0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

NAND形成规模,产能过剩的风险日益高企

存储界 来源:未知 作者:胡薇 2018-08-02 10:27 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

NAND供应过剩问题的可能性正快速提高——随着存储器供应量的持续提升,市场很可能无法消化或者将这些存储资源转化成令供应商满意的利润空间。

当然,没有哪家NAND闪存制造商希望看到这种过剩局面,他们都相信自己的行为理性而客观——但事实显然并非如此。然而就在内存与闪存行业一次又一次享受到稀缺性带来的利润增长之后,如今其终于来到了亏损的悬崖前。就如繁殖过剩的旅鼠一般,它们知道悬崖就在前方,但仍然义无反顾地向前奔跑。

造成这种供过于求前景的原因有三:第一,供应过度; 第二,预期价格往往不像预期那样稳定; 第三,市场需求有所下滑。

需要注意的是,市场对闪存存储资源的需求可能仍在增长,但如果其年增长幅度为5%,而行业的供应量每年提升15%,则代表着相对需求将下降10%。

当客户需要更多闪存资源时,那么NAND就会以商品形式面临市场经济带来的波动,过剩问题也由此产生。供应商无法快速提升其速度或者安全性表现,他们只能通过缩小晶圆尺寸的方式增加NAND产量。目前2D或者叫平面NAND就在采取这种缩小尺寸的作法; 在3D方面,人们努力增加NAND中的层数,并/或同步提升NAND单元中的单位容量。

目前3D NAND的这两种发展趋势皆客观存在,包括64层3D NAND逐步转化为96层,QLC(四级单元)亦在渐渐取代现有TLC(三级单元)。

供应商当然意识到了存储行业正在发生的这些长期性变化,即客户开始放弃速度缓慢的磁盘驱动器,转而采用速度更快的闪存存储资源。供应商们认为市场的相关需求空间很大,且这种趋势将长期保持下去。

制造商们很清楚,在这种背景下增加市场份额与利润的最佳方式,无疑是推出比竞争对手成本更低的闪存产品。更具体地讲,即在单位晶圆上实现更高容量,从而实现单位容量价格降低。

总体来讲,NAND的降价态势已成事实; 但供应商们认为,这将是一波缓慢而长期的下降过程,不会产生断崖式缩水。

闪存代工厂热潮

为了扩大利益,他们正在建设更多闪存晶圆厂,而这将大大增加市场供应量。

英特尔公司于2015年年底在中国大连建立了3D NAND工厂,并计划在2018年年底将其产能翻番。

三星公司则在中国西安的3D NAND工厂中努力提升产量。

SK海力士正在利川建设新工厂,并计划于2020年正式投入使用。此外,其还在扩大另外两座韩国本土工厂的无尘车间面积。利川的M14工厂与位于无锡的另一家工厂亦开始准备生产更高层数的3D NAND芯片。

东芝存储公司/西部数据合资建立的公司正在开发96层3D NAND,其同时亦制造QLC芯片。另外,东芝还在日本岩手县北上市建造有一座新工厂。

两家公司还在对位于日本四日市的现有FAB 6工厂进行扩建,预计其将在2019年投入运营。

中国的清华紫光也在建设自己的3D NAND工厂。美光公司正在对其闪存知识产权采取法律行动,并表示清华紫光从中间商手中窃取到了相关机密技术。

长江存储科技公司等其它中国NAND供应商也在积极兴建代工设施,从而配合中国全面实现存储器生产自给自足的发展目标。

凭借着联合贝恩资本对TMC进行采购,希捷方面将利用来自TMC/西部数据合资工厂的芯片发布SSD产品。

那么,市场能否消化这么多代工厂带来的额外产能?

一位业内观察人士认为,供应过剩将导致价格下跌以及NAND滞销。

DRAMeXchange持悲观态度

DRAMeXchange作为TrendForce公司下辖的事业部,预计称“2018年第三与第四季度,NAND闪存的平均售价将环比下降10%左右。尽管2018年第三季度一般而言应为消费电子产品的传统销售旺季,但最终市场需求的增长仍将低于预期。与此同时,3D NAND闪存的供应量将持续扩大。”

该事业部也对供应过度问题做出了进一步说明。其表示,价格下跌的主要原因在于全方位的供过于求。

今年智能手机的全年出货量预计与去年相当。由于产品在硬件规格方面缺乏差异,智能手机的换机需求一直比较低迷。

笔记本电脑的出货量在2018年上半年表现出强劲的态势,因此其与上年同期相比将有所增长。

虽然对服务器系统的需求正稳步提升,但服务器固态驱动器仍处于供过于求的阶段,目前这一利基市场吸引来了太多希望分一杯羹的厂商。

NAND闪存供应商已经提高了产量预期,这主要源自持续扩大产能并加大对64/72层3D NAND产品的生产比重。

这些因素将引发供应持续过剩,各类NAND闪存产品的合约价格也将在下半年持续走低。

DRAMeXchange预计,2019年上半年传统淡季期间不够理想的价格将继续保持下去。另外结合周期性规律,明年上半年的智能手机、笔记本电脑及平板电脑的出货量预测皆相当保守。

再有,其表示各大厂商向96层3D NAND的过渡预计将进一步增加整体产量,并推动供过于求趋势的升温。

我们认为,随着众多晶圆制造厂的兴建与扩建计划,2019年、2020年到2021年期间这种过度供应很可能真正转化为实际性过剩。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • NAND
    +关注

    关注

    16

    文章

    1747

    浏览量

    140446
  • 存储器
    +关注

    关注

    39

    文章

    7714

    浏览量

    170852

原文标题:NAND产能形成规模,市场价格受到严重威胁

文章出处:【微信号:cunchujie,微信公众号:存储界】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    芯天下的Parallel NAND

    一、并行NAND闪存的基本概念 并行NAND闪存(Parallel NAND)是一种通过多条数据线同时传输多位数据的非易失性存储芯片。不同于串行NAND依靠单线传输数据,并行
    的头像 发表于 10-30 08:37 338次阅读
    芯天下的Parallel <b class='flag-5'>NAND</b>

    NAND Flash的基本原理和结构

    NAND Flash是什么?NAND Flash(闪存)是一种非易失性存储器技术,主要用于数据存储。与传统的DRAM或SRAM不同,NAND Flash在断电后仍能保存数据。它通过电荷的存储与释放来实现数据的存储。
    的头像 发表于 09-08 09:51 5798次阅读
    <b class='flag-5'>NAND</b> Flash的基本原理和结构

    攻克存储芯片制造瓶颈:高精度晶圆切割机助力DRAM/NAND产能跃升

    在存储芯片(DRAM/NAND)制造中,晶圆划片是将整片晶圆分割成单个芯片(Die)的关键后道工序。随着芯片尺寸不断缩小、密度持续增加、晶圆日益变薄(尤其对于高容量3DNAND),传统划片工艺带来
    的头像 发表于 08-08 15:38 876次阅读
    攻克存储芯片制造瓶颈:高精度晶圆切割机助力DRAM/<b class='flag-5'>NAND</b><b class='flag-5'>产能</b>跃升

    反激电源串联使用的风险

    64V10A电源,因尺寸问题无法做到,现想用4个反激电源16V10A串联起来使用,串联后是64V10A,这种串联方式使用有风险吗?
    发表于 07-10 22:34

    创世CS SD NAND 8GByte产品特性介绍#芯片 #SDNAND #8GB #CS创世 #存储

    NAND
    深圳市雷龙发展有限公司
    发布于 :2025年04月24日 17:50:09

    中国为何同时面临算力过剩与短缺 ?

    中国为何同时面临算力过剩与短缺 ?
    的头像 发表于 04-24 15:02 1022次阅读
    中国为何同时面临算力<b class='flag-5'>过剩</b>与短缺 ?

    三星西安NAND闪存工厂将建第九代产线

    近日,据韩媒报道,三星位于中国西安的NAND闪存工厂正在加速推进技术升级与产能扩张计划。该工厂在成功将制程从第六代V-NAND(即136层技术)转换至第八代V-NAND(238层技术)
    的头像 发表于 02-14 13:43 1022次阅读

    NAND Flash厂商2025年重启减产策略

    根据知名研调机构集邦(TrendForce)最新发布的研究报告,NAND Flash产业预计在2025年将持续面临需求疲弱与供给过剩的双重严峻挑战。这一趋势迫使NAND Flash的主要供应商们采取积极措施以应对市场变化。
    的头像 发表于 01-24 14:20 1086次阅读

    雷龙SD NAND试用

    感谢深圳市雷龙发展 Leah @jim 联系免费提供NAND FLASH试用,样品两片芯片和一块转接板已收到。下面是实物样品图片: 提供的两个芯片样品型号分别为CSNP64GCR01-AOW
    发表于 01-19 13:26

    SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定义与比较

    SD nand,贴片式SD卡,使用起来和SD卡一致,不同的是采用,通常采用LGA-8封装,尺寸为8mm x 6mm x 0.75mm,重点是采用贴片封装,可以直接贴在板卡上,直接解决了SD卡固定
    的头像 发表于 01-15 18:16 1400次阅读
    SD <b class='flag-5'>NAND</b>、SPI <b class='flag-5'>NAND</b> 和 Raw <b class='flag-5'>NAND</b> 的定义与比较

    SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定义与比较

    SD nand,贴片式SD卡,使用起来和SD卡一致,不同的是采用,通常采用LGA-8封装,尺寸为8mm x 6mm x 0.75mm,重点是采用贴片封装,可以直接贴在板卡上,直接解决了SD卡固定
    发表于 01-15 18:15

    三星削减中国西安NAND闪存产量应对市场变化

    产量将从平均20万片减少至约17万片。同时,位于韩国华城的生产线也在进行相应调整,整体产能有所下降。 此次减产举措体现了三星电子在激烈市场竞争中的盈利能力保护策略。随着SK海力士等竞争对手不断扩大NAND供应规模,三星电子认为,
    的头像 发表于 01-14 10:08 799次阅读

    EMMC和NAND闪存的区别

    在现代电子设备中,存储技术扮演着至关重要的角色。随着技术的发展,存储解决方案也在不断进步,以满足日益增长的数据存储需求。EMMC(嵌入式多媒体卡)和NAND闪存是两种广泛使用的存储技术,它们在
    的头像 发表于 12-25 09:37 4407次阅读