LM74610-Q1 0.48V 至 42V、零 IQ 汽车理想二极管控制器数据手册

LM74610-Q1 是一款控制器器件，可与 N 沟道 MOSFET 配合使用。 反极性保护电路。它旨在驱动外部 MOSFET 以模拟 与电源串联时的理想二极管整流器。其独特优势 方案中，它不以 ground 为参考，因此 Iq 为零。

LM74610-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供栅极驱动，并为 快速响应内部比较器，可在极性反接时对 MOSFET 栅极放电。 如果相反，这种快速下拉功能会限制反向电流的数量和持续时间 极性被感知。该器件设计还符合 CISPR25 5 类 EMI 规范和汽车 使用合适的 TVS 二极管ISO7637瞬态要求。
*附件：lm74610-q1.pdf

特性

• 适用于汽车应用
• 符合 AEC-Q100 标准，结果如下：
  • 超过 HBM ESD 分类 2 级
  • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
• 最大反向电压为 45 V
• 阳极端子无正电压限制
• 用于外部 N 沟道
  MOSFET 的电荷泵栅极驱动器
• 比肖特基
  二极管/PFET 解决方案更低的功耗
• 低反向漏电流
• 零智商
• 对反极性的快速 2μs 响应
• –40°C 至 +125°C 工作环境温度
• 可用于 OR-ing 应用
• 符合 CISPR25 EMI 规范
• 通过合适的 TVS 二极管满足汽车ISO7637瞬态
  要求
• 无峰值电流限制

参数

方框图

1. 产品概述

• ‌类型‌：Zero IQ反向极性保护智能二极管控制器
• ‌特点‌：
  • AEC-Q100认证，适用于汽车应用
  • 零静态电流（Zero IQ）
  • 内部电荷泵门驱动外部N-MOSFET
  • 快速2μs反向极性响应
  • 低反向泄漏电流
  • -40°C至+125°C工作温度范围

2. 应用场景

• 高级驾驶辅助系统（ADAS）
• 信息娱乐系统
• 工业电动工具
• 传输控制单元（TCU）
• 电池OR-ing应用

3. 主要特性

• ‌最大反向电压‌：45V
• ‌无正向电压限制‌：Anode端子
• ‌电荷泵门驱动‌：外部N-MOSFET
• ‌低正向电压降‌：相较于肖特基二极管
• ‌EMI合规性‌：符合CISPR25 Class 5标准
• ‌瞬态要求‌：符合汽车ISO 7637标准

4. 电气特性

• ‌最小启动电压‌：0.48V（外部MOSFET体二极管）
• ‌电荷泵电容阈值‌：
  • Vcap上阈值：6.3V
  • Vcap下阈值：5.15V
• ‌门驱动电流‌：
  • 上升电流：8.9-9.4μA
  • 下降电流：6.35-6.8μA（正向电压）
  • 快速下拉电流：160mA（反向电压）
• ‌反向恢复时间‌：2.2-5μs
• ‌占空比‌：98%（典型值，25°C）

5. 功能描述

• ‌工作原理‌：
  • 初始上电时，电流通过MOSFET体二极管，为电荷泵电容充电。
  • 电容电压达到上阈值后，MOSFET导通，提供低阻通路。
  • 电容电压下降至下阈值时，MOSFET关断，体二极管再次导通。
• ‌反向极性保护‌：
  • 检测到反向电压时，Gate Pull Down引脚快速下拉MOSFET门极，限制反向电流。
• ‌无地参考‌：设计使得控制器与二极管类似，无需地参考。

6. 封装与尺寸

• ‌封装类型‌：VSSOP（8引脚）
• ‌尺寸‌：3.00mm × 5.00mm

7. 典型应用

• ‌反向极性保护‌：与N-MOSFET和TVS二极管配合使用，保护电池或其他电源免受反向电压损害。
• ‌OR-ing应用‌：在冗余电源系统中，替代肖特基二极管，减少正向电压降，提高效率。

8. 设计考虑

• ‌MOSFET选择‌：需考虑最大漏极电流、漏源击穿电压、栅阈值电压和导通电阻。
• ‌电容选择‌：建议使用220nF至4.7μF的X7R/COG陶瓷电容。
• ‌TVS二极管选择‌：根据应用需求选择合适的击穿电压和钳位电压。

9. 布局指南

• ‌推荐布局‌：VIN端子应使用低ESR陶瓷旁路电容，MOSFET源极和漏极应使用粗迹线，电荷泵电容应远离MOSFET以降低热效应。

10. 文档与支持

• 提供数据手册、应用指南、相关文档链接和社区资源。
• 可通过TI社区获取快速的设计帮助和技术支持。

LM74610-Q1是一款专为汽车和工业应用设计的反向极性保护智能二极管控制器，通过结合外部N-MOSFET，实现了低损耗、高效率的反向极性保护解决方案。