EPC9066开发板快速上手指南

一、开发板概述

EPC9066开发板是一款用于评估EPC8004增强型氮化镓（eGaN®）场效应晶体管（FET）性能的工具。它具有40V的最大器件电压和2.7A的最大输出电流，采用半桥结构并集成了板载栅极驱动器。

文件下载：EPC9066.pdf

特点

1. 同步FET自举电路：采用EPC2038 eGaN FET的同步FET自举电路，消除了栅极驱动器内部自举二极管反向恢复损耗引起的高端器件损耗，显著提高了半桥电路的工作频率能力。
2. 集成关键组件：开发板尺寸为2” x 1.5”，包含两个EPC8004 eGaN FET，采用德州仪器LM5113栅极驱动器以及电源和旁路电容。板上集成了所有关键组件和优化的布局，以实现最佳开关性能。
3. 便于测试：设有多个探测点，方便进行简单的波形测量和效率计算。还提供了用于添加客户组件的焊盘，便于在降压转换器或零电压开关（ZVS）D类放大器配置中进行测试。

二、快速启动步骤

1. 配置操作模式

将开发板配置为ZVS D类操作或降压转换器操作。

2. 连接电源

在电源关闭的情况下，将输入电源总线连接到+VIN（J1），将接地/返回连接到–VIN（J4）。

3. 连接负载

• ZVS D类操作：在电源关闭时，将高频负载连接到高频输出（RF - J2或Vsw - J3和GND - J4）。
• 降压转换器操作：在电源关闭时，将直流负载连接到直流输出（+Vout - J5和GND - J4）。

4. 连接栅极驱动输入

在电源关闭时，将栅极驱动输入连接到+VDD（J90，Pin - 1），将接地返回连接到–VDD（J90，Pin - 2）。

5. 连接PWM控制信号

在电源关闭时，将输入PWM控制信号连接到PWM（J70，Pin - 1），将接地返回连接到J70的Pin - 2或Pin - 4。

6. 开启栅极驱动电源

确保电源在7.5V至12V范围内。

7. 开启控制器/PWM输入源

探测开关节点以观察开关操作。

8. 开启总线电压

将总线电压调节到所需值，但不要超过Vov上的绝对最大电压52V。缓慢增加电压，同时监控操作，确保FET在其数据手册参数范围内工作。

9. 调整参数

一旦开发板开始工作，在操作范围内调整总线电压和负载PWM控制，观察输出开关行为、效率和其他参数。

10. 关闭操作

按照上述步骤的相反顺序进行关闭操作。在测量高频内容开关节点时，要注意避免使用长接地引线。应将示波器探头尖端穿过开关节点上的大过孔（为此目的而设计），并将探头直接接地到提供的GND端子。

三、性能参数

符号	参数	条件	最小值	最大值	单位
VDD	栅极驱动输入电源范围	-	7.5	12	V
VIN	总线输入电压范围	-	-	32*	V
VOUT	开关节点输出电压	-	-	40	V
IOUT	开关节点输出电流	-	-	2.7*	A
VPWM（输入‘High’）	PWM逻辑输入电压阈值	-	1.5	6	V
VPWM（输入‘Low’）	-	-	-	-	-
最小‘High’状态输入脉冲宽度	VPWM上升和下降时间 < 10ns	-	40	-	ns
最小‘Low’状态输入脉冲宽度	VPWM上升和下降时间 < 10ns	-	160#	-	ns

注：*假设为电感负载，最大电流取决于管芯温度，实际最大电流受开关频率、总线电压和热条件影响；#受高端自举电源电压‘刷新’所需时间限制。

四、热管理考虑

虽然EPC8004 eGaN FET的电气性能优于传统硅器件，但由于其尺寸相对较小，热管理要求更高。EPC9066开发板适用于在低环境温度和对流冷却条件下进行台式评估。添加散热片和强制风冷可以显著提高这些器件的电流额定值，但要注意不要超过管芯的绝对最大温度125°C。需要注意的是，EPC9066开发板上没有任何电流或热保护装置。

五、物料清单

开发板包含多种组件，如电容、电阻、二极管、FET、IC等，具体信息可参考文档中的物料清单表格。此外，还有一些可选组件，可根据实际需求进行添加。

六、注意事项

EPC9066开发板仅用于产品评估目的，不适合商业用途。它未设计用于符合欧盟电磁兼容性指令或其他类似指令或法规。由于板卡的构建有时受产品可用性的影响，板卡可能包含不符合RoHS标准的组件或组装材料。EPC不保证购买的板卡100%符合RoHS标准，也不承担应用协助、客户产品设计、软件性能或专利或其他知识产权侵权的责任。EPC保留随时更改电路和规格的权利，且无需事先通知。

你在使用EPC9066开发板的过程中遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。