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高压二极管应用中,是否有足够铜箔/散热片,结温是否接近极限?

MDD辰达半导体 2025-09-17 11:42 次阅读
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半导体器件的可靠性设计中,温度始终是一个绕不开的话题。无论是功率二极管TVS 管还是高压二极管,其寿命与结温(Tj)有着直接关系。客户常常会问:我的电路中参数都选对了,为什么二极管仍然失效?作为 MDD辰达半导体 FAE,我们往往会追溯到一个核心问题——是否有足够铜箔/散热片支撑散热,器件结温是否已经接近极限。

一、结温与器件可靠性的关系
结温(Tj)是指二极管 PN 结区域的实际温度,是器件最关键的热参数之一。
如果结温长期超过 额定最大值(通常为 150℃ 或 175℃),会加速材料老化,导致漏电流增加、反向耐压下降,甚至出现热击穿。
即便结温没有超过极限,每升高 10℃,器件寿命大约会缩短一半,这是半导体 Arrhenius 寿命模型的基本结论。
因此,能否将结温控制在安全范围,是设计成功与否的关键。

二、铜箔与散热片在散热中的作用
铜箔散热
PCB 上,铜箔面积越大,导热越快,热量可以更快扩散到更大区域。
常见做法是:在二极管的阴极或阳极焊盘上铺设较大面积铜箔,并通过过孔连接到多层地平面,形成更大的散热路径。
散热片散热
对于封装较大的高压二极管,可以将其安装在带金属基板或散热片的结构中。
散热片通过与空气对流或外部风扇配合,可以显著降低器件的结温。
合理的铜箔设计可以带来数十度的温差改善,而在功率较大或环境温度较高时,增加散热片几乎是必选项。

三、结温接近极限的风险
当散热不足,结温接近极限时,会出现以下风险:
漏电流指数级增加 ——结温升高会导致载流子热激发增强,反向漏电流成倍增加,进一步加速发热,形成恶性循环。
热击穿可能 ——如果瞬时浪涌叠加在高结温下,容易直接导致 PN 结局部熔毁。
长期可靠性下降 ——焊点、键合丝、封装材料因热循环反复受力,导致微裂纹,进而出现开路或失效。

四、如何判断结温是否安全?
通过热阻计算
公式:Tj = Ta + P × RθJA
其中 Ta 为环境温度,P 为功耗,RθJA 为结到环境的热阻。
如果计算结果接近或超过额定 Tjmax,就需要优化散热。
实测温度
使用热电偶或红外热像仪,在二极管引脚附近测量实际温升,并结合结壳热阻推算结温。
波形分析
如果工作波形中存在频繁浪涌或过冲,需要考虑动态功耗,而不仅是平均功耗。

五、FAE 的设计建议
铜箔面积留足余量:尽可能加大二极管焊盘的铜箔面积,推荐单点不少于 1 cm²,并通过过孔连接到底层大面积铜面。
合理布局散热路径:让发热器件靠近 PCB 边缘或气流通道,避免堆叠过多功率器件在局部区域。
适当加散热片:在高电流、高频率或环境温度较高时,应考虑外接散热片或金属基板设计。
关注环境温度:夏季高温或密闭环境中,散热条件远比实验室恶劣,需要额外降额。
建立热仿真模型:在量产前,使用热仿真软件评估不同 PCB、铜厚和气流条件下的结温变化,提前发现风险。

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高压二极管的失效往往并非源自参数选择错误,而是散热不足造成结温接近极限。是否有足够的铜箔和散热片,是设计能否稳定可靠的关键。作为 FAE,我们建议工程师不仅关注电气参数,更要结合热管理与实际环境条件综合考虑。唯有确保结温远离极限,才能保障高压二极管在长期应用中的可靠性与寿命。

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