTA13、SMMBTA13的$h{FE}$为5000,MMBTA14、SMMBTA14的$h{FE}$为10000;当$I{C}=100mAdc$,$V{CE}=5.0Vdc$时,MMBTA13、SMMBTA13的$h{FE}$为20000,MMBTA14、SMMBTA14的$h{FE}$为10000。
  • 集电极 - 发射极饱和电压:当$I{C}=100mAdc$,$I{B}=0.1mAdc$时,$V_{CE(sat)}$为1.5Vdc。
  • 基极 - 发射极导通电压:当$I{C}=100mAdc$,$V{CE}=5.0Vdc$时,$V_{BE}$为2.0Vdc。

信号特性

电流 - 增益带宽积$f{T}$:当$I{C}=10mAdc$,$V{CE}=5.0Vdc$,频率$f = 100MHz$时,$f{T}$为125MHz。

这些电气特性是我们设计电路时选择晶体管的重要依据。大家在实际应用中,是如何根据这些特性来选择合适的晶体管的呢?

噪声特性

文档中给出了在$V{CE}=5.0VDC$,$T{A}=25^{circ}C$条件下的噪声电压、噪声电流、总宽带噪声电压和宽带噪声系数等相关图表。噪声特性对于一些对信号质量要求较高的应用非常重要,我们在设计时需要根据具体需求来评估晶体管的噪声性能。

封装与订购信息

封装

这些晶体管采用SOT - 23(TO - 236)封装,尺寸为2.90x1.30x1.00 1.90P。文档中还给出了详细的封装尺寸图和标注图,方便我们进行PCB设计

订购信息

器件 封装 包装数量
MMBTA13LT1G, SMMBTA13LT1G SOT - 23(无铅) 3000 / 卷带
MMBTA14LT1G, SMMBTA14LT1G SOT - 23(无铅) 3000 / 卷带
SMMBTA14LT3G SOT - 23(无铅) 10000 / 卷带

在订购时,我们需要根据实际需求选择合适的器件和包装数量。同时,要注意查看相关的卷带规格说明,确保器件的正确安装和使用。

总结

安森美(onsemi)的达林顿放大晶体管MMBTA13L、SMMBTA13L、MMBTA14L、SMMBTA14L具有多种特性和优势,适用于多种应用场景。在设计电路时,我们需要充分了解这些晶体管的各项参数和特性,根据实际需求进行合理选择和使用。同时,要严格遵守最大额定值等参数要求,确保器件的稳定工作。大家在使用这些晶体管的过程中,有没有什么独特的经验或者遇到过什么问题呢?欢迎在评论区分享。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 安森美
    +关注

    关注

    33

    文章

    2406

    浏览量

    95918
  • 电子电路设计

    关注

    0

    文章

    97

    浏览量

    10244
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    IGT2731L120雷达晶体管现货

    IGT2731L120IGT2731L120现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司,Integra Technologies公司成立于1997年,是一家通过ISO 9001:2008认证的射频功率晶体管,托盘和高功率放大器(HP
    发表于 11-12 10:26

    MMBTA64L PNP双极达林顿晶体管

    电子发烧友网为你提供ON Semiconductor(ti)MMBTA64L相关产品参数、数据手册,更有MMBTA64L的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料,MMBTA64L真值表,
    发表于 08-03 10:02
    <b class='flag-5'>MMBTA64L</b> PNP双极<b class='flag-5'>达林顿</b><b class='flag-5'>晶体管</b>

    MMBTA14L NPN双极达林顿晶体管

    电子发烧友网为你提供ON Semiconductor(ti)MMBTA14L相关产品参数、数据手册,更有MMBTA14L的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料,MMBTA14L真值表,
    发表于 08-03 10:02
    <b class='flag-5'>MMBTA14L</b> NPN双极<b class='flag-5'>达林顿</b><b class='flag-5'>晶体管</b>

    深入解析 onsemi 的 NPN 达林顿晶体管 PZTA28 和 MMBTA28

    深入解析 onsemi 的 NPN 达林顿晶体管 PZTA28 和 MMBTA28 在电子设计领域,晶体管是不可或缺的基础元件。今天,我们就
    的头像 发表于 05-15 14:40 99次阅读

    安森美Darlington晶体管:高性能PNP硅材料器件的解析

    )的Darlington晶体管,具体涉及MMBTA63LT1G、MMBTA64LT1G和SMMBTA64LT1G这三款PNP硅材料器件。 文件下载:
    的头像 发表于 05-15 15:05 89次阅读

    深入解析 onsemi MMBTA56W/SMMBTA56W PNP 硅驱动晶体管

    深入解析 onsemi MMBTA56W/SMMBTA56W PNP 硅驱动晶体管 在电子设计领域,选择合适的晶体管至关重要。今天我们要深入
    的头像 发表于 05-20 15:45 39次阅读

    Onsemi高压PNP硅晶体管MMBTA92LSMMBTA92LMMBTA93L技术剖析

    Onsemi高压PNP硅晶体管MMBTA92LSMMBTA92LMMBTA93L技术剖析 一、引言 在电子电路设计中,晶体管是至关重要的
    的头像 发表于 05-20 15:50 40次阅读

    Onsemi PNP硅驱动晶体管MMBTA55LMMBTA56LSMMBTA56L系列产品解析

    Onsemi PNP硅驱动晶体管MMBTA55LMMBTA56LSMMBTA56L系列产品解析 在电子设计领域,选择合适的
    的头像 发表于 05-20 15:50 41次阅读

    深入解析 onsemi MMBTA06W 和 SMMBTA06W 驱动晶体管

    深入解析 onsemi MMBTA06W 和 SMMBTA06W 驱动晶体管 在电子设计领域,晶体管是不可或缺的基础元件。今天,我们将深入探
    的头像 发表于 05-20 16:25 176次阅读

    深入解析 onsemi MMBTA05LMMBTA06L 驱动晶体管

    深入解析 onsemi MMBTA05LMMBTA06L 驱动晶体管 在电子设计领域,驱动晶体管是不可或缺的基础元件。今天,我们来详细
    的头像 发表于 05-20 16:25 193次阅读

    高压晶体管MMBTA42LSMMBTA42LMMBTA43L的特性与应用解析

    高压晶体管MMBTA42LSMMBTA42LMMBTA43L的特性与应用解析 在电子设计领域,高压
    的头像 发表于 05-20 16:35 206次阅读

    onsemi MMBT5550L和MMBT5551L高压晶体管:特性、参数与应用解析

    onsemi MMBT5550L和MMBT5551L高压晶体管:特性、参数与应用解析 在电子设计领域,高压晶体管是众多电路设计中不可或缺的关
    的头像 发表于 05-20 16:40 202次阅读

    onsemi NPN硅低噪声晶体管MMBT5088L和MMBT5089L深度解析

    onsemi NPN硅低噪声晶体管MMBT5088L和MMBT5089L深度解析 在电子设备的设计中,
    的头像 发表于 05-20 17:00 215次阅读

    深入解析MMBT4401L和SMMBT4401L开关晶体管

    深入解析MMBT4401L和SMMBT4401L开关晶体管 在电子设计领域,开关晶体管是不可或缺的基础元件。今天,我们就来深入探讨安森美(o
    的头像 发表于 05-20 17:05 235次阅读

    通用PNP硅晶体管MMBT3906L和SMMBT3906L深度剖析

    通用PNP硅晶体管MMBT3906L和SMMBT3906L深度剖析 在电子设计领域,晶体管是极为关键的基础元件。今天,我们就来深入了解安森美
    的头像 发表于 05-20 17:25 303次阅读