晶能光电亮相2025自发光显示产业研讨会

来源：晶能光电

10月30日，2025自发光显示产业研讨会在深圳隆重举行。来自显示产业链的多位专家以及TrendForce分析师在会上发表专题演讲，深入剖析自发光显示的发展前景与未来机遇。

晶能光电外延工艺专家郭啸携《硅衬底GaN技术助力Micro-LED微显产业落地》应邀出席了活动。

他在分享中指出Micro-LED微显示可用于AR/MR/VR、HUD及微投影，其中AR最具成长空间，而光学模组成本占比高达43%，Micro-LED+光波导被视为轻量化AR的理想光引擎。目前，Micro-LED微显示的全彩技术、键合、衬底等均有不同的技术路线。

其中，在Micro-LED产业逐渐朝向更大尺寸衬底发展的背景，硅衬底（GaN-on-Si）技术被视为最佳产业化方案，而大尺寸硅衬底GaN也是Micro-LED微显的主流路线。相较于4–6英寸的蓝宝石衬底，硅衬底更易扩展至8英寸并向12英寸演进，同时具备衬底成本低、波长一致性高、可兼容CMOS工艺以及便于无损剥离等优势，可以充分借助集成电路的工艺和设备，实现高良率、低成本、高效率的Micro-LED微显模组制造。

晶能光电深耕硅衬底GaN基LED产业化技术近20年，率先突破12英寸硅衬底GaN基RGB三基色Micro-LED外延，可与最先进的硅CMOS制程兼容。产品方面，晶能光电已开发覆盖365–650nm的全色系8英寸外延片，其中，硅衬底蓝光LED的EQE峰值接近80%，绿光约为50%，公司也在持续推进InGaN红光外延技术及硅衬底高PPI Micro-LED阵列技术的研发工作。

晶能光电认为，随着硅衬底GaN基Micro-LED技术向8英寸和12英寸演进，以及基于硅衬底Micro-LED的各种全彩技术（量子点光刻，三色堆叠，三色合光）的发展, 硅衬底Micro-LED一定会迎来大规模产业机遇。