Texas Instruments SN74HCS573/SN74HCS573-Q1八路透明D型锁存器包含八个D型锁存器。所有输入均包括施密特触发器架构。所有通道共享锁存使能 (LE) 输入和输出使能 (OE) 输入。Texas Instruments SN74HCS573/SN74HCS573-Q1具有直通式引脚排列，便于进行总线布线。

数据手册：

*附件：SN74HCS573数据手册.pdf

*附件：SN74HCS573-Q1数据手册.pdf

特性

• 采用可湿性侧翼QFN (WBQB) 封装
• 宽工作电压范围：2V至6V
• 低功耗
  • 典型I CC ：100nA
  • 典型输入漏电流：±100nA
• 施密特触发输入可应对缓慢或嘈杂的输入信号
• 输出驱动：±7.8mA (6V)
• TA扩展环境温度范围：–40°C至+125°C

功能框图

SN74HCS573 Octal D-Type Latch技术解析

一、器件概述

SN74HCS573是德州仪器(TI)推出的一款八通道D型透明锁存器，属于HCS系列高速CMOS逻辑器件。该器件采用Schmitt-trigger输入架构和3态输出，具有流式引脚排列(Flow-Through Pinout)设计，方便总线布线。

‌主要特点‌：

• 宽工作电压范围：2V至6V
• 低功耗特性：典型ICC仅100nA，典型输入漏电流±100nA
• 6V供电时±7.8mA输出驱动能力
• 扩展工作温度范围：-40°C至+125°C
• 所有输入均采用Schmitt-trigger架构，可接受缓慢或噪声输入信号

二、功能描述

2.1 内部结构

SN74HCS573包含八个D型锁存器，所有通道共享一个锁存使能(LE)输入和输出使能(OE)输入。功能框图显示器件采用共享控制逻辑设计，每个锁存器由D触发器和输出缓冲器组成。

2.2 工作模式

器件具有四种工作模式，由OE和LE信号控制：

OE	LE	D	输出状态
L	H	L	L
L	H	H	H
L	L	X	保持前状态(Q0)
H	X	X	高阻抗(Z)

‌关键点‌：

• 当LE为高电平时，数据从D端透明传输到Q端
• 当LE为低电平时，Q端保持最后状态，不受D端变化影响
• OE低电平激活输出，高电平使输出呈高阻态

三、电气特性

3.1 电源参数

• 绝对最大供电电压：7V
• 推荐工作电压：2V-6V
• 静态电流：6V时最大2μA
• 输入漏电流：±100nA(典型值)，±1μA(最大值)

3.2 输入特性

• Schmitt-trigger输入阈值：
  • 2V供电：VT+=0.7V(典型)，VT-=0.3V(典型)
  • 6V供电：VT+=2.1V(典型)，VT-=1.2V(典型)
• 输入滞后电压(ΔVT)：
  • 2V供电：0.2V(典型)
  • 6V供电：0.6V(典型)

3.3 输出特性

• 输出驱动能力：
  • 6V供电时可提供±7.8mA驱动电流
  • 输出阻抗：典型值26Ω(LOW状态)和30Ω(HIGH状态)
• 传输延迟：
  • 6V供电时D→Q延迟典型值9.6ns
  • LE→Q延迟典型值9.6ns

四、应用设计指南

4.1 典型应用电路

SN74HCS573常用于8位数据总线控制，典型应用包括：

• 并行数据存储
• 数字总线缓冲
• 数据保持电路

‌设计要点‌：

1. 电源旁路：每个VCC引脚应添加0.1μF去耦电容，尽量靠近器件
2. 未用输入处理：必须接VCC或GND，推荐通过10kΩ电阻连接
3. 输出负载：建议电容负载≤50pF，电阻负载≥VO/IO
4. 热设计：RθJA为83.2°C/W(VQFN封装)，需考虑散热

4.2 布局建议

• 避免90°走线拐角
• 地平面覆铜可改善信号隔离和散热
• 未用输出可悬空，但不应直接连接电源或地
• 旁路电容应尽可能靠近电源引脚

五、封装信息

SN74HCS573提供两种封装选项：

1. RKS(VQFN-20)：4.5mm×2.5mm体尺寸，0.5mm引脚间距
2. DGS(VSSOP-20)：5.1mm×3.0mm体尺寸，0.65mm引脚间距

两种封装均符合RoHS标准，MSL等级为1级(260°C无限制回流)。

六、设计注意事项

1. 上电行为：若LE在启动时保持低电平，输出状态不确定，需在LE变高后建立有效状态
2. 总线竞争：避免多个器件同时驱动总线，通过OE信号控制
3. 噪声抑制：利用Schmitt-trigger输入的滞后特性(ΔVT)增强抗噪能力
4. 驱动能力：并联使用多个通道可增加驱动能力，但需注意电流限制