物理层电气部分基础

之所以把物理层电气部分的文章放在链路初始化与训练文章的后面，是因为这一部分涉及到一些相关的概念，如Beacon Signal、LTSSM等等。

前面已经多次提及，由于本次连载的文章主要是基于Gen2的，所以关于Gen3的相关内容只会提及，但是并不会深入的介绍，如果有兴趣的可以自行阅读Gen3的Spec。

关于链路初始化与训练的文章中提到过，PCIe Spec规定，支持新的标准的PCIe设备必须能够向前兼容。即Gen2的设备必须同时支持2.5GT/s和5GT/s，但是，需要注意的是，Gen3的设备必须支持2.5GT/s和8GT/s，而5GT/s却是可选的。

PCIe Spec规定，PCIe设备必须是Short-Circuit Tolerant的，这可以让PCIe卡支持热插拔的功能。此外，由于PCIe总线是一种高速的差分总线，因此，其收发两端是交流耦合的（AC-Coupled）。一般情况下，靠近发送端的链路上放置电容来滤除直流信号，如下图所示：

详细的差分收发对模型如下图所示：

当然，如果PCIe设备把电容集成到Silicon（芯片）中，也是可以的（不过一般不会这么做，因为在芯片内部集成大电容成本很高）。使用交流耦合的另一个优势是，可以允许链路两端的设备使用不同的电源和地。

注：关于半导体中的电容，以及芯片周围的一堆退耦电容是什么鬼，打算找个时间单独写一篇文章来详细地聊一聊。

需要注意的是，PCIe总线采用的是嵌入式时钟，即只有数据Lane，并没有时钟Lane（具体在前面的文章中已经详细地介绍过了）。也就是说，以Gen1为例，虽然2.5GT/s使用的时钟为2.5GHz，但是从数据Lane上来看，“似乎”只有1.25GHz，如下图所示：

L0模式下的链路结构图（状态图）如下：

L0s模式下的链路结构图（状态图）如下：

L1模式下的链路结构图（状态图）如下：

L2模式的链路结构图（状态图）如下：

L3模式的链路结构图（状态图）如下：