‌产学研深度融合：无锡迪仕电子与中科院微电子所共建先进封装联

‌产学研深度融合：无锡迪仕电子与中科院微电子所共建先进封装联合实验室‌

‌——聚焦三维集成与系统级封装技术，赋能国产半导体产业升级‌

近日，无锡迪仕电子科技有限公司与中国科学院微电子研究所正式签署合作协议，双方将共建“先进封装与系统集成联合实验室”，重点攻关三维集成封装（3D TSV）、系统级封装（SiP）及高密度互连技术。此次合作标志着迪仕科技在磁性传感器领域的技术积累与中科院微电子所在集成电路封装领域的科研优势深度结合，旨在突破国产半导体封装技术的“卡脖子”环节，推动国产芯片自主可控进程。

合作背景：技术互补与产业需求驱动‌

无锡迪仕电子科技作为国内磁性传感器领域的领军企业，长期为美的、华为、上汽等知名企业提供霍尔元件、线性传感器等核心部件，产品覆盖智能门锁、物联网终端、新能源汽车等领域。中科院微电子所则是国内微电子领域学科方向布局最完整的科研机构，主导建设了“高密度集成电路封装技术国家工程实验室”，在三维封装、TSV互连、晶圆级封装等领域拥有多项核心技术。

此次合作源于双方对国产半导体封装技术升级的共同需求。随着智能终端、新能源汽车、工业物联网等领域的快速发展，市场对高密度、小型化、低功耗封装技术的需求激增，而国产封装技术在材料、工艺、设备等方面仍存在短板。通过共建联合实验室，迪仕科技将依托中科院微电子所的科研平台，加速磁性传感器与系统级封装的融合创新，提升产品竞争力。

‌合作内容：聚焦三大技术方向‌

‌三维集成封装（3D TSV）技术攻关‌

联合实验室将重点研发基于TSV（硅通孔）技术的三维堆叠封装工艺，突破芯片间高速互连、热管理、应力控制等关键技术，实现传感器模块的微型化与高性能化。

‌系统级封装（SiP）技术优化‌

针对物联网终端、新能源汽车等场景，开发多芯片异构集成封装方案，将磁性传感器、MCU、功率器件等集成于单一封装体内，降低系统成本并提升可靠性。

‌高密度互连材料与工艺研发‌

联合实验室将探索新型低介电常数材料、纳米改性封装基板等创新技术，提升封装密度与信号传输效率，满足5G通信、AI算力芯片等高端需求。

‌合作模式：产学研协同创新‌

‌科研端‌：中科院微电子所提供前沿技术指导与设备支持，迪仕科技投入研发资金与产业应用场景。

‌生产端‌：联合实验室成果将优先在迪仕科技的无锡、江阴等生产基地实现量产，确保技术快速转化。

‌人才端‌：双方共建研究生联合培养基地，中科院微电子所为迪仕科技定向输送封装技术人才。

‌产业影响：推动国产半导体封装升级‌

此次合作不仅将提升迪仕科技在磁性传感器封装领域的技术壁垒，更有望为国产半导体产业带来以下突破：

‌技术自主化‌：减少对进口封装设备与材料的依赖，降低供应链风险。

‌成本优化‌：通过高密度集成封装技术，降低终端产品体积与制造成本。

‌应用拓展‌：推动磁性传感器在医疗设备、航空航天等高端领域的国产化替代。

‌未来展望：打造国际一流封装技术平台‌

根据协议，联合实验室计划在未来三年内完成5项以上核心技术攻关，申请发明专利10项，并推动2项以上技术实现量产。迪仕科技运营总监赵鹏表示：“此次合作是迪仕科技从‘传感器制造商’向‘系统级封装解决方案提供商’转型的关键一步，我们将与中科院微电子所共同打造具有国际竞争力的封装技术平台。”

中科院微电子所相关负责人指出：“无锡是长三角半导体产业集群的核心区域，迪仕科技在磁性传感器领域的产业化经验与我们的科研优势高度互补。联合实验室的建立将进一步巩固无锡在全国封装测试领域的领先地位。”

此次产学研深度融合，标志着国产半导体封装技术向高端化、自主化迈出重要一步，也为区域产业升级提供了创新范本。

审核编辑 黄宇