MOS高温挑战终结者？仁懋三款MOS器件引爆主机能效革命

高性能主机的“供电生死局”

随着RTX 40系显卡、13代酷睿处理器功耗突破600W，传统MOS器件正面临前所未有的极限挑战。某硬件论坛调研显示，27%的蓝屏/死机故障源于供电模块MOS过热或瞬态响应失效。在机箱空间紧缩与散热压力倍增的当下，以下难题尤为突出：

- 高温枷锁：MOS温升＞100℃触发降频，导致CPU/GPU性能折损高达15%；

- 瞬态响应危机：显卡瞬间功率激增引发Vcore电压波动＞200mV；

仁懋电子MOS系列（MOT3080D、MOT3136G、MOT3180G等）通过“拓扑重构+封装革命”，为高性能主机打造极致供电解决方案。

技术破局：三大核心战力重构供电标准

1. 超低内阻矩阵：导通损耗直降40%

针对多相并联供电的损耗痛点，MOT3180G采用屏蔽栅沟槽工艺+铜柱互联技术：

- RDS(on)低至6.8mΩ@10V，12相供电模块满载效率突破94%；

- 支持200A瞬态电流，RTX 4090超频瞬间电压波动＜80mV。

2. 纳米银烧结封装：热阻碾压传统方案

MOT3080D引入DPAK封装银烧结工艺，颠覆传统焊接界面：

- 热阻（Rthjc）仅2.04℃/W，较竞品降低35%，持续80A输出时结温稳定在88℃；

- 功率循环寿命＞50万次，彻底解决长期高负载下的焊点开裂风险。

3. 智能驱动兼容：开关损耗综合优化

MOT3136G通过Ciss/Qg动态平衡技术，实现全负载域高效切换：

- 输入电容（Ciss）降至2800pF，驱动损耗（Qg×Rg）较上一代降低28%；

- 支持500kHz高频开关，助力数字PWM控制器精度提升至±0.5%。

场景化产品矩阵

| 型号 | 性能巅峰指标 | 场景

| MOT3080D | 4mΩ@10V+320A脉冲 | 16相CPU核心供电

| MOT3136G | 高频开关+±0.5%精度 | 显卡Vcore智能供电

| MOT3180G |3.67℃/W热阻+50万次寿命 | 小型化ITX电源模块

黄金选型法则

1. 相数匹配：每相供电建议负载≤50A，超频主机需预留20%冗余

2. 散热优先：ITX紧凑机型首选较低的Rthjc型号（如MOT3180G）

3. 频率对齐：数字PWM控制器频率＞300kHz时，必须选择Qg较低的器件

当电竞主机迈入千瓦级功耗时代，仁懋MOS以“更冷、更稳、更小”的硬核实力，正在重新定义供电模块的极限标准。请关注联系销售，获取免费样品！