Flash闪存-RSUN2M：高性能微型 SPI 闪存，开启智能存储新体验

在万物互联与智能终端飞速发展的时代，存储器件的性能、可靠性与小型化成为设备创新的关键支撑。RSUN TECH 重磅推出的 RSUN2M 串行闪存存储器，以卓越性能、极致设计与全面保障，为各类智能设备注入高效存储动力。

极致微型封装，释放设计潜能

RSUN2M 采用先进的 USON6 封装，尺寸仅为 1×0.72×0.45mm，在极小的空间内实现强大存储功能。精准的尺寸控制（A 值 0.400-0.500mm、D 值 0.960-1.040mm）适配高密度 PCB 布局，轻松满足可穿戴设备、微型传感器、智能硬件等对小型化设计的严苛需求，让产品设计更自由、更紧凑。

高性能传输，灵活存储随心控

作为高性能串行闪存标杆，RSUN2M 搭载双 I/O 数据传输技术，速率高达 208Mbits/s，配合 104MHz 快速读取能力，数据交互高效流畅，大幅提升设备响应速度。2Mbit 存储密度下，支持多级灵活擦除粒度：256 字节页擦除、4K 字节扇区擦除、32/64K 字节块擦除，每扇区更支持 1-256 字节编程，适配多样化数据读写场景，无论是频繁小数据更新还是批量数据处理，都能轻松应对。

兼容标准 SPI（SCLK、/CS、SI、SO）与双 SPI（SCLK、/CS、IO0、IO1）接口，无需复杂适配即可融入现有系统，降低开发成本，加速产品落地。

长效可靠，数据安全无忧

RSUN2M 以硬核品质保障数据长效可靠：编程 / 擦除循环次数高达 10 万次以上，远超行业常规标准，耐受高频数据更新；数据保留时间超过 20 年，即使在长期存储场景下也能确保信息不丢失，为工业控制、医疗设备等长生命周期产品提供坚实存储保障。

内置 128 位唯一 ID 与 256 字节安全寄存器，支持一次性编程（OTP）锁定功能，从硬件层面筑牢数据安全防线，有效防止未授权访问与数据篡改。

低耗节能，续航能力再升级

针对移动设备与电池供电场景，RSUN2M 展现卓越低功耗特性：1.65V-3.6V 宽电压单电源供电适配多类设备；待机电流仅 0.4μA，深度掉电电流低至 0.2μA，33MHz 主动读取电流 1.5mA，主动编程 / 擦除电流 3.0mA，大幅降低设备能耗，延长续航时间，让智能终端更持久、更高效。

量产无忧，供应链稳定可控

RSUN2M 采用标准化编带包装，载带定位精准（定位孔间距 4mm、pocket 间距 2mm），卷盘数量 10K / 盘、内箱 140K、外箱 560K 的规模化包装规格，适配自动化贴片生产流程，确保批量生产效率与稳定性，为大规模应用提供坚实供应链支持。

从微型智能终端到工业级控制系统，RSUN2M 以 “高性能、小体积、长寿命、低功耗、高安全” 的核心优势，重新定义串行闪存应用标准。RSUN TECH 始终以技术创新为核心，RSUN2M 不仅是一款存储器件，更是助力设备升级的可靠伙伴。选择 RSUN2M，让每一次数据存储都高效、安全、持久！