什么是SD NAND?
SD NAND是一种创新的存储芯片,可直接贴片,又名贴片式SD卡、贴片式TF卡、贴片式T卡、贴片式内存卡、SD Flash、NAND Flash等。它将传统的TF卡技术转变为可以直接贴片使用的芯片形式,为电子设备设计带来了更多的灵活性和便利性。
上次MK给大家讲解了MK SD NAND异常掉电保护机制,不少的工程师朋友们对此挺感兴趣,今天再和大家聊一聊SD NAND内部的另外一个核心技术SD NAND:磨损均衡(Wear Leveling)。
SD NAND内部主要由NAND Flash和Flash Controller组成,大多数人把NAND FLASH叫做闪存,是一种长寿命的非易失性的存储器,即使在断电情况下仍能保持所存储的数据信息。此外,SD NAND还在其内部集成了主控,用于完成擦写均衡、坏块管理、ECC校验等功能。整体的架构如下所示。
SD NAND整体架构而磨损均衡 (Wear Leveling),就是让SD NAND中的每个闪存块的擦除都保持均衡。每一个闪存都是有寿命的,Nand Flash在架构上可以分为SLC、MLC和TLC。三者的区别如下:
SLC英文全称为Single-Level Cell,即1bit/cell,每一个单位存储一位数据。速度快寿命长,价格贵(约MLC的3倍以上的价格),约10万次擦写寿命。
MLC全称为 Multi-Level Cell,即2bit/cell,每一个单位存储二位数据。速度一般寿命一般,价格一般,约3000-10000次擦写寿命。MLC通过使用大量的电压等级,每个单元储存二位数据,数据密度比较大。因此,MLC架构可以有比较好的储存密度。
TLC全称为 Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也可以叫8LC,需要访问的时间更长,因此传输速度更慢。TLC价格便宜,但是速度慢寿命短,约1000次擦写寿命。
产品类型 | 容量 | 型号 | 工作温度 | 尺寸 | Flash类型 |
MKDN系列 | 32Gbit | MKDN032GCL-AA | -25℃~85℃ | 9x12mm | MLC |
| 32Gbit | MKDN032GIL-AA | -25℃~85℃ | pSLC | ||
| 64Gbit | MKDN064GCL-AA | -25℃~85℃ | MLC | ||
| 64Gbit | MKDN064GIL-ZA | -25℃~85℃ | pSLC | ||
| 128Gbit | MKDN128GCL-ZA | -25℃~85℃ | TLC | ||
| 256Gbit | MKDN256GCL-ZA | -25℃~85℃ | TLC | ||
| 512Gbit | MKDN512GCL-ZAA | -25℃~85℃ | TLC | ||
MKDV系列 | 1Gbit | MKDV1GCL-ABA | -25℃~85℃ | 6x8mm | SLC |
| 2Gbit | MKDV2GCL-ABB | -25℃~85℃ | SLC | ||
| 4Gbit | MKDV4GCL-ABB | -25℃~85℃ | SLC | ||
| 1Gbit | MKDV1GIL-AST | -40℃~85℃ | SLC | ||
| 2Gbit | MKDV2GIL-AST | -40℃~85℃ | SLC | ||
| 4Gbit | MKDV4GIL-AST | -40℃~85℃ | SLC | ||
| 8Gbit | MKDV8GIL-AST | -40℃~85℃ | SLC | ||
| 32Gbit | MKDV032GCL-STP | -25℃~85℃ | MLC | ||
| 64Gbit | MKDV064GCL-STP | -25℃~85℃ | MLC |
如果用户数据在某些闪存块上频繁的被使用,达到一定的写入/擦除次数后,那么SD NAND就会英年早逝。相反,有了磨损平衡技术,每一个闪存块都能雨露均沾,这样就提高了产品的使用寿命。

业界的磨损均衡算法,主要有动态磨损均衡和静态磨损均衡。动态磨损平衡算法是把热数据写到年轻的块上,即在拿一个新的闪存块用来写的时候,挑选擦写次数小的;静态磨损平衡算法是把冷数据写到年老的块上,即把冷数据搬到擦写次数比较多的闪存块上。两者各有优缺点,MK SD NAND则是采用动态与静态磨损结合的磨损均衡管理算法,实现最佳的均衡效果。

MK是一家专注于嵌入式存储的企业,研发中心设在台湾,在深圳、香港、合肥设有营运据点。MK的产品涵盖了各种主流的容量和接口,SD NAND、eMMC、存储卡广泛应用于工业、车载、医疗、电力、智能穿戴等领域,并可提供客制化的存储解决方案。

在存储行业还有很多的知识、技术需要不断的学习与沉淀,希望未来能够和大家一起进步,探索存储未知空间。
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