英诺赛科推出30V VGaN新品，拓宽电压范围

英诺赛科近日宣布，其VGaN系列再添新成员——30V新品INV030FQ012A。这款产品的推出，标志着VGaN产品的电压范围得到了进一步拓宽。

INV030FQ012A采用了FCQFN 4mm*6mm封装，体积小巧，便于集成。在电路设计中，使用一颗VGaN即可替代传统方案中的两颗共漏连接的背靠背NMOS，从而有效降低了占板面积，为系统板的小型化提供了有力支持。

该产品主要应用于过流保护和负载开关等场景。其超低导通电阻和宽SOA（安全工作区）等特性，使得INV030FQ012A在应用中展现出低损耗和耐短路冲击的显著优势。这些特点不仅提升了电路的性能，还进一步增强了系统的稳定性和可靠性。

英诺赛科表示，INV030FQ012A的推出将为客户提供更多样化的选择，满足不同应用场景的需求。未来，英诺赛科将继续致力于VGaN产品的研发和创新，为行业带来更多优质产品和技术解决方案。