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BLDC驱动必修课:为何现代MOSFET驱动IC偏爱“上高下高”逻辑?​​

张飞实战电子官方 2025-06-13 10:07 次阅读
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在无刷直流(BLDC电机控制系统中,6路PWM信号精准控制上下桥MOSFET的开关是核心。你是否注意到,驱动IC对PWM高低电平有效性的配置,经历了从“上高下低”到“上高下高”的显著转变?这背后不仅仅是逻辑定义的不同,更是技术与可靠性的进化。今天,我们就来揭秘这两种PWM配置逻辑的本质与选择依据。

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图:三相BLDC换相电路示意

一PWM控制基础:理解“有效电平”


驱动IC的核心任务之一,是将来自MCU的低功率PWM信号“翻译”成足以驱动MOSFET栅极的强信号。关键点在于,它需要明确定义PWM信号何种电平代表开启对应的MOSFET。

  1. “上高下高” (Active High for Both):
  1. 定义: 无论是上桥臂还是下桥臂MOSFET,其对应的PWM输入高电平代表开启指令;低电平代表关闭指令。
  2. 示意: 上桥PWM: 高电平 -> 上MOS管ON 下桥PWM: 高电平 -> 下MOS管ON 两者低电平 -> 对应MOS管OFF
  3. 核心要求: 绝不允许 同一相的上下桥PWM 同时为高电平,否则会造成可怕的直通短路(Shoot-Through),瞬间烧毁MOSFET!
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图:以屹晶微的EG2132为例,是典型的上高下高控制

2.“上高下低” (Active High for Top, Active Low for Bottom):

  1. 定义: 上桥臂MOSFET对应的PWM输入,高电平代表开启;下桥臂MOSFET对应的PWM输入,低电平代表开启(相当于“有效低”)。
  2. 示意: 上桥PWM: 高电平 -> 上MOS管ON 下桥PWM:低电平-> 下MOS管ON (注意这里是低电平有效!) 上桥低电平且下桥高电平 -> 对应MOS管OFF
  3. 核心要求: 绝不允许 同一相的PWM出现 上桥为高、下桥为低 的组合,这也是导致直通短路的致命组合!
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图:以屹晶微的EG2103为例,是典型的上高下低控制


二永恒不变的铁律:严防死守“直通”


无论采用哪种逻辑配置,防止同一相的上下桥MOSFET同时导通是设计驱动的核心死命令。这是所有驱动IC设计中优先级最高的任务。现代驱动IC通常具备以下关键保护机制:

  • 集成死区时间控制 (Integrated Dead Time): 确保在上下桥切换的瞬间,预留一段两者都关闭的安全时间,彻底杜绝因开关延迟导致的瞬态直通。
  • 高级防护电路: 针对可能引起意外导通的现象(如MOSFET关断时栅极的电压振铃Ring、栅极承受过大的负压dv/dt等),内置防护电路,大幅提升系统鲁棒性。
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图:以屹晶微的EG2132的真值表为例


三历史的烙印:为何曾是“上高下低”的天下?


回顾早期BLDC驱动方案,驱动IC的集成度、工艺水平和内部逻辑复杂度有限。想要在外部可靠地实现防止上高下低(即上桥高+下桥低)同时出现的直通组合,硬件逻辑上有一个“巧妙”的解决方案:使用简单的与非门电路(NAND gate)。2002f760-47fb-11f0-986f-92fbcf53809c.png图:约20年前的无刷电机控制系统框图,可见其复杂

  • “上高下低”的硬件优势: 对于下桥臂“低电平有效”的设计,将下桥的PWM输入信号取反后再控制MOSFET,其逻辑恰好可以通过一个简单的与非门实现。这种方案在当时硬件资源受限的情况下,成本低、实现相对简单、可靠性满足基本要求,因此“上高下低”逻辑成为了早期驱动设计的主流选择。


四时代的进步:为何现在主流是“上高下高”?


技术的洪流滚滚向前。现代栅极驱动IC的制造工艺、集成能力和设计复杂度已经今非昔比。内部的数字逻辑、高精度死区控制、先进保护功能都高度集成化。在这种背景下,“上高下高”逻辑的优势被充分发挥,逐渐成为新设计的首选:

  1. 更高的抗干扰能力: “上高下低”要求MCU对下桥PWM输出低电平作为有效开启信号。在复杂的电磁环境中,低电平信号更容易受到干扰,误触发MOSFET开启的风险略高。而“上高下高”的开启都是高电平,干扰使其达到有效门槛的可能性相对较低。
  2. 更符合直觉的逻辑: “高电平开启”对于大多数工程师来说,是更自然、更符合直觉的逻辑定义方式(比如继电器的控制、普通GPIO点亮LED等)。设计理解和代码编写更容易,降低人为错误的可能性。“上高下低”的混合逻辑(上桥高有效,下桥低有效)则需要额外的思维转换,增加认知负担。
  3. 上下电状态更可靠: MCU在启动或复位时,IO口往往处于默认的低电平或高阻态。“上高下高”逻辑下,这种默认状态会自然地关闭所有MOSFET,带来更高的上电安全性。而对于“上高下低”逻辑,MCU的下桥口在默认输出低电平(或某些配置下的状态)时,可能就对应于下桥MOSFET的意外开启状态,存在一定风险。
  4. 简化接口设计: 随着驱动IC集成度提高,复杂的防直通逻辑都放在了IC内部,不需要再依赖外部的逻辑门电路。工程师只需关注“输出高代表开启”这一统一指令即可,接口设计更简洁。


五总结:可靠性至上的选择


驱动IC中PWM逻辑从“上高下低”到“上高下高”的演变,清晰地展现了技术升级的路径:从早期依赖外部逻辑应对资源限制的“权宜之计”,发展到依托高度集成化IC实现内在逻辑优化和可靠性提升的“最优解”。现代“上高下高”配置凭借其优异的抗干扰性能、符合直觉的接口、更高的上下电安全性,以及对驱动IC先进内建保护机制的完美契合,成为了当今高性能、高可靠性BLDC控制系统设计的首选逻辑方案。工程师小贴士: 在选用驱动IC设计新系统时,务必查阅数据手册,明确其上下桥输入的有效电平定义!多数现代芯片已默认采用“上高下高”逻辑。了解这一趋势,有助于你做出更符合时代、更可靠的系统设计决策。

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