Texas Instruments CSD96415同步降压NexFET™功率级是高度优化的设计，用于大功率、高密度同步降压转换器。该产品集成了驱动器IC和功率MOSFET，可完成功率级开关功能。该组合可在5mm × 6mm小型封装中实现大电流、高效率以及高速开关功能。它还集成了精确的电流检测和温度检测功能，可以简化系统设计并提高精度。此外，Texas Instruments CSD96415 PCB的尺寸也经过优化，以帮助缩短设计时间和简化整个系统设计的完成过程。

数据手册：*附件：Texas Instruments CSD96415同步降压NexFET™功率级数据手册.pdf

特性

额定峰值电流：80A
16V V IN 、25V额定高侧和低侧FET
峰值效率：超过94%（f SW =600kHz，L ~~OUT~~ =150nH）
高频工作（高达1.75MHz）
温度补偿双向电流感测
模拟温度输出
故障监控
3.3V和5V PWM信号兼容
三态PWM输入
集成式自举开关
优化的死区时间，可提供击穿保护
包装
- 高密度，QFN 5mm × 6mm
- 超低电感
- 系统优化PCB尺寸
- 散热增强型顶部冷却
- 符合RoHS指令，无铅端子电镀
- 不含卤素
- 7英寸和13英寸卷轴可选

简化应用

CSD96415RWJ同步降压NexFET™功率级技术解析

一、产品核心特性

CSD96415RWJ是德州仪器推出的高性能集成化功率级解决方案，专为高密度同步降压转换器设计，具有以下突出特性：

‌电气参数亮点‌：

‌超高电流能力‌：80A峰值电流输出
‌宽电压支持‌：16V输入电压，25V MOSFET耐压等级
‌卓越效率‌：>94%峰值效率（600kHz/150nH条件下）
‌高频工作‌：支持高达1.75MHz开关频率
‌智能监测‌：
- 温度补偿双向电流检测
- 模拟温度输出
- 故障监控功能

‌封装优势‌：

超紧凑5mm×6mm QFN封装
超低寄生电感设计
顶部散热增强结构
符合RoHS标准无卤素设计

二、系统架构设计

1. 集成化功率级方案

该器件创新性地将以下组件集成于单一封装：

‌功率MOSFET‌：优化高低边管组合
‌驱动电路‌：支持3.3V/5V PWM信号
‌保护功能‌：
- 集成自举开关
- 防直通死区优化
- 三态PWM输入保护

2. 智能监测系统

‌电流检测‌：

温度补偿技术确保全温区精度
双向检测支持能量回馈应用

‌热管理‌：

模拟温度输出(TSNS引脚)
165℃热关断保护
顶部散热金属面设计

三、典型应用设计

1. 多相降压转换器配置

‌推荐参数‌：

开关频率：600kHz-1.75MHz
输出电感：150nH(典型值)
输入电容：≥10μF陶瓷电容

‌布局要点‌：

功率路径采用短而宽走线
敏感信号远离开关节点
热焊盘充分连接至地平面

2. 外围元件选择指南

元件类型	推荐规格	注意事项
输入电容	低ESR陶瓷电容	靠近VIN引脚布置
自举电容	100nF X7R	耐压≥10V
栅极电阻	0-10Ω	调节开关速度
温度采样	10kΩ上拉	用于TSNS输出