深入解析FSBB20CH120DF Motion SPM® 3系列模块
在电子工程师的日常设计工作中,高性能的功率模块是实现高效、可靠电路设计的关键。今天,我们就来详细探讨一下ON Semiconductor的FSBB20CH120DF Motion SPM® 3系列模块,它在电机驱动等领域有着广泛的应用。
文件下载:FSBB20CH120DF-D.pdf
一、模块概述
FSBB20CH120DF是一款先进的Motion SPM® 3模块,专为交流感应、无刷直流(BLDC)和永磁同步(PMSM)电机提供全功能、高性能的逆变器输出级。它集成了内置IGBT的优化栅极驱动,能有效降低电磁干扰(EMI)和损耗,同时具备多种模块级保护功能,如欠压锁定、过流关断、驱动IC的热监测和故障报告等。
二、模块特性
(一)电气特性
- 高电压与大电流处理能力:具备1200V - 20A的三相IGBT逆变器,能够满足多种工业应用的需求。在逆变器部分,其集电极 - 发射极电压((V{CES}))可达1200V,每个IGBT集电极电流((pm I{C}))在(T{C} = 25^{circ}C),(T{J} leq 150^{circ}C)时为20A,峰值电流((pm I_{CP}))在相同条件下,1ms脉冲宽度时可达40A。
- 低损耗与快速开关特性:低损耗的IGBT和快速的开关时间是该模块的一大亮点。例如,在(V{PN} = 600V),(V{CC} = 15V),(I{C} = 20A),(T{J} = 25^{circ}C)的条件下,高侧(HS)的开通时间((t{ON}))典型值为1.05μs,关断时间((t{OFF}))典型值为1.70μs;低侧(LS)的开通时间((t{ON}))典型值为0.90μs,关断时间((t{OFF}))典型值为1.60μs。
- 保护功能完善:集成了欠压锁定保护(UVLO)和短路保护(SCP)等功能。对于逆变器高侧IGBT,有栅极驱动电路、高压隔离高速电平转换控制电路和欠压锁定保护;对于逆变器低侧IGBT,有栅极驱动电路、短路保护控制电源电路和欠压锁定保护。同时,还具备故障信号输出,对应欠压(低侧电源)和短路故障。
(二)热特性
采用AlN DBC基板,具有非常低的热阻。逆变器IGBT部分(每1/6模块)的结到壳热阻((R{th(j - c)Q}))最大为0.55°C/W,逆变器续流二极管部分(每1/6模块)的结到壳热阻((R{th(j - c)F}))最大为0.90°C/W,这有助于模块在工作时有效散热,保证其稳定性和可靠性。
(三)其他特性
- UL认证:获得UL认证(编号E209204,UL1557),符合相关安全标准。
- 简化PCB布局:专用的(V_{S})引脚简化了PCB布局,同时低侧IGBT的独立开集电极引脚可用于三相电流检测。
- 单接地电源:只需单接地电源,降低了电源设计的复杂度。
- 温度监测:内置LVIC温度传感功能,可用于温度监测。
- 隔离等级:隔离额定值为2500Vrms / 1min,提供了良好的电气隔离性能。
三、应用领域
主要应用于工业电机(AC 400V类)的运动控制领域。在实际应用中,它能够为电机提供高效、稳定的驱动,满足工业生产对电机性能的要求。大家在实际设计中,是否遇到过因模块性能不足而导致电机驱动不稳定的情况呢?
四、引脚配置与说明
(一)引脚配置
该模块共有27个引脚,包括电源引脚、信号输入引脚、故障输出引脚、温度传感引脚等。具体引脚配置可参考文档中的引脚图。
(二)引脚说明
| 引脚编号 | 引脚名称 | 引脚描述 |
|---|---|---|
| 1 | (V_{CC(L)}) | 用于IC和IGBT驱动的低侧公共偏置电压 |
| 2 | COM | 公共电源地 |
| 3 | IN (UL) | 低侧U相的信号输入 |
| 4 | IN (VL) | 低侧V相的信号输入 |
| 5 | IN (WL) | 低侧W相的信号输入 |
| 6 | (V_{FO}) | 故障输出 |
| 7 | (V_{TS}) | LVIC温度传感电压输出 |
| 8 | (C_{SC}) | 用于短路电流检测输入的电容(低通滤波器) |
| 9 | IN (UH) | 高侧U相的信号输入 |
| 10 | (V_{CC(WH)}) | 用于IC和IGBT驱动的高侧公共偏置电压 |
| 11 | (V_{B(U)}) | 用于U相IGBT驱动的高侧偏置电压 |
| 12 | (V_{S(U)}) | 用于U相IGBT驱动的高侧偏置电压地 |
| 13 | IN (VH) | 高侧V相的信号输入 |
| 14 | (V_{CC(VH)}) | 用于IC和IGBT驱动的高侧公共偏置电压 |
| 15 | (V_{B(V)}) | 用于V相IGBT驱动的高侧偏置电压 |
| 16 | (V_{S(V)}) | 用于V相IGBT驱动的高侧偏置电压地 |
| 17 | IN (WH) | 高侧W相的信号输入 |
| 18 | (V_{CC(UH)}) | 用于IC和IGBT驱动的高侧公共偏置电压 |
| 19 | (V_{B(W)}) | 用于W相IGBT驱动的高侧偏置电压 |
| 20 | (V_{S(W)}) | 用于W相IGBT驱动的高侧偏置电压地 |
| 21 | (N_{U}) | U相的负直流母线输入 |
| 22 | (N_{V}) | V相的负直流母线输入 |
| 23 | (N_{W}) | W相的负直流母线输入 |
| 24 | U | U相的输出 |
| 25 | V | V相的输出 |
| 26 | W | W相的输出 |
| 27 | P | 正直流母线输入 |
在实际设计中,正确理解和使用这些引脚是确保模块正常工作的关键。大家在处理引脚连接时,有没有遇到过一些容易混淆的地方呢?
五、绝对最大额定值与电气特性
(一)绝对最大额定值
- 逆变器部分:电源电压((V{PN}))在P - (N{U}),(N{V}),(N{W})之间的额定值为900V,浪涌电压((V{PN(Surge)}))为1000V;集电极 - 发射极电压((V{CES}))为1200V;每个IGBT集电极电流((pm I{C}))在(T{C} = 25^{circ}C),(T{J} leq 150^{circ}C)时为20A,峰值电流((pm I{CP}))在相同条件下,1ms脉冲宽度时可达40A;集电极耗散功率((P{C}))在(T{C} = 25^{circ}C)时为227W;工作结温((T_{J}))范围为 - 40 ~ 150°C。
- 控制部分:控制电源电压((V{CC}))在(V{CC(H)}),(V{CC(L)}) - COM之间的额定值为20V;高侧控制偏置电压((V{BS}))在(V{B(U)}) - (V{S(U)}),(V{B(V)}) - (V{S(V)}),(V{B(W)}) - (V{S(W)})之间的额定值为20V;输入信号电压((V{IN}))在IN (UH),IN (VH),IN (WH),IN (UL),IN (VL),IN (WL) - COM之间的范围为 - 0.3 ~ (V{CC}) + 0.3V;故障输出电源电压((V{FO}))在(V{FO}) - COM之间的范围为 - 0.3 ~ (V{CC}) + 0.3V;故障输出电流((I{FO}))在(V{FO})引脚的灌电流为2mA;电流传感输入电压((V{SC}))在(C{SC}) - COM之间的范围为 - 0.3 ~ (V{CC}) + 0.3V。
- 总系统:自保护电源电压极限(短路保护能力)((V{PN(PROT)}))在(V{CC} = V{BS} = 13.5 ~ 16.5V),(T{J} = 150^{circ}C),非重复,< 2μs的条件下为800V;模块外壳工作温度((T{C}))范围为 - 40 ~ 125°C;存储温度((T{STG}))范围为 - 40 ~ 125°C;隔离电压((V_{ISO}))在60Hz,正弦波,交流1分钟,连接引脚到散热板的条件下为2500Vrms。
(二)电气特性
在(T{J} = 25^{circ}C)的条件下,逆变器部分的集电极 - 发射极饱和电压((V{CE(SAT)}))在(V{CC} = V{BS} = 15V),(V{IN} = 5V),(I{C} = 20A)时,典型值为2.20V,最大值为2.80V;续流二极管正向电压((V{F}))在(V{IN} = 0V),(I_{F} = 20A)时,典型值为2.10V,最大值为2.70V。控制部分也有相应的静态和动态电流、电压等参数。
在设计过程中,严格遵守这些额定值和特性是保证模块安全、可靠运行的基础。大家在实际应用中,有没有遇到过因超出额定值而导致模块损坏的情况呢?
六、推荐工作条件
(一)电源电压
电源电压((VPN))在P - (N{U}),(N{V}),(N{W})之间的推荐范围为300 ~ 800V;控制电源电压((V{CC}))在(V{CC(UH)}),(V{CC(VH)}),(V{CC(WH)}) - COM,(V{CC(L)}) - COM之间的推荐范围为13.5 ~ 16.5V;高侧偏置电压((V{BS}))在(V{B(U)}) - (V{S(U)}),(V{B(V)}) - (V{S(V)}),(V{B(W)}) - (V_{S(W)})之间的推荐范围为13.0 ~ 18.5V。
(二)其他参数
控制电源电压变化率((dV{CC} / dt))和高侧偏置电压变化率((dV{BS} / dt))的推荐范围为 - 1 ~ 1V/μs;消隐时间((t{dead}))为2.0μs,用于防止桥臂短路;PWM输入信号频率((f{PWM}))在 - 40°C ≤ (T{C}) ≤ 125°C, - 40°C ≤ (T{J}) ≤ 150°C的条件下为20kHz;电流传感电压((V{SEN}))在(N{U}),(N{V}),(N{W}) - COM之间的范围为 - 5 ~ 5V;最小输入脉冲宽度((P{WIN(ON)})和(P{WIN(OFF)}))在(V{CC} = V{BS} = 15V),(I{C} leq 40A),布线电感 < 10nH的条件下为2.0μs;结温((T{J}))范围为 - 40 ~ 150°C。
在实际设计中,按照推荐工作条件进行参数设置,可以充分发挥模块的性能。大家在调整这些参数时,有没有什么经验可以分享呢?
七、机械特性与安装注意事项
(一)机械特性
模块的平整度在0 ~ +150μm之间;安装扭矩推荐值为0.7N·m(7.1kg·cm),范围为0.6 ~ 0.8N·m(6.2 ~ 8.1kg·cm);端子拉力强度为19.6N,持续10s;端子弯曲强度为9.8N,90°弯曲2次;重量为15g。
(二)安装注意事项
- 安装螺丝时不要过度拧紧,过大的安装扭矩可能会导致DBC基板开裂,以及螺栓和铝散热片损坏。
- 避免单边拧紧应力,应按照推荐的扭矩顺序进行安装,不均匀的安装可能会损坏封装的DBC基板。预拧紧扭矩设置为最大扭矩额定值的20 ~ 30%。
在安装模块时,大家有没有遇到过因安装不当而导致模块性能下降的情况呢?
八、保护功能与应用电路
(一)保护功能
- 欠压保护:包括低侧和高侧的欠压保护。低侧欠压保护在控制电源电压上升到(UV{CCR})后,电路在下次输入信号到来时开始工作;当检测到欠压((UV{CCD}))时,IGBT关断,故障输出以固定脉冲宽度工作;欠压复位((UV_{CCR}))后,IGBT在下次信号触发时恢复正常工作。高侧欠压保护类似,但没有故障输出信号。
- 短路保护:仅在低侧工作。当检测到短路电流时,所有低侧IGBT的栅极被硬中断,IGBT关断,故障输出以固定脉冲宽度工作;在故障输出有效期间,即使输入为高电平,IGBT也不会导通,直到下一个从低到高的信号触发。
(二)应用电路
文档中给出了推荐的CPU I/O接口电路和典型应用电路。在设计应用电路时,需要注意以下几点:
- 每个输入的布线应尽可能短(小于2 - 3cm),以避免故障。
- (V{FO})输出为开漏类型,信号线应通过一个电阻上拉到MCU或控制电源的正极,使(I{FO})达到2mA。
- 输入信号为高电平有效类型,IC内部有5kΩ的下拉电阻,应采用RC耦合电路防止输入信号振荡,(R{1}C{1})时间常数应选择在50 ~ 150ns范围内(推荐(R{1} = 100Ω),(C{1} = 1nF))。
- 各布线电感应尽量减小(推荐小于10nH),使用表面贴装(SMD)类型的分流电阻R4以降低布线电感。
- 为防止保护功能出错,B、C、D点的布线应尽可能短。
- 在短路保护电路中,(R{6}C{6})时间常数应选择在1.5 ~ 2μs范围内,并在实际系统中进行充分评估。
- 每个电容应尽可能靠近Motion SPM® 3产品的引脚安装。
- 为防止浪涌破坏,平滑电容(C_{7})与P和GND引脚之间的布线应尽可能短,推荐在P和GND引脚之间使用0.1 ~ 0.22μF的高频无感电容。
- 在工业应用中,继电器与CPU之间应保持足够的距离。
- 应采用齐纳二极管或瞬态电压抑制器保护IC免受浪涌破坏,推荐使用22V / 1W的齐纳二极管,其齐纳阻抗特性小于约15Ω。
- (C{2})的容量建议为自举电容(C{3})的7倍左右。
- (C{3})应选择温度特性良好的电解电容,(C{4})应选择0.1 ~ 0.2μF的R类陶瓷电容,具有良好的温度和频率特性。
在设计应用电路时,大家有没有遇到过一些因电路布局不合理而导致的问题呢?
综上所述,FSBB20CH120DF Motion SPM® 3系列模块具有丰富的特性和完善的保护功能,适用于工业电机的运动控制等领域。在实际设计中,电子工程师需要充分了解模块的各项参数和特性,合理进行电路设计和安装,以确保模块的性能和可靠性。大家在使用该模块的过程中,还有哪些问题或经验可以交流呢?
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