产品介绍#TPD4E001-Q1 汽车类四通道 1.5pF、5.5V ±8kV ESD 保护二极管，带 USB 2.0 的 VCC 引脚

TPD4E001-Q1 器件是一款低电容 TVS 二极管阵列，设计用于在连接到通信线路的敏感电子设备中提供 ESD 保护。每个通道由一对瞬态电压抑制二极管组成，用于将 ESD 脉冲引导至 V抄送或 GND 的 S 。TPD4E001-Q1 可防止高达 ±8 kV 接触放电和 ±15 kV 气隙放电的 ESD 事件，如 IEC 61000-4-2 国际标准所规定。该器件具有每通道 1.5pF 的低电容，非常适合用于高速数据接口。低漏电流（最大 10 nA）可确保系统的最小功耗和模拟接口的高精度。
*附件：TPD4E001-Q1 具有 1.5 pF I、O 电容的 4 通道 ESD 保护阵列数据表.pdf

此外，该器件还非常适合保护使用 USB 2.0、以太网或精密模拟接口的汽车音响主机、汽车后座娱乐系统以及汽车后置摄像头系统。

特性

• 符合 AEC-Q100 标准，结果如下：
  • 器件温度等级 1：-40°C 至 125°C 环境工作温度范围
  • 器件 HBM ESD 分类等级 3B
  • HBM 等级 15 kV
  • 器件 CDM ESD 分类等级 C5
• IEC 61000-4-2 4 级 ESD 保护
  • ±8kV 接触放电
  • ±15 kV 气隙放电
• IEC 61000-4-5 浪涌保护
  • 5.5 安 （8/20 微秒）
• 1.5pF 低输入电容
• 10nA 最大漏电流
• 0.9V 至 5.5V 电源电压范围

参数

方框图

1. 产品概述

• ‌产品名称‌：TPD4E001-Q1
• ‌功能‌：4通道ESD保护阵列，具有1.5 pF I/O电容，专为高速数据接口和敏感电子设备提供ESD保护。
• ‌应用领域‌：适用于汽车头单元、后座娱乐系统、后视摄像头系统，以及USB 2.0、以太网和精密模拟接口。

2. 主要特性

• ‌低电容‌：每通道1.5 pF，支持高速信号传输（超过1 Gbps）。
• ‌低泄漏电流‌：最大10 nA，确保系统低功耗和高精度模拟接口。
• ‌高ESD保护等级‌：
  • HBM（人体模型）：±15 kV
  • CDM（充电器件模型）：±750 V（AEC标准），C5等级
  • IEC 61000-4-2：±8 kV接触放电，±15 kV空气间隙放电
  • ISO 10605：±8 kV接触放电，±15 kV空气间隙放电
• ‌宽电源电压范围‌：0.9 V至5.5 V
• ‌高浪涌保护‌：符合IEC 61000-4-5标准，至少5.5 A（8/20 µs）峰值脉冲电流

3. 封装与尺寸

• ‌封装类型‌：SOT-23（6引脚）
• ‌尺寸‌：2.90 mm × 1.60 mm

4. 电气特性

• ‌供电电流‌：典型值1 µA，最大值200 nA
• ‌二极管正向电压‌：IF = 10 mA时，0.65 V至0.95 V
• ‌击穿电压‌：IBR = 10 mA时，11 V
• ‌箝位电压‌：在IO引脚上的浪涌打击时，VCC = 5.5 V，IPP = 5.5 A，正瞬态16 V
• ‌反向截止电压‌：IO引脚到GND引脚，5.5 V

5. 热特性

• ‌热阻‌：
  • θJA（结到环境）：202.1 °C/W
  • θJC（结到壳顶）：146.2 °C/W
  • θJB（结到板）：47.1 °C/W

6. 应用信息

• ‌连接方式‌：每个通道由一对瞬态电压抑制二极管组成，将ESD脉冲导向VCC或GND。
• ‌VCC引脚用法‌：
  • 可连接到系统电源，作为信号摆动超过VCC + VF时的瞬态抑制器。
  • 若不连接系统电源，可容忍高达10 V的信号摆动。

7. 布局指南

• ‌推荐布局‌：将TPD4E001-Q1靠近连接器放置，以在ESD打击之前吸收能量。
• ‌电容放置‌：在VCC引脚旁放置0.1 µF电容器，以限制IO引脚在ESD打击期间的瞬时电压涌动。
• ‌金属化‌：确保VCC和GND环路有足够的金属化，以安全放电ESD打击期间的能量。