2025年11月7-10日,第四届中国电力电子与能量转换大会暨展览会、中国电源学会第二十八届学术年会(CPEEC&CPSSC 2025)在深圳国际会展中心隆重举办,来自海内外电力电子、电源行业专家、学者、知名企业、科研机构、高校等5000余人齐聚深圳。
芯联集成(688469.SH)首次参展便凭借汽车与AI服务器电源领域的核心技术成果,赢得行业顶尖专家与专业观众的高度关注与一致认可。

电源行业泰斗、 美国国家工程院院士、中国工程院外籍院士李泽元,国际电气与电子工程师学会会士、浙江大学电力电子技术研究所所长、原中国电源学会理事长徐德鸿,中国电源学会理事长刘进军、秘书长张磊等行业顶尖大咖亲临展台, 围绕SiC器件在高功率转换领域的应用、汽车与AI服务器电源技术同源升级趋势等议题展开深度交流,对芯联集成在车规级功率半导体的技术迭代速度、AI服务器电源工艺平台的创新突破给予充分肯定。

李泽元- 电源行业泰斗、 美国国家工程院院士、中国工程院外籍院士

徐德鸿-国际电气与电子工程师学会会士、浙江大学电力电子技术研究所所长、原中国电源学会理事长

刘进军-中国电源学会理事长(右1)
本次展会,芯联集成聚焦新能源汽车与AI服务器电源两大核心赛道,集中呈现了技术领先的系列产品与解决方案。
在汽车领域,芯联集成车规级SiC MOSFET、SiC/IGBT功率模组等明星产品备受关注。
· 650V-3300V全系列SiC MOSFET,以及750V/1200V塑封、灌胶SiC/IGBT模块、嵌入式PCB功率模组等

· 适配不同功率段的定制化、低损耗、磁集成设计车载电源磁器件
目前公司主驱用SiC MOSFET及功率模组出货量稳居中国市场第一梯队,国内首条8英寸SiC产线已批量量产 ,相关产品已全面配套国内主流车企及Tier1厂商,为新能源汽车三电系统效率提升与轻量化升级提供关键支撑。

在AI服务器电源领域,芯联集成携多款功率、磁器件技术产品惊艳亮相。
· 功率器件
HVDC/SST应用:1200V/1700V SiC MOSFET等
PSU应用:采用多种封装的高压650V/750V SiC MOSFET;100V/40V SGT MOSFET;650V GaN HEMT
IBC应用:80V/40V SGT MOSFET;100V/40V GaN HEMT
POL应用:携手设计公司伙伴提供多项控制器、DrMos等

· 磁器件
适配不同功率段的定制化、低损耗、磁集成设计AI服务器电源磁器件

目前公司及合作伙伴产出的相关技术产品可全面覆盖现阶段三级电源架构及下一代HVDC、未来SST架构,占到服务器电源BOM成本50%以上,可满足AI服务器电源对高功率密度、大电流开关及高效散热的严苛需求 。
作为首次亮相CPEEC&CPSSC大会的半导体科技创新领军企业,芯联集成通过本次展会全面展现了其在汽车与AI服务器电源领域的技术沉淀与产业化能力。未来,公司将持续聚焦功率、传感器信号链、连接等核心领域,深化与产业链上下游的协同创新,以更高效、可靠的产品解决方案赋能新能源汽车、AI算力中心等场景发展,助力中国新能源及智能化产业高质量升级。
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