Texas Instruments SN74AC573/SN74AC573-Q1八路D型透明锁存器具有三态输出,可驱动高电容或相对低阻抗负载。 该锁存器的工作电源电压范围为2V至6V,自然通风温度范围为-40°C至85°C。SN74AC573/SN74AC573-Q1锁存器非常适合用于I/O端口、缓冲寄存器、双向总线驱动器和工作寄存器。SN74AC573-Q1器件符合AEC-Q100标准,适用于汽车应用。
数据手册:
特性
- 5V时,t
pd最大值为9ns - 输入接受电压高达 6 V
- 3态输出直接驱动总线
- 电源电压范围:2V至6V
- 工作自由空气温度范围:-40 °C至85 °C
功能框图

SN74AC573 Octal D型透明锁存器技术解析与应用指南
一、产品概述
SN74AC573是德州仪器(TI)推出的一款高性能八路D型透明锁存器,采用先进的CMOS工艺制造,工作电压范围2V至6V。该器件具有3态输出特性,可直接驱动总线线路,最大传播延迟仅9ns(5V供电时),适用于缓冲寄存器、双向总线驱动和工作寄存器等应用场景。
二、核心特性
1. 电气特性
- 宽电压工作范围:2V至6V
- 高速响应:最大传播延迟9ns(5V时)
- 驱动能力:
- 连续输出电流±24mA(5V时)
- 短时脉冲驱动能力±75mA(5V时)
- 低功耗:静态电流仅20μA(5.5V时)
- 输入兼容性:输入可接受高达6V的电压
2. 封装选项
| 封装代号 | 封装类型 | 尺寸(mm) | 热阻(°C/W) |
|---|---|---|---|
| RKS | VQFN | 4.5×2.5 | 68 |
| DB | SSOP | 7.2×5.3 | 70 |
| DW | SOIC | 12.8×7.5 | 101.2 |
| PW | TSSOP | 6.5×4.4 | 126.2 |
| N | PDIP | 24.33×6.35 | 69 |
三、功能描述
1. 逻辑架构
SN74AC573包含8个D型透明锁存器,具有两个关键控制信号:
- LE(锁存使能) :高电平时输出(Q)跟随输入(D);低电平时锁存数据
- OE(输出使能) :低电平时输出有效;高电平时输出为高阻态
2. 真值表
| OE | LE | D | Q |
|---|---|---|---|
| L | H | H | H |
| L | H | L | L |
| L | L | X | Q0 |
| H | X | X | Z |
(注:H=高电平,L=低电平,X=任意电平,Q0=保持前一状态,Z=高阻态)
四、关键参数
1. 绝对最大额定值
- 电源电压范围:-0.5V至7V
- 输入电压范围:-0.5V至VCC+0.5V
- 输出电流:±50mA(连续),±75mA(脉冲)
- 存储温度范围:-65°C至150°C
2. 推荐工作条件
- 电源电压:2V至6V
- 高电平输入电压:2.1V(3V供电),3.15V(4.5V),3.85V(5.5V)
- 低电平输入电压:0.9V(3V),1.35V(4.5V),1.65V(5.5V)
- 工作温度范围:-40°C至85°C
3. 时序特性(5V供电)
- LE脉冲宽度:最小4ns
- 数据建立时间(LE↓前):最小3ns
- 数据保持时间(LE↓后):最小2ns
- 传播延迟(D→Q):最大11.5ns
五、设计指南
1. 电源设计
- 每个VCC引脚配置0.1μF去耦电容
- 高开关频率应用增加1μF钽电容
- 总接地电流不超过200mA
2. 布局建议
- 关键信号(LE、OE)走线尽量短
- 避免90°拐角走线
- 隔离数字和模拟地
- 未使用输入接VCC或GND
3. 热管理
- 高负载应用优先选用VQFN封装
- 增加散热过孔
- 避免连续最大电流工作
六、常见问题解答
Q1: OE和LE信号是否可以同时控制?
A: 可以,OE控制输出使能,LE控制数据锁存,两者功能独立。当OE为高时,无论LE状态如何,输出均为高阻态。
Q2: 未使用的输入引脚如何处理?
A: 必须连接到VCC或GND,绝对不允许悬空。悬空输入会导致不可预测行为并增加功耗。
Q3: 多个SN74AC573输出是否可以并联?
A: 可以,利用3态输出特性可实现总线共享,但需确保任何时候只有一个器件处于输出使能状态。
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