SDRAM控制器的设计——Sdram_Control.v代码解析（异步FIFO读写模块、读写SDRAM过程）

前言

SDRAM控制器里面包含5个主要的模块，分别是PLL模块，异步FIFO 写模块，异步FIFO读模块，SDRAM接口控制模块，SDRAM指令执行模块。

其中异步FIFO模块解读参考：05-SDRAM控制器的设计——异步FIFO的调用；

https://www.elecfans.com/d/6468023.html

SDRAM接口控制模块解读参考：03-SDRAM控制器的设计——control_interface.v代码解析；
https://www.elecfans.com/d/6458523.html

SDRAM指令执行模块解读参考：04-SDRAM控制器的设计——command.v代码解析

https://www.elecfans.com/d/6466276.html

PLL时钟模块

SDRAM控制器模块里面的PLL将27MHz时钟倍频出2个100MHz时钟，其中一个100MHz时钟给SDRAM里面的模块使用；另外一个100MHz时钟相移-109.8°以后输出给SDRAM器件。（相移-109.8°是这个SDRAM器件在DE10-Standard开发板上的时序约束经验值）

PLL参数设置如下：

关于Sdram_Control.v模块时钟分布请参考下图的蓝色走线：

其实也可以直接从FPGA 的50MHz时钟经过PLL得到100M时钟传递给工程里其他模块工作，这里设置27M是为了让大家看看FIFO跨时钟域的一个工作情况。

数据路径控制

SDRAM的数据口是一个inout接口，要做成三态门控制，控制电路代码如下：

从command.v传过来的oe信号为高时，将数据送到DQ端口，此为SDRAM的写入操作；当oe信号为低时，DQ输入为高阻，三态门截止，DQ端口的数据送出给读fifo模块进行缓存，此为SDRAM的读操作。（关于oe信号的控制请参考04-SDRAM控制器的设计——command.v代码解析）

自动且连续的读写操作

接下来是设置完成连续读写（64个数据）以及进行突发中断的操作。

command.v模块里面已经设置突发长度为整页（整页可读写数据量为1024），所以每次读写64个数据后需要提前中断突发操作。根据IS42R16320D手册可知下发突发中断命令或者预充电命令可提前结束突发操作。

该案例选择预充电命令来结束突发操作。参考前面的章节可知预充电命令是RAS_N， CAS_N，WE_N组合为010。

为了拉出相关信号查看其波形，先要暂时把这些信号输出，不然这些信号会被Quartus在综合操作时优化掉。

从波形图可以看到，确实在每次读或者写64个数据后，都会跟着出现一个预充电命令来结束全页突发操作。

如果上面总体的图缩小看不清，可以参考下面放大的图：

可能大家会疑惑为什么不直接写256个数据，然后读256个数据？这里设置64个数据长度是为了让大家看到多次读和写是如何进行的。

如果想设置256个数据也是可以的，这时就把自动读设计成写完256个数据后自动进行。

此时的波形图如图所示（一次性写完256个数据，一次性读完256个数据）：

指令的产生

读过程通过Pre_RD和mRD信号的组合标志出连续读的起始时间，通过Read信号标志出连续读的过程。

写过程通过Pre_WR和mWR信号的组合标志出连续写的起始时间，通过Write信号标志出连续写的过程。

当FIFO读模块中的数据量低于一次需要读取的数据量时，mRD置1；直到连续读完成时，mRD才会清零。即mRD保持为0或1的状态都会持续多个周期，因此我们无法通过电平状态来判断是否产生开始读信号Read，所以这里采取用寄存器保存mRD的前一状态，并与当前状态进行比较，当前一状态为0，当前状态为1，即产生上升沿时，开始读信号Read信号置1。写信号同理。

提前一个时钟送出异步FIFO写模块的读出使能信号是因为写数据没有延迟，写命令发出的当拍要准备好数据，所以读使能信号提前一拍给出。

写入地址和读出地址

256个数据写入节奏是这样的：

当KEY1被按下，触发了counter产生数据0~255，这个数据同步传递给异步FIFO写模块进行缓存。当系统检测到write_side_fifo_rusedw1值大于64时，异步FIFO写模块的读出端口会把FIFO里面的数据读出，传递给SDRAM器件进行储存。FIFO一次读出64个数据。总共会读出4次。

从top文件传递过来的地址0开始写SDRAM，一次写64个数据，写第二笔64个数据时初始地址是0+64，写第三笔64个数据时初始地址是64+64=128，写第四笔64个数据时初始地址是128+64=192。

256个数据读出节奏是这样的：

异步FIFO读模块从离开初始化状态且离开复位状态且检测到read_side_fifo_wusedw1小于64时开始读取SDRAM器件的数据。

其复位状态的离开主要看KEY0信号和wr_latch信号：

第一笔64个数据（0~63）是等异步FIFO写模块已经完成256个字节的缓存操作（其中的192个数据已写入到SDRAM器件了）以后读出。此时读SDRAM的地址送出是0。

第二笔64个数据（64~127）是等异步FIFO读模块读出第一个数据0的下一个时钟节拍读出，因为此时read_side_fifo_wusedw1的值64-1等于63又小于64。此时读SDRAM的地址送出是64。

第三笔64个数据（128~191）是等到异步FIFO读模块数据又只剩63个数据时读出，此时地址送出是128。

第四笔64个数据（192~255）同样是等到异步FIFO读模块数据又只剩63个数据时读出，此时地址送出是192。

无论是SDRAM写操作还是读操作，在读写完256个数据后又会从地址0开始重复读写：

拿SDRAM读操作来说，当读完256个数据还继续触发读操作时抓取波形图可以看到：

可能读者会有疑惑，当异步FIFO写模块第四次累计了64个数据时，为什么没有马上写入SDRAM器件，而是先从SDRAM器件里面读出64个数据缓存到异步FIFO读模块，等这64个数据读完以后再继续往SDRAM里面写最后的64个数据（192~255）。这里是因为if语句存在优先级，电路是先判断有没有读指令，当有读命令时就先处理读操作。当异步FIFO写模块写入了第四个64个数据后，异步FIFO读模块就离开了复位状态，系统会自动发送读命令，此时就开始SDRAM器件数据的读取操作。

PS：

本文的Signaltap波形图文件对应：~sdramcontroloutput_filesSdram_Control.stp