TPS735 低压差 (LDO) 低功耗线性稳压器可提供出色的交流性能和极低的接地电流。该器件具有高电源抑制比 (PSRR)、低噪声、快速启动以及出色的线路和负载瞬态响应,同时消耗 45μA(典型值)的极低接地电流。
TPS735 器件在采用陶瓷电容器时保持稳定,并采用先进的 BiCMOS 制造工艺,在 500mA 输出时产生 280mV 的典型压差。TPS735 器件使用精密电压基准和反馈环路,可实现 2% (V 外 > 2.2 V) 在所有负载、线路、过程和温度变化范围内。该设备完全指定于 T J = –40°C 至 +125°C,采用扁平 3 mm × 3 mm SON-8 封装和 2 mm × 2 mm WSON-6 封装。
*附件:TPS735 500mA、低静态电流、低噪声、高 PSRR、低压差线性稳压器数据表.pdf
特性
- 输入电压:2.7 V 至 6.5 V
- 具有 EN 的 500mA 低压差稳压器
- 低 I
Q:45 μA - 提供多种输出电压版本:
- 1.2 V 至 4.3 V 的固定输出
- 1.25 V 至 6 V 的可调输出
- 高 PSRR:1 kHz 时为 68 dB
- 低噪声:13.2 μV
RMS - 快速启动时间:45 μs
- 采用陶瓷 2.2μF、低 ESR 输出电容器时保持稳定
- 出色的负载和线路瞬态响应
- 2% 总精度 (负载、线路和温度,V
外> 2.2 V) - 极低压差:500mA 时为 280mV
- 2mm × 2mm WSON-6 和
3mm × 3mm SON-8 封装
参数
方框图

TPS735 500mA低压差线性稳压器数据表总结
1. 基本特性
- 输入电压范围:2.7V 至 6.5V
- 输出电流:500mA
- 静态电流(I_Q) :45μA(典型值)
- 输出电压版本:固定输出1.2V至4.3V,可调输出1.25V至6V
- 电源抑制比(PSRR) :68dB(1kHz)
- 输出噪声:13.2μV RMS
- 启动时间:45μs
- 封装:2mm × 2mm WSON-6和3mm × 3mm SON-8
2. 主要特点
- 低压差:在500mA输出时,压差为280mV
- 高精度:整体精度为2%(V_OUT > 2.2V)
- 快速瞬态响应:具有优秀的负载和线性瞬态响应
- 稳定性:使用陶瓷电容器即可保持稳定
- 温度范围:工作温度范围为-40°C至+125°C
3. 应用领域
4. 功能描述
- 内部电流限制:保护稳压器在故障条件下不受损坏
- 关断功能:通过使能引脚(EN)控制稳压器的开启和关断
- 压差电压:使用PMOS通路晶体管实现低压差
- 快速启动和噪声抑制电容:固定电压版本使用快速启动电路对噪声抑制电容进行充电,实现低输出噪声和快速启动
- 瞬态响应:通过增加输出电容大小可以减少过冲和下冲幅度,但会增加瞬态响应时间;可调版本中添加前馈电容(C_FF)可改善稳定性和瞬态响应性能
- 欠压锁定(UVLO) :防止在输入电压过低时稳压器输出
- 最小负载:无需输出负载即可稳定工作,但为达到指定精度,需要最小负载500μA
- 热保护:当结温升至约165°C时,热保护电路会禁用输出,允许器件冷却
5. 典型应用电路
- 固定电压版本:提供基本的电路连接图
- 可调电压版本:通过R1和R2电阻分压器设置输出电压,并给出具体计算公式
6. 布局指南
- 元件布局:建议将所有电路元件放置在电路板同一侧,并尽可能靠近各自的LDO引脚连接
- 地线连接:输入和输出电容的地线返回连接应尽可能靠近,并通过宽铜表面连接
- 独立地线平面:为提高AC性能(如PSRR、输出噪声和瞬态响应),建议使用独立的V_IN和V_OUT地线平面,且每个地线平面仅在器件的GND引脚处连接
7. 热性能
- 热阻参数:提供了不同封装下的结到环境、结到外壳等热阻参数
- 结温估算:使用Ψ_JT和Ψ_JB热度量度可以更准确地估算结温
8. 封装和订购信息
- 提供了详细的封装类型、引脚配置、封装尺寸、生态计划、引脚完成/球材料等信息
- 列出了不同输出电压和封装组合的器件型号和订购信息
9. 文档和支持
- 评估模块:提供TPS73501EVM-276和TPS73525EVM-276评估模块以协助初始电路性能评估
- 相关文档:包括TPS735EVM-276用户指南等
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