【回顾往年CES】高通在展会上透露更多骁龙835处理器细节

高通宣布将在CES2017上揭露更多关于骁龙835处理器的详细信息和规格参数。不过这次，高通的保密工作看来做的不是那么好，外媒爆料了高通骁龙835处理器的官方宣讲稿，现在高通骁龙835处理器关键PPT偷跑，其规格信息一目了然。

除了我们已经知道的三星10nm工艺制程，根据外媒公布的消息，我们还可以了解到骁龙835采用4x2.45GHz大核、4x1.9GHz小核八核心设计，大小核均为Kryo280架构，GPU为Adreno 540，支持4K屏、UFS 2.1、双摄以及LPDDR4x四通道内存，整合了Cat.16基带。支持Quick Charge 4.0快速充电技术。

与上一代骁龙820/821相比，Kyro280架构的使用，对VR的支持也提升了20%以上， Adreno 540 GPU则提升了25%的4K视频播放效率，在充电方面，QuickCharge 4.0能实现充电五分钟，提供5小时续航力、15分钟内将设备的电量充到50%，内置了INOV技术相较于Quick Charge 3.0，其充电速度提升20%，充电效率提升30%。

另外，X16 LTE基带可以提供1Gbps的下载速度，支持802.11ad Wi-Fi，得益于10nm，基带模块封装面积缩小了45%，能效提升60%。骁龙835也在安全性、深度学习上做了改善加强，而且它还是首颗支持Win10桌面系统的ARM处理器。

骁龙835处理器详细信息提前曝光，也越来越让人期待骁龙835装机上市。由于原计划首发的三星S8延迟到4月发布，那么首款搭载骁龙835处理器的智能手机，会是谁呢？让我们一起拭目以待。