不断突破可能性的边界，做创新浪潮的领军者

近日，英飞凌连续发布两则碳化硅创新产品和新一代技术的重磅消息，引起业界的关注和热议。凭借着在功率半导体器件领域技术和创新的双轮驱动，英飞凌始终站在技术前沿。本期“零碳故事”特邀英飞凌工业与基础设施业务大中华区高级技术总监陈立烽先生浅谈英飞凌的技术实力和创新能力，深挖创新背后的故事。

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新一代CoolSiC MOSFET G2技术，到底“新”在哪里？

“英飞凌不断突破可能性的边界，在充满活力的碳化硅创新浪潮中保持着领军者的位置。”

英飞凌碳化硅单管有650V、1200V、1700V、2000V四个电压等级。就主流电压等级而言，英飞凌可以说是业内碳化硅产品最齐全的半导体企业。

最新发布的CoolSiC MOSFET 2000V碳化硅分立器件，基于第一代的碳化硅技术，在电压等级上实现向上拓展，成为市面上首款击穿电压达到2000V的碳化硅分立器件。

而新一代CoolSiC MOSFET Gen2的技术亮点纷呈：它具有业界最低的Rdson导通电阻，单个单管封装可低至7毫欧。同时，该技术在保证低导通电阻的同时，承诺2微秒的短路能力，这在业界遥遥领先。此外，新一代CoolSiC MOSFET Gen2的最大工作结温直接提升到200摄氏度，相较于第一代产品有了显著的提升。

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英飞凌如何保持在碳化硅技术的创新优势？

“创新不是速度与激情，而是长期耕耘的“细水长流”。

英飞凌这么多年在碳化硅的技术积累为今天在产品上的发力提供了坚实的基础，从晶圆制成到芯片设计，封装都有着深厚的技术实力：

我们在2018年获得的冷切割技术，大幅减少SiC生产过程中的原材料损耗，确保质量的同时，从容面对不断增长的碳化硅市场需求；

我们的优势还在于早期就决定采用沟槽MOSFET技术。凭借25年的经验积累，英飞凌掌握了沟槽栅生产的关键技术和挑战。越来越多公司将沟槽技术概念纳入其SiC产品路线图，也证明了我们的技术战略是正确的。

英飞凌在封装技术方面持续创新，大家熟悉的Easy 1B/2B，Ecoco都是英飞凌的原创设计。最近屡获殊荣的.XT互连技术，也英飞凌的一项创新技术，与传统封装相比，能进一步提升基于碳化硅设计的优化潜力。

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碳化硅在不久的将来是否会取代硅基功率半导体？

“Si和SiC将会是一个共存的状态，会各自在最能发挥他们产品性能的应用中继续扮演关键的角色。”

英飞凌在功率半导体保持连续20年市占率第一的成绩，以英飞凌为代表的IGBT技术也在不断进步，从整体发展趋势来看，呈现出大电流、高电压、低损耗、高频率、功能集成化、高可靠性的特点。我们去年推出的IGBT7单管系列正是符合这一趋势。其中，1200V/140A的规格为市场上第一款大电流的1200V IGBT单管。

此外，英飞凌完成收购氮化镓系统公司(GaN Systems)，从Si、SiC到GaN，英飞凌掌握所有的关键材料和技术，拥有最广泛的产品组合，客户可以根据系统优化的不同需求，进行灵活的方案配置。

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英飞凌如何把创新力转化成产品力？

“创新力：源头在“创”，核心在“新”，成果在“力””。

我们从一开始在工业应用、基建以及汽车领域做好全面的市场布局，专注于Mobility, Energy Efficiency以及IoT的技术创新以及产品开发。因此，我们在市场上提供了更广泛、细致的产品组合，使得客户能够根据自身需求，选择最适合、成本效益最高的产品。

同时，英飞凌始终与富有创新精神的客户并肩前行。通过交流所积累的知识和经验，成为了我们始终站在技术前沿的宝贵财富，为日后市场的腾飞奠定坚实的基础。

此外，针对应用，我们为客户创新设计定制功率模块，产品定制化已经成为了我们非常重要的业务模块。通过缩短设计周期，加速产品上市时间，为客户抢得市场先机。而在定制化成功的背后，完善的定制化服务管理体系以及专业的研发团队提供了坚实的保障。