LM66100 具有集成 FET 的 1.5V 至 5.5V、1.5A、0.5μA IQ 理想二极管数据手册

LM66100 是一款单输入、单输出 （SISO） 集成理想二极管，非常适合各种应用。该器件包含一个 P 沟道 MOSFET，可在 1.5 V 至 5.5 V 的输入电压范围内工作，并支持 1.5 A 的最大连续电流。

芯片使能的工作原理是将 CE 引脚电压与输入电压进行比较。当 CE 引脚电压高于 VIN 时，器件被禁用，MOSFET 关闭。当 CE 引脚电压较低时，MOSFET 导通。LM66100 还带有反极性保护 （RPP），可以保护设备免受错误接线输入（如电池反接）的影响。
*附件：lm66100.pdf

两个 LM66100 器件可用于类似于双二极管 ORing 实现的 ORing 配置。在这种配置中，器件将最高输入电压传递到输出，同时阻止反向电流流入输入电源。这些器件可以比较输入和输出电压，以确保反向电流通过内部电压比较器被阻止。

LM66100采用标准 SC-70 封装，其特点是在 –40°C 至 125°C 的结温范围内工作。

特性

• 宽工作电压范围：1.5 V – 5.5 V
• VIN 上的反向电压隔离：
  -6V 绝对最大值
• 最大连续电流 （I 麦克斯 ）： 1.5 安培
• 导通电阻 （R 上 ):
  • 5V V 电压 在 = 79mΩ（典型值）
  • 3.6V 电压 在 = 91mΩ（典型值）
  • 1.8V 电压 在 = 141mΩ（典型值）
• 比较器芯片使能 （CE)
• 通道状态指示 （ST）
• 低电流消耗：
  • 3.6V 电压在关断电流 （I SD，VIN ）： 120-nA（典型值）
  • 3.6V 电压在静态电流 （I Q、VIN ）：150-nA（典型值）

参数

方框图

1. 产品概述

• ‌产品名称‌：LM66100
• ‌类型‌：5-V, 1.5-A 79-mΩ 低静态电流理想二极管，具有输入极性保护
• ‌应用‌：适用于智能电表、建筑自动化、GPS和跟踪、主备电池等

2. 主要特性

• ‌工作电压范围‌：1.5V至5.5V
• ‌反向电压保护‌：VIN引脚可承受-6V绝对最大反向电压
• ‌最大连续电流‌：1.5A
• ‌低静态电流‌：3.6V VIN时，关断电流120nA（典型值），静态电流150nA（典型值）
• ‌低导通电阻‌：5V VIN时，导通电阻79mΩ（典型值）
• ‌ 芯片使能（CE） ‌：通过比较CE引脚电压和VIN电压来控制器件开关
• ‌ 通道状态指示（ST） ‌：ST引脚在器件关闭时为低电平，开启时为高阻态
• ‌小型封装‌：SC-70封装，尺寸2.1mm x 2.0mm

3. 功能描述

• ‌输入极性保护‌：集成反向极性保护功能，防止误接线导致的损坏
• ‌理想二极管功能‌：通过内部P-channel MOSFET实现，在正向电压时导通，反向电压时截止
• ‌ORing配置‌：两个LM66100器件可以并联使用，实现类似双二极管的ORing功能
• ‌ 反向电流阻断（RCB） ‌：通过将CE引脚连接至VOUT，实现反向电流阻断功能

4. 封装与尺寸

• ‌封装类型‌：SC-70
• ‌封装尺寸‌：2.1mm x 2.0mm

5. 应用信息

• ‌典型应用‌：提供了双理想二极管ORing、连续输出功率ORing、与离散MOSFET ORing等应用电路示例
• ‌设计建议‌：包括电源供应建议、布局指南等

6. 布局指南

• ‌输入/输出电容‌：推荐在输入和输出端放置旁路电容，以最小化寄生电感的影响
• ‌走线宽度‌：建议使用宽走线以减小寄生电气效应
• ‌布局示例‌：提供了详细的布局示例图

7. 文档与支持

• ‌相关文档‌：提供了LM66100数据手册、设计工具和技术支持信息
• ‌更新通知‌：用户可注册接收文档更新通知
• ‌社区资源‌：提供了TI E2E支持论坛链接，供工程师交流问题和经验

8. 订购信息

• 提供了可订购部件号、状态、封装类型、引脚数、载带信息、RoHS状态、引脚镀层/球材料、MSL等级、峰值回流温度、工作温度范围等详细信息。